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開關(guān)模式電源電路板布局的黃金法則
本文介紹有關(guān)實現(xiàn)優(yōu)化電路板布局的基礎(chǔ)知識，在設(shè)計開關(guān)模式電源時，優(yōu)化電路板布局是一個重要方面。合理布局可以確保開關(guān)穩(wěn)壓器保持穩(wěn)定工作，并盡可能降低輻射干擾和傳導干擾(EMI)。這一點電子開發(fā)人員都很清楚。但是，大家并不知道，開關(guān)模式電源的優(yōu)化電路板布局應該是什么樣子的。
2022-10-19
開關(guān)電源 電路板 布局
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具有集成電容器的降壓穩(wěn)壓器如何幫助降低EMI和節(jié)省布板空間
在實現(xiàn)高效緊湊設(shè)計的同時遵守國際無線電干擾特別委員會 (CISPR) 等組織提出的嚴格電磁干擾 (EMI) 要求是一項挑戰(zhàn)。因此，元件的選擇成為設(shè)計過程的關(guān)鍵。與大多數(shù)設(shè)計決策一樣，在不同元件之間進行選擇幾乎總是歸結(jié)為基于關(guān)鍵設(shè)計目標的權(quán)衡評估。降壓穩(wěn)壓器以高效率和良好的熱性能著稱，但通常不...
2022-10-18
電容器 降壓穩(wěn)壓器 EMI
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可穿戴設(shè)備中的傳感器：尺寸越來越“小”，左右越來越“大”！
市場上的可穿戴設(shè)備五花八門，歸結(jié)起來主要分為兩類：醫(yī)用可穿戴設(shè)備、健身穿戴設(shè)備。其中，醫(yī)用可穿戴設(shè)備是直接支持醫(yī)生監(jiān)測和治療患者的設(shè)備，所有這些設(shè)備在上市前必須經(jīng)過醫(yī)療主管部門的批準。對于健身穿戴設(shè)備而言，其主要應用也可以說是用于醫(yī)療保健，只不過它們收集的數(shù)據(jù)大多用于運動健康...
2022-10-17
可穿戴設(shè)備 傳感器 貿(mào)澤電子
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MOS管的Miller 效應
本文對于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應的原因與現(xiàn)象進行了分析。巧妙的應用 Miller 效應可以實現(xiàn)電源的緩啟動。
2022-10-12
MOS管 米勒效應
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如何應對不間斷電源(UPS)設(shè)計挑戰(zhàn)
電池供電的不間斷電源(UPS)在保護數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)施、工廠、電信樞紐甚至家庭中的敏感設(shè)備免受短期電網(wǎng)尖峰和停電影響方面非常重要。在停電時間較長的情況下，它們能夠提供必要的短期電力，以實現(xiàn)有準備的斷電，防止數(shù)據(jù)丟失。
2022-09-29
不間斷電源 電路設(shè)計
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電源設(shè)計器件布局和布線要點
在電源設(shè)計中，精心的布局和布線對于能否實現(xiàn)出色設(shè)計至關(guān)重要，要為尺寸、精度、效率留出足夠空間，以避免在生產(chǎn)中出現(xiàn)問題。我們可以利用多年的測試經(jīng)驗，以及布局工程師具備的專業(yè)知識，最終完成電路板生產(chǎn)。
2022-09-26
電源設(shè)計 布局
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什么是dV/dt失效
如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發(fā)生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
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【無電感】小尺寸 AMOLED 電源芯片
SGM38045 是圣邦微電子重點推出的一顆專門為智能手環(huán)、智能手表等小尺寸 AMOLED 顯示屏提供 AVDD、ELVDD、ELVSS 的無電感電源管理芯片。
2022-09-21
AMOLED 電源芯片
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MEMS麥克風已成消費市場的主流產(chǎn)品選擇
麥克風已經(jīng)是眾多電子產(chǎn)品中內(nèi)置的標準器件，從可穿戴設(shè)備到家庭助理，越來越多的設(shè)備被要求“聽到”它們的環(huán)境，并隨之做出相對的反應。本文將全面概述麥克風類型和基本原理，以及CUI Devices微機電系統(tǒng)（MEMS）麥克風的產(chǎn)品特性。
2022-08-29
MEMS麥克風 消費市場
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