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孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場效應晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認為當應用需要更高電壓時，使用氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是，如果只是考慮開關品質(zhì)因數(shù)，相比先進的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場效應晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應用中的性能到底怎樣？且聽本文細細分解。
2013-05-16
氮化鎵場效應晶體管 硅功率器件
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僅有120ns最大傳播延遲的門驅(qū)動光電耦合器
近日，Avago Technologies推出二組新高速門驅(qū)動光電耦合器產(chǎn)品ACPL-P/W345和ACPL-P/W346，這些器件在設計上為用來保護和驅(qū)動功率MOSFET或碳化硅MOSFET的1A和2.5A門驅(qū)動光電耦合器，適合如變頻器、電機控制和開關電源(SPS)等高頻率應用。相較于Avago前一代產(chǎn)品，ACPL-P/W345和ACPL-P/W346在傳播延遲...
2013-05-15
光電耦合器 傳播延遲
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電源轉(zhuǎn)換新時代的來臨：IR開始商業(yè)裝運GaN器件
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當今最先進的硅功率器件技術，氮化鎵技術平臺能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻玫男阅苤笖?shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
IR GaN 電源轉(zhuǎn)換
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硅功率MOSFET前景堪憂？
30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場快速接受開關電源，硅功率MOSFET成為很多應用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期；然而與此同時，增強型GaN HEMT器件在開關性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領市場。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？
2013-05-15
MOSFET 電源轉(zhuǎn)換 GaN
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IGBT在太陽能應用中的高能效設計
對于太陽能逆變器來說，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高載流能力、以電壓而非電流進行控制，并能使逆并聯(lián)二極管與IGBT配合。本文將介紹如果利用全橋逆變器拓撲及選用合適的IGBT，使太陽能應用的功耗降至最低。
2013-05-14
IGBT 太陽能 逆變器 高能效
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第三講：基于MOSFET的高能效電源設計
通過結(jié)合改進的電源電路拓撲和概念與改進的低損耗功率器件，開關電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能...
2013-05-14
MOSFET 高能效 電源
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EMC領軍企業(yè)揮師西部 大舉搶占軍工、航天、通信市場 ——直面中國制造業(yè)向西部的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移，先入為主，占領中國西部市場！
“ 中國(西部)EMC應用技術展”是電磁兼容技術面向航天、軍工、通信領域的國際盛會。 成都，中國西部大開發(fā)的龍頭城市，中國重要的基礎電子裝備基地、航天、軍品電子中心。
2013-05-13
EMC
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中國電子展助力西部——中國電子展6月亮相成都 全面展示工業(yè)和軍工電子技術解決方案
電子信息是成都第一支柱產(chǎn)業(yè)之一。四川電子信息產(chǎn)業(yè)是一極一基地四帶多園區(qū)，其中“一極”即是成都。在這里，電子信息產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值在全省占50%左右，軟件占90%以上。始于英特爾來蓉、富士康、仁寶、緯創(chuàng)、德州儀器等世界IT巨頭紛至沓來……眼下，世界500強企業(yè)中超過40家電子類企業(yè)來蓉布局，全球軟件20強中...
2013-05-13
中國電子展
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西部電子行業(yè)發(fā)展前沿 參觀注冊好禮相送
2013年6月20—22日，中國電子展（CEF）系列展覽之一的“2013中國（成都）電子展” (www.icef.com.cn )將在成都世紀城新國際會展中心召開。在20000平方米的展廳中，將匯集國內(nèi)外的600余家領軍企業(yè)參展，12場專業(yè)研討會和高峰論壇。
2013-05-13
西部電子
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