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晶閘管和IGBT功率開(kāi)關(guān)器件的保護(hù)作用對(duì)比
由于晶閘管自身特性參數(shù)的原因，其極限工作頻率一般限制在8KC以下，對(duì)于更高頻率的使用要求，目前國(guó)內(nèi)已經(jīng)出現(xiàn)采用IGBT作為功率開(kāi)關(guān)元件的超音頻電源。目前的使用情況看，采用IGBT作為開(kāi)關(guān)元件的靜止變頻電源的故障率明顯較低，元器件損壞的較少，維修費(fèi)用也較低，是靜止變頻技術(shù)新的發(fā)展方向。
2013-01-08
晶閘管 IGBT 功率開(kāi)關(guān)
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防護(hù)ESD的新方案
防護(hù)ESD現(xiàn)象可用電路或元件集成來(lái)進(jìn)行改善，但目前在電子電路縮小化的趨勢(shì)下，傳統(tǒng)防護(hù)ESD可用PCB走線或電子元件改善的應(yīng)用方針，目前已經(jīng)相對(duì)不適用，反而是采取集成型的TVS元件來(lái)因應(yīng)ESD防護(hù)需求，漸成為常見(jiàn)的設(shè)計(jì)形式。
2013-01-08
ESD TVS 防護(hù)
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檢流放大器過(guò)壓保護(hù)運(yùn)用實(shí)例
檢流放大器的瞬態(tài)過(guò)壓保護(hù)。采用不同的輸入保護(hù)電阻R1和R2 (分別為2kΩ和1kΩ)，可以避免輸入失調(diào)電壓引起的額外誤差，能夠平衡放大器偏置電流不均衡造成的影響。
2013-01-08
放大器 檢流 過(guò)壓保護(hù)
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具有高效率和短路過(guò)熱保護(hù)特性的模塊電源
金升陽(yáng)推出DC/DC微功率小的模塊電源B-T-3W系列。高達(dá)85%的效率、低至25mV的反射紋波電流、短路過(guò)熱保護(hù)等的特性，使產(chǎn)品擁有了更高的性價(jià)比。
2013-01-08
高效率 過(guò)熱保護(hù) 模塊電源
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具有低工作電壓和高精度特點(diǎn)的CMOS運(yùn)放
新日本無(wú)線提供四款新型CMOS運(yùn)放，產(chǎn)品除了有超低功耗之外，還有低工作電壓、高精度、低偏置電流、軌至軌輸入輸出等特點(diǎn)最適合于傳感器電路。
2013-01-08
CMOS運(yùn)放 高精度 低電壓
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可選擇有效電源來(lái)向負(fù)載供電的PowerPath控制器
凌力爾特發(fā)表用于2.5V~36V系統(tǒng)的PowerPath控制器，大幅簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，可從常見(jiàn)于手持設(shè)備和高可用性電子的多個(gè)不同電壓源產(chǎn)生電力。
2013-01-08
控制器 負(fù)載 MOSFET
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關(guān)于一種高性能的交流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)
目前我國(guó)在用電高峰期，電網(wǎng)超負(fù)荷運(yùn)行，電網(wǎng)電壓太低，而在用電低谷期，電網(wǎng)電壓太高，這種電壓大幅度波動(dòng)的現(xiàn)象，很容易給一些用電設(shè)備帶來(lái)?yè)p害。特別是不斷出現(xiàn)的各種智能化儀器儀表、個(gè)人電腦等家用電器，對(duì)電源質(zhì)量的要求越來(lái)越高，這就需要研制一種高性能的交流穩(wěn)壓電源。
2013-01-07
交流穩(wěn)壓電源
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應(yīng)用于變電站直流系統(tǒng)的新型高頻開(kāi)關(guān)充電電源
目前，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上應(yīng)用的充電電源主要有磁飽和充電機(jī)、晶閘管整流器和高頻開(kāi)關(guān)充電電源等三類(lèi)，其中前二者技術(shù)成熟，推廣應(yīng)用的時(shí)間已久，使用面也很廣。但由于受控制技術(shù)和元器件特性的限制，仍存在許多不足之處。
2013-01-07
變電站直流系統(tǒng) 高頻開(kāi)關(guān)充電電源
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通過(guò)建立優(yōu)化模型和目標(biāo)函數(shù)實(shí)現(xiàn)電化學(xué)整流電源電聯(lián)接
電化學(xué)整流電源是一種高耗能設(shè)備，提高整流效率、降低額外損耗是這類(lèi)電力電子變換裝置的一個(gè)重要的課題。隨著大功率器件制造水平的提高以及壓接工藝技術(shù)的改進(jìn)，均流問(wèn)題也不再突出，所以從效率、損耗方面進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)是必要的。
2013-01-07
優(yōu)化模型 目標(biāo)函數(shù) 電化學(xué)整流電源
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