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開(kāi)關(guān)變壓器第四講 直流脈沖對(duì)鐵芯的磁化
直流脈沖對(duì)鐵芯的磁化過(guò)程類(lèi)似電容器充、放電，不同之處在于當(dāng)電流消失之后鐵芯中存在剩磁。經(jīng)過(guò)N個(gè)直流脈沖之后，磁通密度和磁場(chǎng)強(qiáng)度以及磁矯頑力三者之間會(huì)形成一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡點(diǎn)，使變壓器鐵芯中的最大磁通密度Bm和剩余磁通密度Br能夠達(dá)到相對(duì)穩(wěn)定。具體分析請(qǐng)看文中圖形。
2009-07-02
鐵芯的磁化
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西部電子論壇：聚焦工業(yè)和新興電子技術(shù)市場(chǎng)
西部電子論壇：聚焦工業(yè)和新興電子技術(shù)市場(chǎng)
2009-07-02
西部電子論壇 電子技術(shù) 新興電子 XCEF
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超級(jí)電容器在電動(dòng)車(chē)上的應(yīng)用
超級(jí)電容器電動(dòng)車(chē)以其優(yōu)異的性能、低成本以及零排放建立了全新的交通運(yùn)輸電動(dòng)車(chē)的設(shè)計(jì)思想。綜述了超級(jí)電容器的基本原理和特點(diǎn)，介紹了超級(jí)電容器在純電動(dòng)車(chē)與混合動(dòng)力車(chē)上的應(yīng)用及發(fā)展。
2009-06-30
超級(jí)電容器 電動(dòng)車(chē) 能量密度 燃料電池
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北電沒(méi)落 全球電信設(shè)備市場(chǎng)格局將如何演變
金融危機(jī)只是壓垮北電的最后一根稻草，而絕非成為北電走到今天的全部理由。在全球電信業(yè)正經(jīng)歷深刻巨變時(shí)代的大背景下，北電不是第一個(gè)倒下的巨人，也絕不是最后一個(gè)。北電的沒(méi)落，將對(duì)全球電信設(shè)備市場(chǎng)格局帶來(lái)怎樣的改變？
2009-06-30
北電 CDMA LTE 諾基亞 西門(mén)子 中興通訊
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WSR系列：Vishay推出5W功率的表面貼裝電阻
Vishay Intertechnology推出在4527封裝尺寸內(nèi)提供5W額定功率的電阻，WSR5的尺寸僅有0.455英寸 x 0.275英寸(11.56 mm x 6.98 mm)，厚度僅有0.095英寸(2.41 mm)，為汽車(chē)系統(tǒng)中的電子控制裝置、通信基站中的電源、高端工作站和服務(wù)器中的DC-DC轉(zhuǎn)換器和VRM提供了緊湊的5W方案。
2009-06-30
WSR5 WSR2 WSR3 4527封裝 Power Metal Strip電阻
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TDK榮獲中國(guó)電子元件百?gòu)?qiáng)第九名
6月16日，由中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)主辦的“第22屆中國(guó)電子元件百?gòu)?qiáng)論壇暨2009中國(guó)電子元件產(chǎn)業(yè)峰會(huì)”在寧波召開(kāi)。 為擴(kuò)大品牌影響力，做大做強(qiáng)電子材料、電子元件等核心基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，繼續(xù)推進(jìn)公司發(fā)展戰(zhàn)略，TDK(中國(guó))投資有限公司首 次決定以中國(guó)公司面貌整體申報(bào)元件百?gòu)?qiáng)，并榮獲第九名。
2009-06-30
TDK 電子元件百?gòu)?qiáng) 環(huán)保
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RF屏蔽殼體的設(shè)計(jì)
同樣的道理也適用于殼體的設(shè)計(jì)。因此某些很可能出現(xiàn)的問(wèn)題作為影響因素必須在殼體的設(shè)計(jì)過(guò)程中予以考慮。設(shè)計(jì)者需要處理輻射發(fā)射、輻射敏感度、感性或者容性串?dāng)_以及這些問(wèn)題的組合嗎？另外，這些問(wèn)題是源自平面波、電場(chǎng)或者磁場(chǎng)耦合嗎？如果被保護(hù)的設(shè)備僅對(duì)磁場(chǎng)敏感或者只產(chǎn)生磁場(chǎng)，那么為向其提...
2009-06-30
電磁干擾 電磁屏蔽 外殼設(shè)計(jì) 縫隙設(shè)計(jì)
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SiZ700DT: Vishay單封裝雙不對(duì)稱(chēng)功率MOSFET器件
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出在一個(gè)封裝內(nèi)集成一對(duì)不對(duì)稱(chēng)功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間
2009-06-29
SiZ700DT MOSFET PowerPAIR TrenchFET
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MEMS振蕩器技術(shù)設(shè)計(jì)概要
MEMS振蕩器具備易用、焊盤(pán)結(jié)構(gòu)、功能兼容的優(yōu)點(diǎn)，可直接取代舊式生產(chǎn)的石英組件。提供更小、更薄的MEMS振蕩器應(yīng)用在手持式裝置內(nèi)，一直是廠(chǎng)商設(shè)計(jì)關(guān)注的焦點(diǎn)。MEMS技術(shù)也正在藉由各種方式，對(duì)傳統(tǒng)石英產(chǎn)業(yè)進(jìn)行“硅化工程”。
2009-06-29
MEMS振蕩器 可編程振蕩器 MEMS技術(shù)
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