【導(dǎo)讀】在AI算力爆發(fā)式增長(zhǎng)的洪流中，從臺(tái)積電WMCM技術(shù)的量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，到英特爾EMIB與玻璃基板的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，再到三星全產(chǎn)業(yè)鏈的加速商用，國(guó)際巨頭正以前所未有的速度重構(gòu)高端封裝格局。與此同時(shí)，長(zhǎng)電科技、通富微電等本土領(lǐng)軍企業(yè)亦在CPO光電合封與大尺寸FCBGA領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵突圍，掀起國(guó)產(chǎn)替代的新浪潮。這一年，先進(jìn)封裝不再僅僅是芯片制造的“后道工序”，而是決定AI、HPC及自動(dòng)駕駛未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)力的戰(zhàn)略高地，一場(chǎng)關(guān)于技術(shù)迭代與產(chǎn)能擴(kuò)張的“快馬奔騰”之勢(shì)已然全面形成。

臺(tái)積電、英特爾、三星領(lǐng)跑爭(zhēng)霸

在先進(jìn)封裝賽道，國(guó)際龍頭企業(yè)憑借技術(shù)積累與資金優(yōu)勢(shì)，率先開啟規(guī)?；季郑劢垢叨思夹g(shù)突破與產(chǎn)能落地。

01.臺(tái)積電：WMCM量產(chǎn)在即

作為先進(jìn)封裝領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，臺(tái)積電持續(xù)加大投入，核心聚焦WMCM封裝技術(shù)的量產(chǎn)落地與產(chǎn)能擴(kuò)張。

據(jù)悉，臺(tái)積電的WMCM（晶圓級(jí)多芯片模組）封裝技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，該技術(shù)是在CoWoS基礎(chǔ)上的終極演化，核心創(chuàng)新在于以重布線層（RDL）替代傳統(tǒng)Interposer中介層，可將內(nèi)存與CPU、GPU、NPU集成于同一晶圓，極大縮短信號(hào)傳輸路徑，顯著提升互連密度與散熱性能，將適配蘋果iPhone 18搭載的A20系列芯片，配合2nm制程實(shí)現(xiàn)性能躍升。

產(chǎn)能布局方面，臺(tái)積電計(jì)劃在嘉義AP7工廠新建WMCM生產(chǎn)線，目標(biāo)2026年底實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓，2027年產(chǎn)能將進(jìn)一步翻倍至12萬(wàn)片；同時(shí)升級(jí)龍?zhí)禔P3工廠現(xiàn)有的InFO設(shè)備，完善產(chǎn)能矩陣。

02.英特爾：EMIB技術(shù)升級(jí)

根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，隨著云端服務(wù)業(yè)者（CSP）加速自研ASIC，為整合更多復(fù)雜功能的芯片，對(duì)封裝面積的需求不斷擴(kuò)大，已有CSP開始考量轉(zhuǎn)向Intel（英特爾）的EMIB技術(shù)。

在2026年NEPCON日本電子展上，英特爾展示了結(jié)合EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）與玻璃基板的最新封裝樣品，進(jìn)一步優(yōu)化芯片互連性能，適配高端AI芯片的需求。

EMIB擁有數(shù)項(xiàng)優(yōu)勢(shì)：首先是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化，EMIB舍棄昂貴且大面積的中介層，直接利用內(nèi)嵌于載板的硅橋（Bridge）實(shí)現(xiàn)芯片互連，簡(jiǎn)化整體結(jié)構(gòu)，相對(duì)于CoWoS良率更高。其次是熱膨脹系數(shù)（Coefficient of Thermal Expansion,CTE）問(wèn)題較小，由于EMIB只在芯片邊緣嵌硅橋，整體硅比例低，因此硅與基板的接觸區(qū)域少，導(dǎo)致熱膨脹系數(shù)不匹配的問(wèn)題較小，較不容易產(chǎn)生封裝翹曲，可靠度面臨挑戰(zhàn)的情況也較少。

Intel耕耘EMIB先進(jìn)封裝技術(shù)多年，已應(yīng)用至自家Server CPU平臺(tái)Sapphire Rapids和Granite Rapids等。

合作與產(chǎn)能方面，英特爾與安靠攜手布局韓國(guó)仁川EMIB產(chǎn)線，承接英特爾及外部客戶訂單，緩解先進(jìn)封裝產(chǎn)能短缺壓力。

據(jù)英特爾首席財(cái)務(wù)官透露，先進(jìn)封裝的訂單預(yù)計(jì)將擴(kuò)大到10億美元以上，2026年EMIB有望進(jìn)入主流產(chǎn)品，成為英特爾代工業(yè)務(wù)扭虧為盈的重要支撐。

03.三星：玻璃基板加速商用

三星集團(tuán)協(xié)同旗下子公司，在2026年初加快先進(jìn)封裝領(lǐng)域的布局，重點(diǎn)推進(jìn)玻璃基板商用化與散熱技術(shù)升級(jí)，構(gòu)建全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同優(yōu)勢(shì)。

三星電機(jī)正加速半導(dǎo)體玻璃基板的商用化進(jìn)程，已對(duì)組織架構(gòu)進(jìn)行調(diào)整，將半導(dǎo)體玻璃基板業(yè)務(wù)從先進(jìn)技術(shù)開發(fā)部門轉(zhuǎn)移至新成立的商業(yè)化部門，整合相關(guān)人員，全力推進(jìn)規(guī)模化生產(chǎn)。

目前，三星電機(jī)已與多家半導(dǎo)體客戶合作開展樣品開發(fā)，同時(shí)與日本住友化學(xué)集團(tuán)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，加速“玻璃芯”這一核心組件的生產(chǎn)與供應(yīng)，助力玻璃基板量產(chǎn)落地。

玻璃基板相比傳統(tǒng)有機(jī)基板，具有翹曲度小、可無(wú)縫集成微電路等優(yōu)勢(shì)，是下一代先進(jìn)封裝的核心材料，深受三星電子、英特爾、博通等行業(yè)巨頭的關(guān)注與布局。

與此同時(shí)，三星在芯片散熱領(lǐng)域持續(xù)突破，其Exynos 2600芯片搭載HPB散熱技術(shù)，配合先進(jìn)封裝工藝，有效解決多芯片集成后的散熱難題，進(jìn)一步提升芯片性能穩(wěn)定性，適配AI與高端移動(dòng)終端的需求。

長(zhǎng)電、通富等本土廠商蓄力突圍

本土封測(cè)企業(yè)如長(zhǎng)電科技、通富微電等龍頭企業(yè)憑借持續(xù)的技術(shù)研發(fā)與資金投入，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵突破，借助AI算力爆發(fā)的機(jī)遇，加速國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程，成為產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的重要新生力量。

01.長(zhǎng)電科技：樣品交付實(shí)現(xiàn)突破

長(zhǎng)電科技作為國(guó)內(nèi)封測(cè)龍頭，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域持續(xù)深耕，近期迎來(lái)技術(shù)落地的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。

今年1月21日，長(zhǎng)電科技宣布公司在光電合封（Co-packaged Optics，CPO）技術(shù)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。其基于XDFOI?多維異質(zhì)異構(gòu)先進(jìn)封裝工藝平臺(tái)的硅光引擎產(chǎn)品已完成客戶樣品交付，并在客戶端順利通過(guò)測(cè)試。

CPO通過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)光電器件與芯片的微系統(tǒng)集成，為下一代高性能計(jì)算系統(tǒng)提供了更緊湊、更高效的實(shí)現(xiàn)路徑。

02.通富微電：定增擴(kuò)產(chǎn)加碼

通富微電則通過(guò)定增募資、技術(shù)研發(fā)雙重發(fā)力，在2026年初加快先進(jìn)封裝領(lǐng)域的布局，聚焦汽車、存儲(chǔ)、晶圓級(jí)封測(cè)、HPC等核心賽道。

公司宣布定增不超過(guò)44億元，資金將投向汽車/存儲(chǔ)/晶圓級(jí)封測(cè)/HPC相關(guān)領(lǐng)域，進(jìn)一步擴(kuò)大先進(jìn)封裝產(chǎn)能，完善產(chǎn)能布局，搶抓AI與汽車電子帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)遇。

技術(shù)進(jìn)展方面，通富微電在業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)及投資者互動(dòng)中披露，大尺寸FCBGA封裝技術(shù)取得顯著進(jìn)展，超大尺寸FCBGA已進(jìn)入考核階段，有望逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

同時(shí)，CPO（共封裝光學(xué)）技術(shù)完成初步可靠性驗(yàn)證，該技術(shù)作為AI芯片高速互連的核心方案，可大幅提升芯片傳輸效率、降低功耗，適配高端AI算力需求。

AI算力驅(qū)動(dòng)下，先進(jìn)封裝快馬奔騰

綜合全球大廠的布局動(dòng)態(tài)來(lái)看，AI算力驅(qū)動(dòng)下2026年將成為先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)爆發(fā)的關(guān)鍵一年，產(chǎn)業(yè)也將呈現(xiàn)兩大趨勢(shì)：

首先，技術(shù)迭代持續(xù)加速，WMCM、EMIB、玻璃基板、混合鍵合等高端技術(shù)逐步走向規(guī)模化量產(chǎn)，推動(dòng)封裝工藝向更高集成度、更高傳輸效率、更低功耗升級(jí)。

其次，產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張，全球主要企業(yè)紛紛加碼先進(jìn)封裝產(chǎn)能，全球高端封裝產(chǎn)能將實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng)，緩解產(chǎn)能短缺壓力。

AI算力的爆發(fā)式需求已為先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)注入強(qiáng)勁動(dòng)力，全球大廠的密集布局，正推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)入“快馬奔騰”的發(fā)展階段。

對(duì)于國(guó)際龍頭而言，技術(shù)與產(chǎn)能的雙重優(yōu)勢(shì)將助力其持續(xù)領(lǐng)跑；對(duì)于本土企業(yè)而言，借助國(guó)產(chǎn)替代的東風(fēng)，依托技術(shù)突破與產(chǎn)能擴(kuò)張，有望實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展，逐步提升全球市場(chǎng)份額。

2026年，先進(jìn)封裝不僅將成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心增長(zhǎng)引擎，更將深刻影響AI、HPC、自動(dòng)駕駛等下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展格局，開啟后摩爾時(shí)代的產(chǎn)業(yè)新征程。

總結(jié)

WMCM、EMIB、玻璃基板及混合鍵合等前沿技術(shù)正從實(shí)驗(yàn)室快速走向規(guī)?；慨a(chǎn)，推動(dòng)芯片系統(tǒng)向更高集成度、更低功耗與更優(yōu)散熱性能演進(jìn)。國(guó)際龍頭憑借深厚的技術(shù)積淀與龐大的產(chǎn)能規(guī)劃持續(xù)領(lǐng)跑，而中國(guó)本土廠商則依托技術(shù)突破與資本助力，在細(xì)分賽道上加速縮小差距，構(gòu)建起多元化的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。