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Vishay擴(kuò)充其薄膜SMD電阻芯片家族應(yīng)用于宇航領(lǐng)域
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,擴(kuò)充其通過E/H MIL-PRF-55342認(rèn)證的薄膜表面貼裝電阻器芯片。這些芯片的外形尺寸為0505、1005、1505、0705、1206和1010,可為宇航級(jí)應(yīng)用提供“T”級(jí)可靠性。更大尺寸的產(chǎn)品也即將通過認(rèn)證。
2010-10-14
薄膜SMD電阻芯片 Vishay 軍工航天
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全球電子信息產(chǎn)業(yè)也正逐漸走出困境,部分領(lǐng)域呈現(xiàn)回暖跡象
2008年國際金融危機(jī)的爆發(fā)打破了電子信息產(chǎn)業(yè)繁榮增長的局面,使其開始進(jìn)入衰退階段,全球電子信息產(chǎn)業(yè)面臨著前所未有的挑戰(zhàn),產(chǎn)業(yè)規(guī)模增速放緩。而隨著世界經(jīng)濟(jì)總體呈現(xiàn)平穩(wěn)回升態(tài)勢(shì),全球電子信息產(chǎn)業(yè)也正逐漸走出困境,部分領(lǐng)域呈現(xiàn)回暖跡象,產(chǎn)業(yè)格局進(jìn)一步得到調(diào)整,電子信息產(chǎn)業(yè)即將迎來全面...
2010-10-13
電子信息產(chǎn)業(yè) 新興產(chǎn)業(yè) 金融危機(jī) 經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇
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揚(yáng)州聯(lián)能電子傳感器成功助力“嫦娥”奔月
承擔(dān)嫦娥二號(hào)衛(wèi)星發(fā)射任務(wù)的是“長征三號(hào)丙”運(yùn)載火箭。江蘇(揚(yáng)州)聯(lián)能電子公司總經(jīng)理劉建國先生昨透露,運(yùn)載火箭使用的30多只傳感器來自該公司,主要用于監(jiān)測(cè)火箭升天時(shí)的震動(dòng)和加速度。
2010-10-13
聯(lián)能電子 傳感器 “嫦娥” 奔月
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2010中國市場(chǎng)電子元器件領(lǐng)軍廠商隆重揭曉
在工信部和中國電子學(xué)會(huì)等領(lǐng)導(dǎo)單位的支持下,由中國電子展組委會(huì)主辦,電子元件技術(shù)網(wǎng)和《中國電子商情》組織實(shí)施的“2010中國市場(chǎng)電子元器件領(lǐng)軍廠商評(píng)選結(jié)果”今日隆重揭曉。共有28家國際和國內(nèi)電子元器件公司榮獲七個(gè)產(chǎn)品類別的“領(lǐng)軍廠商”和“最具成長公司”稱號(hào)。
2010-10-12
sh2010
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TM8系列:Vishay推出新型高可靠性固鉭電容器適用于醫(yī)療電子應(yīng)用
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款TM8系列高可靠性、表面貼裝、具有低至200nA的超低直流泄露電流(DCL)的鉭電容器。
2010-10-12
Vishay TM8系列 鉭電容器 醫(yī)療電子應(yīng)用
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我國電線電纜制造業(yè)的挑戰(zhàn)與機(jī)遇
電線電纜制造業(yè)雖然只是一個(gè)配套行業(yè),卻占據(jù)著中國電工行業(yè)四分之一的產(chǎn)值。它產(chǎn)品種類繁多,應(yīng)用范圍廣泛,是輸送電能、傳遞信息、制造各種電機(jī)儀器儀表、實(shí)現(xiàn)電磁能量轉(zhuǎn)換不可缺少的基礎(chǔ)性器材,是未來電氣化、信息化社會(huì)必要的基礎(chǔ)產(chǎn)品。近年來,由于線纜企業(yè)生存艱難,不少企業(yè)轉(zhuǎn)產(chǎn),實(shí)施多元...
2010-10-09
電線電纜制造業(yè) 新型能源 產(chǎn)能無序擴(kuò)張 產(chǎn)能過剩
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ASM:Setra發(fā)布高精度壓力傳感器滿足日益苛刻的測(cè)試系統(tǒng)
近期,全球高精度壓力測(cè)量領(lǐng)導(dǎo)廠商Setra(西特),正式發(fā)布一款革命性產(chǎn)品——ASM壓力傳感器,以滿足當(dāng)下各種復(fù)雜的測(cè)試系統(tǒng)對(duì)精度日益苛刻的要求。
2010-10-08
ASM 壓力傳感器 測(cè)試系統(tǒng)
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中國載人航天采用北京元六鴻遠(yuǎn)的獨(dú)石電容
北京元六鴻遠(yuǎn)電子技術(shù)有限公司帶來了曾在中國“神舟X號(hào)”載人飛船上經(jīng)過實(shí)際驗(yàn)證的獨(dú)石電容,其耐壓高達(dá)2000V,工作溫度范圍可從-55℃到+125℃,容量范圍在10PF到10uF(比一般瓷介電容器大),獨(dú)石電容的特點(diǎn)是溫度特性好,頻率特性好。一般電容隨著頻率的上升,電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律,但獨(dú)石電容下降比...
2010-09-27
航天 元六鴻遠(yuǎn) 獨(dú)石電容
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CMOS迎來轉(zhuǎn)折點(diǎn) 從15nm向立體晶體管過渡
邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計(jì)將在2013年前后15nm工藝達(dá)到量產(chǎn)水平時(shí)迎來重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)等知名半導(dǎo)體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后,估計(jì)也會(huì)對(duì)各公司的微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)...
2010-09-26
CMOS 晶體管 15nm工藝 立體
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