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“十二五”的中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)
自2009年下半年以來(lái)，我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)持續(xù)保持恢復(fù)性增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，走出了國(guó)際金融危機(jī)的負(fù)面影響，已進(jìn)入平穩(wěn)增長(zhǎng)階段。2010年1～10月，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)工業(yè)增加值同比增長(zhǎng)17.7%，高于工業(yè)平均水平1.6個(gè)百分點(diǎn)；實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售產(chǎn)值50589億元，同比增長(zhǎng)25.9%，比2008年同期增長(zhǎng)24.7%；出口交貨值29651...
2010-12-24
十二五 電子信息 產(chǎn)業(yè)
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教你如何辨別手機(jī)電池真?zhèn)?/span>
手機(jī)電池的使用壽命是有限的，所以有時(shí)候手機(jī)還好好的，但電池已經(jīng)很不經(jīng)用了，這個(gè)時(shí)候，買(mǎi)一塊新的手機(jī)電池就成為必須的了。作為一個(gè)手機(jī)用戶(hù)，面對(duì)市場(chǎng)上泛濫成災(zāi)的假冒偽劣電池該如何選擇呢?下面，筆者就教你幾招，希望能幫助大家提高對(duì)手機(jī)電池的認(rèn)識(shí)。
2010-12-24
手機(jī)電池 使用壽命 氫鎳
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中國(guó)南車(chē)為中國(guó)首套直流融冰兼靜止無(wú)功補(bǔ)償裝置提供核心器件
湖南益陽(yáng)500kV復(fù)興變電站，2010年12月14日——由中國(guó)南車(chē)提供核心器件的中國(guó)首套500kV固定直流兼靜止無(wú)功補(bǔ)償裝置成功完成6000A融冰試驗(yàn)，這是我國(guó)國(guó)內(nèi)融冰裝置進(jìn)行的最大電流的融冰試驗(yàn)。
2010-12-23
中國(guó)南車(chē) 核心器件 直流融冰 靜止無(wú)功補(bǔ)償裝置
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2011第六屆中國(guó)（青島）國(guó)際LED展覽會(huì)
2011第六屆青島國(guó)際LED展覽會(huì)經(jīng)過(guò)五屆的發(fā)展，已成為山東省規(guī)模最大、影響力最廣的專(zhuān)業(yè)展會(huì)。2011第六屆青島國(guó)際LED展覽會(huì)以“ 突出品牌、開(kāi)拓創(chuàng)新、注重實(shí)效、強(qiáng)化服務(wù)”為辦展宗旨，以“環(huán)保節(jié)能、時(shí)尚生活”為主題，凝聚了照明行業(yè)最前沿的技術(shù)、產(chǎn)品。
2010-12-23
2011第六屆中國(guó)（青島）國(guó)際LED展覽會(huì)
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工信部：2011年電子行業(yè)增速預(yù)計(jì)下滑
工信部近日消息稱(chēng)，工業(yè)和信息化部運(yùn)行監(jiān)測(cè)協(xié)調(diào)局在京召開(kāi)了彩電、集成電路、軟件、計(jì)算機(jī)、手機(jī)五個(gè)行業(yè)的重點(diǎn)企業(yè)座談會(huì)，會(huì)議認(rèn)為，明年影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展的因素較為復(fù)雜，在今年基數(shù)較高的基礎(chǔ)上，預(yù)計(jì)主要行業(yè)增速會(huì)有所下滑...
2010-12-23
電子行業(yè) 張忠謀
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智能手機(jī)成無(wú)線通信市場(chǎng)“寵兒”
手機(jī)不僅能打電話發(fā)短信，更將逐步代替電腦甚至游戲機(jī)。近日，在2010年高通公司中國(guó)合作伙伴大會(huì)上，高通公司高級(jí)副總裁克里斯蒂安諾·阿蒙表示，無(wú)線行業(yè)目前已成為整個(gè)消費(fèi)電子產(chǎn)品中最大的一個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域，手機(jī)的數(shù)量將全面超越游戲機(jī)和PC。
2010-12-23
智能手機(jī) 無(wú)線通信 消費(fèi)電子
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CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管
CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員?；鹦鞘且粋€(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ℃至+225℃高溫可靠運(yùn)作。 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流。所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如...
2010-12-23
CISSOID 高溫度 30V 小訊號(hào) P-FET 場(chǎng)效應(yīng)管
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CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管
CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員?；鹦鞘且粋€(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ℃至+225℃高溫可靠運(yùn)作。 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流。所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如...
2010-12-23
CISSOID 高溫度 30V 小訊號(hào) P-FET 場(chǎng)效應(yīng)管
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CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管
CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員。火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ℃至+225℃高溫可靠運(yùn)作。 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流。所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如...
2010-12-23
CISSOID 高溫度 30V 小訊號(hào) P-FET 場(chǎng)效應(yīng)管
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