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半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動(dòng)方案選擇：變壓器還是硅芯片？
在節(jié)能環(huán)保意識(shí)的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動(dòng)下，提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識(shí)。與反激、正激、雙開(kāi)關(guān)反激、雙開(kāi)關(guān)正激和全橋等硬開(kāi)關(guān)技術(shù)相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對(duì)稱半橋(AHB)及移相全橋等軟開(kāi)關(guān)技術(shù)能提供更高的能效。因此，在注重高能效的應(yīng)用中，軟開(kāi)關(guān)...
2010-03-16
半橋拓?fù)?nbsp; MOSFET 驅(qū)動(dòng) 變壓器 硅芯片
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卓越技術(shù) 非凡品質(zhì)
——訪泰克公司亞太區(qū)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)經(jīng)理孫志強(qiáng)卓越技術(shù) 非凡品質(zhì)
2010-03-16
卓越技術(shù) 非凡品質(zhì)
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TCL、華星光電、三星、LGD將重磅出擊！參加5月深圳光電顯示周
深圳光電顯示周
2010-03-16
深圳光電顯示周
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RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
RS Components宣布，通過(guò)其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。
2010-03-16
RS 三洋半導(dǎo)體 MOSFET IGBT 晶體管
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中國(guó)創(chuàng)新進(jìn)一步開(kāi)拓新光源 迎接全LED時(shí)代
全界各地在LED技術(shù)的應(yīng)用漸趨多元化，反映產(chǎn)品的普及與認(rèn)可程度日增，業(yè)內(nèi)人士預(yù)料，LED產(chǎn)業(yè)有望急速發(fā)展。按照目前的增長(zhǎng)速度估計(jì)，料年內(nèi)全國(guó)LED產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將超過(guò)1500億元人民幣，「全LED時(shí)代」有望在2015年到來(lái)。
2010-03-16
LED 新光源 路燈 照明
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恩智浦交付第10億枚ICODE芯片：標(biāo)簽市場(chǎng)的選擇
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors ）日前宣布交付第 10億枚ICODE 芯片—— ICODE 系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)里程碑式突破
2010-03-16
恩智浦 ICODE芯片 標(biāo)簽
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SDS1000CM系列:鼎陽(yáng)科技推出2M存儲(chǔ)深度示波器
SDS1000CM系列是siglent厚積薄發(fā)強(qiáng)勢(shì)推出的一款數(shù)字示波器，實(shí)時(shí)采樣率高達(dá)1G，最大帶寬高達(dá)150MHz，擁有同級(jí)別產(chǎn)品中最大的2Mpts存儲(chǔ)深度，6M記錄長(zhǎng)度的波形記錄儀，最長(zhǎng)可以連續(xù)記錄33.33小時(shí)，人性化的操作界面，PC遠(yuǎn)程控制支持。這一切都為了追求卓越的您擁有一臺(tái)更容易縱覽信號(hào)全局，洞察信號(hào)...
2010-03-16
SDS1000CM 鼎陽(yáng)科技 2M 示波器
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車用鋰電池成本下降幅度預(yù)測(cè)
制約充電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車、純電動(dòng)汽車大規(guī)模市場(chǎng)化應(yīng)用的一大因素是其鋰電池成本較高，并且能量密度較低。而這兩大問(wèn)題都在不斷的解決中，這兩個(gè)問(wèn)題將不再是問(wèn)題，新的問(wèn)題將產(chǎn)生。
2010-03-16
電動(dòng)汽車 鋰電池 成本 下降趨勢(shì)
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電子元器件行業(yè)漲幅達(dá)到3.51%
2010年3月4日，元器件行業(yè)漲幅達(dá)到3.51%.元器件行業(yè)的市場(chǎng)表現(xiàn)反映了市場(chǎng)對(duì)其成長(zhǎng)性的良好預(yù)期。從近期上市公司公布的2009年年報(bào)和業(yè)績(jī)預(yù)告來(lái)看，多數(shù)公司2009年四季度的業(yè)績(jī)好于市場(chǎng)預(yù)期。多數(shù)公司2009年業(yè)績(jī)相比2008年出現(xiàn)增長(zhǎng)。展望2010年行業(yè)景氣，從1月份來(lái)看，出口仍然延續(xù)了較好的勢(shì)頭。
2010-03-16
電子元器件 半導(dǎo)體 SIA
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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