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Gartner：硅晶圓市場(chǎng)將復(fù)蘇 2010年增長(zhǎng)23%
市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Gartner表示，09年第三季度，全球?qū)杈A需求環(huán)比增長(zhǎng)17% ，2009年對(duì)全球硅晶圓需求整體下滑幅度好于之前預(yù)期。但預(yù)計(jì)2010年第二季度會(huì)開始恢復(fù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，硅晶圓年度增長(zhǎng)率將為23.4%。
2009-12-21
硅晶圓 Gartner 復(fù)蘇
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Gartner：硅晶圓市場(chǎng)將復(fù)蘇 2010年增長(zhǎng)23%
市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Gartner表示，09年第三季度，全球?qū)杈A需求環(huán)比增長(zhǎng)17% ，2009年對(duì)全球硅晶圓需求整體下滑幅度好于之前預(yù)期。但預(yù)計(jì)2010年第二季度會(huì)開始恢復(fù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，硅晶圓年度增長(zhǎng)率將為23.4%。
2009-12-21
硅晶圓 Gartner 復(fù)蘇
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FXO-LC32 系列：FXO推出新款2.5伏XpressO XO LVDS振蕩器
Fox Electronics 最近推出了 FXO-LC32 系列低壓差分信號(hào) (LVDS) 振蕩器，擴(kuò)充 XpressO XO LVDS 振蕩器系列。新款2.5伏 XpressO 晶體振蕩器采用更小的 3.2mm x 2.5mm 封裝，穩(wěn)定性高達(dá) ±25ppm，擁有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括占用空間(footprint)和腳位(pin-out)。
2009-12-21
FXO-LC32 Fox LVDS 振蕩器 XpressO
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FXO-LC32 系列：FXO推出新款2.5伏XpressO XO LVDS振蕩器
Fox Electronics 最近推出了 FXO-LC32 系列低壓差分信號(hào) (LVDS) 振蕩器，擴(kuò)充 XpressO XO LVDS 振蕩器系列。新款2.5伏 XpressO 晶體振蕩器采用更小的 3.2mm x 2.5mm 封裝，穩(wěn)定性高達(dá) ±25ppm，擁有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括占用空間(footprint)和腳位(pin-out)。
2009-12-21
FXO-LC32 Fox LVDS 振蕩器 XpressO
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2010十大科技猜想：超級(jí)電容車將面世
美國(guó)某雜志網(wǎng)站近日對(duì)2010年的科技發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了分析，并預(yù)測(cè)2010年或?qū)⑷〉弥卮笱芯窟M(jìn)展的十大科技產(chǎn)品或科技概念，其中包括仿人機(jī)器人、“超級(jí)電容”動(dòng)力汽車，和直接碳燃料技術(shù)等。
2009-12-21
2010 科技猜想 超級(jí)電容車 機(jī)器人
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OPA653/OPA659：TI推出業(yè)界速度最快的JFET輸入放大器
德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運(yùn)算放大器，其可實(shí)現(xiàn)3 倍于同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應(yīng)。
2009-12-21
OPA653 OPA659 TI JFET 放大器
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電子元器件業(yè)景氣期將至 相關(guān)公司擴(kuò)張產(chǎn)能
電子元器件類上市公司近期的擴(kuò)張產(chǎn)能動(dòng)作趨于頻繁。通富微電近日公告，將在未來(lái)三年投入10億元進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張。此前，拓日新能宣布8.5億元在陜西投建光伏電池生產(chǎn)線項(xiàng)目，華天科技董事會(huì)審議通過(guò)DFN型微小形封裝集成電路生產(chǎn)線技術(shù)改造項(xiàng)目，總投資為2億元。
2009-12-21
電子元器件 景氣期將至 公司擴(kuò)張 半導(dǎo)體
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DDR測(cè)試系列之二——使用力科WaveScan技術(shù)分離DDR讀寫周期
測(cè)量DDR2存儲(chǔ)設(shè)備需要把讀/寫的訪問(wèn)周期分離開來(lái)。在DDR2中通過(guò)Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來(lái)讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時(shí)Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時(shí)Strobe的跳變則領(lǐng)先于Data。我們利用這種時(shí)序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。
2009-12-18
DDR測(cè)試 力科 WaveScan 分離讀寫周期
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DDR測(cè)試系列之三—— 某SDRAM時(shí)鐘分析案例
SDRAM時(shí)鐘分析案例:串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時(shí)鐘端接策略，在原理圖設(shè)計(jì)中，需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容，如果MCU輸出的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)能力弱，可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。準(zhǔn)確的測(cè)量?jī)?nèi)存時(shí)鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無(wú)源探頭在高頻時(shí)阻抗太小，不能準(zhǔn)確的測(cè)量波形，需要使用高帶...
2009-12-18
DDR 測(cè)試 SDRAM 時(shí)鐘分析
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