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射頻輻射電磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

在新版標(biāo)準(zhǔn)里對(duì)試驗(yàn)的嚴(yán)酷等級(jí)分為一般試驗(yàn)等級(jí)和針對(duì)數(shù)字無線電話的射頻輻射而設(shè)定的試驗(yàn)等級(jí)。

2011-12-22

射頻輻射射頻輻射電磁場(chǎng)抗擾度抗干擾度標(biāo)準(zhǔn)

威世Power Metal Strip儀表分流電阻獲電子產(chǎn)品世界“2011編輯推薦”獎(jiǎng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的WSMS2908 Power Metal Strip?儀表分流電阻榮獲《電子產(chǎn)品世界》(EEPW)的“2011編輯推薦”獎(jiǎng)，該雜志是中國(guó)重要的專業(yè)類刊物。

2011-12-22

儀表分流電阻 Vishay Power Metal Strip

靜電放電抗擾度試驗(yàn)

關(guān)于不接地設(shè)備的試驗(yàn)配置，新版標(biāo)準(zhǔn)與舊版標(biāo)準(zhǔn)的配置是相同的。關(guān)鍵是在單次放電時(shí)（無論是空氣的，還是接觸的），試品上的電荷應(yīng)當(dāng)在每次施加靜電放電脈沖之前先行釋放（釋放掉在需要施加靜電放電的金屬點(diǎn)或金屬部位上的電荷）。

2011-12-22

靜電放電抗擾度靜電放電靜電

角多路技術(shù)在準(zhǔn)分子激光放大器中的應(yīng)用

對(duì)于準(zhǔn)分子激光放大器，由于激活介質(zhì)的上能態(tài)儲(chǔ)能時(shí)間很短，必須連續(xù)補(bǔ)充瞬態(tài)儲(chǔ)能(Em)才能獲得高能輸出，即E=EmT/t，其中T是增益時(shí)間，t是增益恢復(fù)時(shí)間。對(duì)于電子束泵浦的準(zhǔn)分子激光放大器，增益時(shí)間可以長(zhǎng)達(dá)200ns，T/t≈100，這意味著對(duì)于單個(gè)要放大的短脈沖，只能提取出很小一部分能量。為了持續(xù)提...

2011-12-22

激光放大器增益時(shí)間編碼

FPGA測(cè)試方案隨需而變

隨著FPGA技術(shù)的發(fā)展，大容量、高速率和低功耗已經(jīng)成為FPGA的發(fā)展重點(diǎn)，也對(duì)FPGA測(cè)試提出了新的需求。本文根據(jù)FPGA的發(fā)展趨勢(shì)，討論了FPGA測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)，并提出了基于測(cè)試儀表的FPGA測(cè)試方案。

2011-12-22

FPGA 低功耗 RTO

判別端子晶體管測(cè)試儀

由于晶體管的基-集電極反偏擊穿電壓各不相同，因此電路提供了一種改變電源電壓的簡(jiǎn)單方式（圖3）。隨著電壓的升高，與發(fā)射極連接的兩只LED都發(fā)光，而集電極只有一個(gè)LED發(fā)光（圖2中b和d）。±4V的基本電壓足夠用于檢測(cè)晶體管的基極或類型。如將電源電壓從±4V增至±15V，就可以測(cè)試很多種晶體管的發(fā)射極...

2011-12-22

晶體管測(cè)試儀發(fā)射極集電極

VA液晶顯示器光程差測(cè)量方法分析

隨著液晶顯示器的不斷發(fā)展，對(duì)顯示對(duì)比度提出了更高的要求。使用垂直排列的液晶顯示器即VA 液晶顯示器，可以更好地減少底部漏光，更大地提高顯示對(duì)比度。VA 液晶顯示器盒內(nèi)液晶分子的排列方式是垂直排列，因此采用現(xiàn)有常用的光程差測(cè)試設(shè)備如CG- 200，無法測(cè)量出VA 液晶顯示器的光程差。根據(jù)VA 液晶...

2011-12-22

VA液晶顯示器光程差

微軟宣布以后不會(huì)再占據(jù)國(guó)際消費(fèi)電子展的開幕式

2011-12-21

電子展

十二五期間因電子信息將飛速而收益的那些股票

2011-12-21

電子展

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