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縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別

發(fā)布時(shí)間:2019-10-15 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。
 
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
 
晶體管主要分為兩大類(lèi):雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。
 
晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
 
晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱(chēng)共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱(chēng)共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱(chēng)共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
 
縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別
 
晶體管的優(yōu)越性
同電子管相比,晶體管具有諸多優(yōu)越性:
 
1、構(gòu)件沒(méi)有消耗
無(wú)論多么優(yōu)良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問(wèn)題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長(zhǎng)100到1000倍,稱(chēng)得起永久性器件的美名。
 
2、消耗電能極少
僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產(chǎn)生自由電子。一臺(tái)晶體管收音機(jī)只要幾節(jié)干電池就可以半年一年地聽(tīng)下去,這對(duì)電子管收音機(jī)來(lái)說(shuō),是難以做到的。
 
3、不需預(yù)熱
一開(kāi)機(jī)就工作。例如,晶體管收音機(jī)一開(kāi)就響,晶體管電視機(jī)一開(kāi)就很快出現(xiàn)畫(huà)面。電子管設(shè)備就做不到這一點(diǎn)。開(kāi)機(jī)后,非得等一會(huì)兒才聽(tīng)得到聲音,看得到畫(huà)面。顯然,在軍事、測(cè)量、記錄等方面,晶體管是非常有優(yōu)勢(shì)的。
 
4、結(jié)實(shí)可靠
比電子管可靠100倍,耐沖擊、耐振動(dòng),這都是電子管所無(wú)法比擬的。另外,晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,放熱很少,可用于設(shè)計(jì)小型、復(fù)雜、可靠的電路。晶體管的制造工藝雖然精密,但工序簡(jiǎn)便,有利于提高元器件的安裝密度。
 
縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別
 
晶體管的開(kāi)關(guān)作用
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn),主要是;
(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,
(2)開(kāi)關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,
(3)可得到的器件耐壓范圍從100V到700V,應(yīng)有盡有.
 
幾年前,晶體管的開(kāi)關(guān)能力還小于10kW。目前,它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力,改進(jìn)了功率晶體管的性能。如:
(1)開(kāi)關(guān)晶體管有效芯片面積的增加,
(2)技術(shù)上的簡(jiǎn)化,
(3)晶體管的復(fù)合——達(dá)林頓,
(4)用于大功率開(kāi)關(guān)的基極驅(qū)動(dòng)技術(shù)的進(jìn)步。、
 
(二)直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開(kāi)關(guān)
晶體管復(fù)合(達(dá)林頓)和并聯(lián)都是有效地增加晶體管開(kāi)關(guān)能力的方法。
 
在這樣的大功率電路中,存在的主要問(wèn)題是布線。很高的開(kāi)關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。
 
(三)簡(jiǎn)單和優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)造就的高性能
今日的基極驅(qū)動(dòng)電路不僅驅(qū)動(dòng)功率晶體管,還保護(hù)功率晶體管,稱(chēng)之為“非集中保護(hù)” (和集中保護(hù)對(duì)照)。集成驅(qū)動(dòng)電路的功能包括:
 
(1)開(kāi)通和關(guān)斷功率開(kāi)關(guān);
(2)監(jiān)控輔助電源電壓;
(3)限制最大和最小脈沖寬度;
(4)熱保護(hù);
(5)監(jiān)控開(kāi)關(guān)的飽和壓降。
 
集成NPN晶體管概述
在雙極型線性集成電路中NPN晶體管的用量最多,所以它的質(zhì)量對(duì)電路性能的影響最大。集成NPN晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2—69所示。它是在P型襯底上擴(kuò)散高摻雜的N+型掩埋層,生長(zhǎng)N型外延層,擴(kuò)散P型基區(qū)、N+型發(fā)射區(qū)和集電區(qū)而制成的。其中N+型掩埋層的作用是為了減小集電區(qū)的體電阻。
 
縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別
 
縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別
(1)縱向PNP管:
縱向PNP管也稱(chēng)襯底管,由于結(jié)構(gòu)的關(guān)系,內(nèi)部的載流子沿著縱向運(yùn)動(dòng)。這種管子的特點(diǎn)是,管子的基區(qū)寬度WB可以準(zhǔn)確地控制,而且做得很薄。因此,縱向PNP管的β很大。超β管的β值在2000一5000(α=0.995-0.9998)。
 
是以P型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直方向運(yùn)動(dòng)的,故稱(chēng)為縱向PNP管。這種管子的基區(qū)可準(zhǔn)確地控制使其很薄,因此它的電流放大系數(shù)較大。由于縱向PNP管的集電極必須接到電路中電位的最低點(diǎn),因而限制了它的應(yīng)用。在電路中它通常作為射極跟隨器使用。
 
縱向晶體管與橫向晶體管的原理及區(qū)別
 
(2)橫向PNP管:
這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運(yùn)動(dòng)的,故稱(chēng)為橫向PNP管。由于受工藝限制,基區(qū)寬度不可能很小,所以它的值相對(duì)較低,一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優(yōu)點(diǎn)是:
 
發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都有較高的反向擊穿電壓,所以它的發(fā)射結(jié)允許施加較高的反壓;另外它在電路中的連接方式不受任何限制,所以比縱向PNP管有更多的用途。它的缺點(diǎn)是結(jié)電容較大,特征頻率fT較低,一般為幾~幾十兆赫。
 
在集成電路設(shè)計(jì)中,往往把橫向PNP和縱向PNP管巧妙地接成復(fù)合組態(tài),構(gòu)成性能優(yōu)良的放大器。如鏡像電源、微電流源、有源負(fù)載、共基—共射、共基—共集放大器等。


 

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