【導讀】對于許多的數據中心運營商來說，降低功耗都是他們的首當要務，從而降低運營費用。雙數據速率 5內存，其官方簡稱為 DDR5，目標就是提供數據中心所需的增強性能以及功率管理功能，為400GE的網絡速度提供良好支持。
隨著物聯網的不斷發(fā)展，數以百萬計的互聯網連接設備應運而生，因此數據中心的運營商都在致力于跟上數據傳輸方面的要求。他們必須尋求各種方式來滿足數據和存儲上日新月異的需求，同時確保服務質量、降低成本。
與上一代的 DRAM 技術相比，新型JEDEC DDR5在提升功率效率方面進行了升級。根據計劃，DDR5將提供兩倍于 DDR4 的帶寬和密度，同時還改善了信道的效率。
這些增強功能與針對服務器和客戶端平臺而提供的更加易用的接口結合到一起，將在一系列廣泛的應用中實現極高的性能并改進功率管理。
1 從DDR4的轉變
與 DDR4 技術相比，DDR5 改善了性能并且提高了功率效率，因此，對緊湊而又穩(wěn)健的 DIMM 插槽的需求比以往任何時候都要重要，以便為這種新技術提供支持。
莫仕的 DDR5 DIMM 插槽比 DDR4 時代的產品更加緊湊，縮小了整體尺寸與高度，此外還具有防屈曲功能，實現平穩(wěn)的模塊插入并提供冠形的觸點，防止觸點斷裂。
DDR5 DIMM 插槽的帶寬和密度比DDR4 提升了一倍，可以提供 6.4 Gbps 的速度，高度降低后的底座面可以節(jié)省更多的印刷電路板空間與縱向空間。隨著 DDR5 的推出，DDR4 和DDR5 的針數保持相同。
這兩種 DIMM 都含有 288 個插針。此外，DDR4和 DDR5 的螺距也相同。除了增加了速度以外，在整體尺寸和模塊卡的厚度上存在著一些區(qū)別。DDR5插槽連接器的尺寸要短于 DDR4。
對于模塊卡的厚度來說，DDR4 為 1.40+/-0.1 毫米，而DDR5 將厚度減少至1.27+/-0.1 毫米。至于底座面，將從 DDR4 的最大2.4 毫米縮減為 DDR5 的 2.0 毫米最大值。
2 DDR5的主要設計考慮
當需要遷移到 DDR5 時，設計人員應當牢記幾個特定于插槽連接器的主要考慮因素。DDR5 插槽采用了鍵控功能來防止插入 DDR4 模塊，而且DDR4 模塊在 DDR5 中無法工作，反之亦然。
DDR5的確需要更高的速度。如果采用SMT 端接，那么在工藝上可能會存在挑戰(zhàn)，與 TH 或PF 端接方式相比或許更難以加工。CTE與印刷電路板的不匹配會造成連接器的動態(tài)翹曲。
隨著自動模塊插入工藝的到來，使用一種穩(wěn)健的DDR5 連接器就變得更加關鍵。莫仕的 DDR5 插槽在插鎖塔上配有一片金屬，改善了機械強度。
DDR5 采用的模塊卡更重一些，并且模塊重量可能會從 50 克增至65 克。因此，需要考慮采取良好的措施，以機械方式將連接器保持固定在印刷電路板上。
3 轉向 DDR5 插槽
在尋求推進到DDR5 的過程中，需要牢記幾個方面。請考慮使用一種具有防斷裂觸點的連接器，可以實現穩(wěn)健的配對接觸效果并確保電氣上的可靠性。
無鹵耐高溫的尼龍外殼可以支持較高的回流溫度，同時提供環(huán)境上的可持續(xù)性。耐振動耐沖擊焊片在條件苛刻的操作過程中可提供最優(yōu)的性能以及牢固的印刷電路板保持效果。
此外，插槽上的金屬嵌件支持嚴格的閉鎖操作，同時可對插鎖塔進行強化。人體工程學設計的穩(wěn)健的插鎖在閉鎖過程中以及模塊卡釋放時可改善撕扯力以及抗振性。
為了解決插針壓碎的問題，可以尋求使用設計良好的端子與外殼。
對于 DDR5 上的其他考慮事項，動態(tài)翹曲可能是一個需要關切的問題。在加工方面，與 TH 端接方式相比，SMT端接將更具挑戰(zhàn)性，并且更加困難。
必須妥善的控制裝配工藝，同時設計與外殼材料的選擇也極其重要。經優(yōu)化的成型工藝可以降低外殼內積聚起的內部應力。
隨著數據中心內的速度不斷提升，DDR5將成為一個理想的選擇，為這種速度上的提升提供支持。DDR5 插槽的生產正在穩(wěn)步增長，并且將在下一年保持這一增長勢頭。
莫仕提供種類廣泛的內存連接器，符合有關 DIMM（雙列直插內存模塊）和 SIMM（單列直插內存模塊）的JEDEC 行業(yè)標準要求，并且還為筆記本電腦、臺式機、工作站、服務器、存儲及通信應用提供定制的內存模塊。
莫仕的內存儲器產品提供范圍從最老式的SIMM 直到最新型的 DDR5 在內的、一系列廣泛的技術平臺。每一產品族都由眾多不同的選項組成，滿足客戶應用的各種需求。
來源：Molex連接器
