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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
負(fù)載效應(yīng) DRAM
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如何理解FIT和MTBF
在我們的日常工作中，經(jīng)常會(huì)碰到器件失效或系統(tǒng)故障，這時(shí)為了清楚界定失效事件的嚴(yán)重性，就需要定量的來(lái)描述具體的失效率，這就需要用專(zhuān)業(yè)的術(shù)語(yǔ)來(lái)溝通，而有的工程師喜歡談FIT，有的工程師喜歡談MTBF，其實(shí)這兩個(gè)概念所描述的主體是不一樣的，因此有必要在此簡(jiǎn)析一下。
2021-08-20
FIT MTBF
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康普觀點(diǎn)：構(gòu)建合適的 Wi-Fi 6 基礎(chǔ)設(shè)施至關(guān)重要
數(shù)字化一直是推動(dòng)著后疫情時(shí)期許多機(jī)構(gòu)反彈回升的關(guān)鍵使能因素，在推動(dòng)復(fù)蘇的進(jìn)程中，最具變革性的可能要屬互聯(lián)設(shè)備的指數(shù)級(jí)采用。亞太地區(qū)在此趨勢(shì)中居于領(lǐng)先，據(jù)行業(yè)報(bào)告預(yù)測(cè)，到 2026 年，區(qū)域物聯(lián)網(wǎng)（IoT）市場(chǎng)將呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，達(dá)到 4,370 億美元。然而，當(dāng)前的 Wi-Fi 連接標(biāo)準(zhǔn)可能無(wú)法提供足夠...
2021-08-19
康普 Wi-Fi 6 基礎(chǔ)設(shè)施
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IOTE 2021第十六屆國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)—深圳站
IOTE 2021第十六屆國(guó)際物聯(lián)網(wǎng)展·深圳站，是一個(gè)關(guān)于物聯(lián)網(wǎng)完整產(chǎn)業(yè)鏈，覆蓋物聯(lián)網(wǎng)感知層、網(wǎng)絡(luò)層、運(yùn)算與平臺(tái)層、應(yīng)用層，涉及RFID（無(wú)線(xiàn)射頻識(shí)別）技術(shù)、傳感網(wǎng)技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)、金融消費(fèi)移動(dòng)支付技術(shù)、中間件的精確控制技術(shù)、大數(shù)據(jù)處理、AIoT、云計(jì)算、邊緣計(jì)算、實(shí)時(shí)定位技術(shù)等物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)...
2021-08-17
國(guó)際物聯(lián)網(wǎng) 智能家居 智能電網(wǎng) AIoT
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大功率晶閘管參數(shù)解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開(kāi)關(guān)、SVC和電解氫等場(chǎng)合，但大多數(shù)工程師對(duì)這類(lèi)雙極性器件的了解不及對(duì)IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。
2021-08-16
大功率晶閘管 正向特性
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功率因素校正電路PFC電感旁路二極管的作用
本文總結(jié)了功率因素校正電路PFC電感加旁路二極管作用的幾種不同解釋?zhuān)簻p少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開(kāi)機(jī)瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。
2021-08-13
電路PFC電感 旁路二極管
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使用低功耗藍(lán)牙，擺脫線(xiàn)纜束縛
隨著對(duì)附加傳感器、智能顯示器以及與外界聯(lián)系能力的需求不斷加強(qiáng)，設(shè)備和機(jī)器朝著更智能的方向發(fā)展。伴隨這些功能而來(lái)的是復(fù)雜度增加。由于設(shè)備出現(xiàn)故障時(shí)，需要打開(kāi)設(shè)備或連接到端口進(jìn)行問(wèn)題診斷，這會(huì)造成防水難度增加、產(chǎn)品成本和設(shè)備的維修成本增加等多重局限。很多時(shí)候，由于成本或結(jié)構(gòu)尺寸因...
2021-08-13
低功耗藍(lán)牙 應(yīng)用案例
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吉時(shí)利和Initial State全新方案，在家即可分析DAQ/DMM數(shù)據(jù)
我記得自己擔(dān)任高級(jí)項(xiàng)目經(jīng)理那會(huì)兒，面對(duì)一個(gè)新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)環(huán)境，各個(gè)團(tuán)隊(duì)都?jí)毫ι酱?，要為關(guān)鍵應(yīng)用迅速推出優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，因此生命周期測(cè)試成為必須。如果一項(xiàng)測(cè)試半夜里無(wú)聲無(wú)息中斷了，那絕對(duì)讓人深?lèi)和唇^，因?yàn)樗粌H浪費(fèi)了我們寶貴的時(shí)間，還浪費(fèi)了我們的測(cè)試裝備。我花了無(wú)數(shù)個(gè)小時(shí)，通過(guò)圖表理解數(shù)據(jù)。
2021-08-11
吉時(shí)利 Initial State DAQ/DMM數(shù)據(jù)
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N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應(yīng)用
電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開(kāi)關(guān)和高壓直流線(xiàn)路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時(shí)，該MOSFET用作常開(kāi)的開(kāi)關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率MOSFET及其應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，以幫助設(shè)計(jì)人員在許多工業(yè)應(yīng)用中選擇這些器件。
2021-08-10
N溝道 功率MOSFET 電路應(yīng)用
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