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終于搞明白差模噪聲與共模噪聲
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的EMI分為電磁輻射和傳導(dǎo)輻射(CE)。本文重點(diǎn)討論傳導(dǎo)輻射，其可進(jìn)一步分為兩類(lèi)：共模(CM)噪聲和差模(DM)噪聲。為什么要區(qū)分CM-DM？對(duì)CM噪聲有效的EMI抑制技術(shù)不一定對(duì)DM噪聲有效，反之亦然，因此，確定傳導(dǎo)輻射的來(lái)源可以節(jié)省花在抑制噪聲上的時(shí)間和成本。
2024-12-04
差模噪聲與 共模噪聲
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Spectrum儀器數(shù)字化儀應(yīng)用：通過(guò)量子傳感器控制假肢
通常，我們需要通過(guò)識(shí)別人體發(fā)出的信號(hào)來(lái)控制假肢。目前，通過(guò)植入電極的方式控制假肢是最為普遍的技術(shù)。
2024-12-04
Spectrum
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面向嵌入式應(yīng)用的生成式AI
近來(lái)，與AI相關(guān)的周期性熱點(diǎn)幾乎都圍繞著大語(yǔ)言模型（LLM）和生成式AI模型，這樣的趨勢(shì)反映出這些話題近年來(lái)日益增強(qiáng)的影響力和普及程度。與大語(yǔ)言模型和生成式AI模型相關(guān)的應(yīng)用涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，從開(kāi)放式聊天機(jī)器人到任務(wù)型助手。雖然LLM主要聚焦基于云和服務(wù)器端的應(yīng)用，但人們對(duì)在嵌入式系統(tǒng)和...
2024-12-03
嵌入式應(yīng)用 AI
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汽車(chē) GPU 算力新高度支持智駕芯片實(shí)現(xiàn)架構(gòu)創(chuàng)新
隨著汽車(chē)行業(yè)在“新四化”領(lǐng)域內(nèi)迅猛地進(jìn)步，汽車(chē)電子電氣架構(gòu)正在發(fā)生顯著的變化。智能化的深入促使汽車(chē)計(jì)算架構(gòu)逐步由傳統(tǒng)的以分域來(lái)進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)控制的分布式架構(gòu)，轉(zhuǎn)向以強(qiáng)調(diào)高性能計(jì)算同時(shí)減少冗余硬件和系統(tǒng)復(fù)雜性，從而提高系統(tǒng)效率和可靠性的中央計(jì)算架構(gòu)。與此同時(shí)，一些新興的功能在新車(chē)中的滲...
2024-12-03
汽車(chē) GPU 算力 智駕芯片
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貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書(shū)
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書(shū)，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì)，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。
2024-12-03
貿(mào)澤電子 Analog Devices Bourns 電子書(shū)
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英飛凌AURIX TC3x新增支持FreeRTOS
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的AURIX? TC3x微控制器（MCU）系列新增了對(duì)FreeRTOS的支持。
2024-12-03
英飛凌
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借助支持邊緣 AI 的 MCU 優(yōu)化實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中的系統(tǒng)故障檢測(cè)
本文中將討論集成式微控制器 (MCU) 如何增強(qiáng)高壓實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中的故障檢測(cè)功能。此類(lèi) MCU 使用集成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元 (NPU) 運(yùn)行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) (CNN) 模型，幫助在監(jiān)測(cè)系統(tǒng)故障時(shí)降低延遲和功耗。通過(guò)將邊緣 AI 功能集成到用于管理實(shí)時(shí)控制的同一 MCU 中，可以幫助您優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)增強(qiáng)整體性能。
2024-12-02
邊緣 AI MCU 實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過(guò)與Si類(lèi)似的熱氧化過(guò)程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。
2024-12-02
SiC 柵極絕緣層
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貿(mào)澤推出RISC-V技術(shù)資源中心 探索開(kāi)源的未來(lái)
貿(mào)澤電子推出內(nèi)容豐富的RISC-V資源中心，為設(shè)計(jì)工程師提供新技術(shù)和新應(yīng)用的相關(guān)知識(shí)。隨著開(kāi)源架構(gòu)日益普及，RISC-V從眾多選項(xiàng)中脫穎而出，成為開(kāi)發(fā)未來(lái)先進(jìn)軟硬件的新途徑。從智能手機(jī)和IoT設(shè)備，再到高性能計(jì)算，RISC-V正在各行各業(yè)中發(fā)展成為更主流的指令集架構(gòu) (ISA)。
2024-12-02
貿(mào)澤 RISC-V技術(shù)
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