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IBM 謝東：科技創(chuàng)新, 是高質(zhì)量發(fā)展的引擎
4月18日，第九屆中國(guó)廣州國(guó)際投資年會(huì)暨福布斯中國(guó)創(chuàng)投高峰論壇在廣州舉行。IBM 大中華區(qū)首席技術(shù)官謝東應(yīng)邀出席，圍繞“科技創(chuàng)新是高質(zhì)量發(fā)展的引擎”主題發(fā)表演講。謝東表示，人工智能已經(jīng)進(jìn)入基礎(chǔ)大模型時(shí)代，它的生產(chǎn)力價(jià)值，體現(xiàn)在與行業(yè)應(yīng)用的垂直整合。未來(lái)，以 AI 為代表的信息技術(shù)，將是各行...
2023-06-15
IBM 人工智能 ChatGPT
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LoRa與短距離、長(zhǎng)距離無(wú)線技術(shù)對(duì)比
LoRa既屬于短距離物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)，又屬于長(zhǎng)距離物聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)。本小節(jié)通過(guò)對(duì)比的方式，從短距離與長(zhǎng)距離的視角分析LoRa的特點(diǎn)。
2023-06-15
LoRa 無(wú)線技術(shù)
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反極性Buck-Boost的CCM模式和DCM模式
反極性Buck-Boost 變換器主電路的元件由開(kāi)關(guān)管，二極管，電感，電容等構(gòu)成。輸出電壓的極性與輸入電壓相反。Buck-Boost 變換器也有電感電流連續(xù)和斷續(xù)兩種工作方式。
2023-06-14
反極性Buck-Boost CCM模式 DCM模式
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卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的硬件轉(zhuǎn)換：什么是機(jī)器學(xué)習(xí)？——第三部分
AI應(yīng)用通常需要消耗大量能源，并以服務(wù)器農(nóng)場(chǎng)或昂貴的現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)為載體。AI應(yīng)用的挑戰(zhàn)在于提高計(jì)算能力的同時(shí)保持較低的功耗和成本。當(dāng)前，強(qiáng)大的智能邊緣計(jì)算正在使AI應(yīng)用發(fā)生巨大轉(zhuǎn)變。與傳統(tǒng)的基于固件的AI計(jì)算相比，以基于硬件的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速器為載體的智能邊緣AI計(jì)算具備驚人...
2023-06-14
卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 硬件轉(zhuǎn)換 機(jī)器學(xué)習(xí)
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蘇州慧捷自動(dòng)化科技有限公司參展西部電博會(huì)
2023年7月13-15日，一年一度的西部電子信息博覽會(huì)將在成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心盛大舉行。蘇州慧捷自動(dòng)化科技有限公司將攜創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)亮相本屆博覽會(huì)，展位號(hào)：4C105，歡迎業(yè)界同仁參觀、交流。
2023-06-13
展會(huì) 自動(dòng)化 半導(dǎo)體
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2023 SiFive RISC-V中國(guó)技術(shù)論壇即將盛大開(kāi)幕，北上深再掀開(kāi)源風(fēng)暴
指令精簡(jiǎn)、模塊化、可擴(kuò)展……已于2022年利用7年時(shí)間達(dá)成出貨量100億顆的里程碑，RSIC-V正在充分發(fā)揮自身的開(kāi)放開(kāi)源優(yōu)勢(shì)，一路開(kāi)疆拓土。身為RISC-V的發(fā)明者與領(lǐng)導(dǎo)廠商，SiFive正發(fā)揮開(kāi)源生態(tài)疊加未來(lái)計(jì)算新范式的“鏈主”效應(yīng)，致力于將RISC-V的無(wú)限潛力引領(lǐng)至高性能處理器與高算力場(chǎng)景應(yīng)用中。
2023-06-13
SiFive RISC-V 開(kāi)源
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英特爾Christine Boles：新一代英特爾至強(qiáng)和酷睿處理器如何賦能智能制造
推進(jìn)當(dāng)今制造業(yè)和工業(yè)部門(mén)正在進(jìn)行的數(shù)字化轉(zhuǎn)型需要應(yīng)用前所未有的創(chuàng)新技術(shù)。除了自動(dòng)化或監(jiān)測(cè)操作之外，越來(lái)越多的企業(yè)正在迅速引入AI、分析和其他需要突破性算力的動(dòng)態(tài)工作負(fù)載。
2023-06-13
英特爾 酷睿處理器 智能制造
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分壓器和分流器：它們是什么以及它們的作用
分壓器和分流器有許多實(shí)際應(yīng)用。例如，在下圖所示的電路中，R 2是一個(gè)光敏電阻，它會(huì)隨著照射在其上的光強(qiáng)的變化而改變值。R 2和 U 2兩端的電壓是光強(qiáng)度的量度。您可以使用它來(lái)感測(cè)陽(yáng)光的強(qiáng)度，或者光源和光敏電阻之間是否存在物體。當(dāng)然，分壓和分流器電路還有許多其他應(yīng)用。
2023-06-12
分壓器 分流器
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線邊緣粗糙度(LER)如何影響先進(jìn)LER的性能？
由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸(CD)和線間隔，這會(huì)導(dǎo)致更高的金屬線電阻和線間電容。圖1對(duì)此進(jìn)行了示意，模擬了不同后段制程金屬的線電阻和線關(guān)鍵尺寸之間的關(guān)系。即使沒(méi)有線邊緣粗糙度(LER)，該圖...
2023-06-12
線邊緣粗糙度 LER 先進(jìn)LER
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