安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō):“將導(dǎo)電及開(kāi)關(guān)損耗降至最低以?xún)?yōu)化總能效,是越來(lái)越多終端市場(chǎng)設(shè)計(jì)人員極希望可實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)。我們利用工藝、材料和封裝專(zhuān)知和技術(shù),成功將功率MOSFET的性能提升到新的水平,幫助我們客戶(hù)達(dá)到他們嚴(yán)格的設(shè)計(jì)性能目標(biāo)。”
封裝及價(jià)格
NTMFS4H01N、NTMFS4H01NF、NTMFS4H02N及NTMFS4H02NF采用無(wú)鉛SO8-FL封裝,每1,500片批量的單價(jià)分別為2.99、3.06、1.86和1.93美元;NTTFS4H05N及NTTFS4H07N采用無(wú)鉛µ8-FL封裝,每1,500片批量的單價(jià)分別為0.86和0.67美元。
安森美半導(dǎo)體推出低壓功率MOSFET新系列
發(fā)布時(shí)間:2014-05-21 來(lái)源:安森美半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:willwoyo
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