智能手機(jī)及平板電腦等消費電子的蓬勃發(fā)展催化了鋰離子電池的巨大需求,也加速了鋰離子電池對其他化學(xué)電池的沖擊。即使以現(xiàn)有的應(yīng)用市場計算,因產(chǎn)品的升級而導(dǎo)致的需求增長,也將使鋰離子電池繼續(xù)保持 25% 的增速。
而另一方面,人們對于消費電子超長待機(jī)時間的渴望,使得鋰離子電池行業(yè)需要不斷地提升充電電壓或使用不成熟的電極材料,以獲得更高的電池容量和能量密度,但這相對地也降低了鋰離子電池的安全應(yīng)用門限。這些都要求鋰離子電池的電路保護(hù)必須更加可靠。
典型的鋰離子電池保護(hù)電路如圖 1,其核心包括了構(gòu)成一級防護(hù)的 IC+MosFET 的主動保護(hù)方案以及二級防護(hù)的 PPTC。由于現(xiàn)在鋰離子電池保護(hù)板空間逐漸減小,加之 IC 集成度提升和成本壓力,通常人們認(rèn)為主動保護(hù)已經(jīng)足夠及時和強(qiáng)大,部分設(shè)計者考慮取消二級防護(hù)或者采用雙 IC 保護(hù)方案,但這樣是否可行呢?
圖 1:典型的鋰離子電池保護(hù)電路
靜電在日常生活中是十分容易產(chǎn)生的,人體摩擦感應(yīng)的靜電甚至可達(dá)到 15kV 以上。靜電及其放電可通過力學(xué)效應(yīng)、熱效應(yīng)、強(qiáng)電場效應(yīng)等對元器件造成破壞或損傷,既可能是永久性的(如功能喪失,不能恢復(fù)),也可能是暫時性的(如靜電放電產(chǎn)生的干擾使功能暫時喪失);既可能是突發(fā)失效,也可能是潛在失效,具有極強(qiáng)的隱蔽性、潛在性、隨機(jī)性及復(fù)雜性。
作為鋰離子電池一級保護(hù)的 IC 和 MosFET 是靜電危害的重災(zāi)區(qū),其中 80% 的損失都是潛在性的,會導(dǎo)致電路功能暫時性失效。圖 2 是 ESD 對 IC 和 MosFET 的破壞和損傷,鋰離子電池保護(hù)電路一旦遭受靜電放電,極有可能使其保護(hù)功能出現(xiàn)失效或隱患。
一旦 IC 和 MosFET 的功能喪失或可靠性降低,鋰離子在充電和使用過程中極有可能由于過充電、短路及過放電等導(dǎo)致燃燒或爆炸。此時被動保護(hù)器件,如 PPTC、MHP-TA 等的作用就極其重要了。由此可見,取消被動保護(hù)器件或采用主動方案取代被動保護(hù)器件的設(shè)計都是不可取的,會大幅降低鋰離子電池保護(hù)的可靠性。
全面的安全保護(hù)不僅不能取消 PPTC/MHP-TA 等過流過溫保護(hù)器件,還需要在接口中增加 ESD 防護(hù)器件,以最大限度的提升鋰離子電池保護(hù)方案的可靠性,TE 電路保護(hù)部的 PESD 和 SESD 靜電防護(hù)器件就是很好的選擇。
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