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網(wǎng)友支招:米勒電容引發(fā)的寄生導(dǎo)通效應(yīng)這么辦

發(fā)布時(shí)間:2015-01-19 責(zé)任編輯:sherryyu

【導(dǎo)讀】米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的。特別是在當(dāng)IGBT在開關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到這個(gè)問題,那么如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)呢?本文就為大家解決這個(gè)棘手的問題。
 
當(dāng)IGBT在開關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的?;陂T極G與集電極C之間的耦合,在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt,這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通,這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)(如圖1)。
下管IGBT因?yàn)榧纳桌针娙荻饘?dǎo)通
圖1:下管IGBT因?yàn)榧纳桌针娙荻饘?dǎo)通
 
寄生米勒電容引起的導(dǎo)通
 
在半橋拓?fù)渲校?dāng)上管IGBT(S1)正在導(dǎo)通, 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S2的寄生米勒電容CCG 、門極驅(qū)動(dòng)電阻RG 、內(nèi)部集成門極驅(qū)動(dòng)電阻RDRIVER ,如圖1所示。電流大小大致可以如下公式進(jìn)行估算:
這個(gè)電流產(chǎn)生使門極電阻兩端產(chǎn)生電壓差,這個(gè)電壓如果超過IGBT的門極驅(qū)動(dòng)門限閾值,將導(dǎo)致寄生導(dǎo)通。設(shè)計(jì)工程師應(yīng)該意識到IGBT節(jié)溫上升會(huì)導(dǎo)致IGBT門極驅(qū)動(dòng)閾值會(huì)有所下降,通常就是mv/℃級的。
 
當(dāng)下管IGBT(S2)導(dǎo)通時(shí),寄生米勒電容引起的導(dǎo)通同樣會(huì)發(fā)生在S1上。
 
減緩米勒效應(yīng)的解決方法
 
通常有三種傳統(tǒng)的方法來解決以上問題:第一種方法是改變門極電阻(如圖2);第二種方法是在在門極G和射極E之間增加電容(如圖3);第三種方法是采用負(fù)壓驅(qū)動(dòng)(如圖4)。除此之外,還有一種簡單而有效的解決方案即有源鉗位技術(shù)(如圖5)。
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獨(dú)立的門極開通和關(guān)斷電阻
 
門極導(dǎo)通電阻RGON影響IGBT導(dǎo)通期間的門極充電電壓和電流;增大這個(gè)電阻將減小門極充電的電壓和電流,但會(huì)增加開通損耗。
 
寄生米勒電容引起的導(dǎo)通通過減小關(guān)斷電阻RGOFF可以有效抑制。越小的RGOFF同樣也能減少IGBT的關(guān)斷損耗,然而需要付出的代價(jià)是在關(guān)斷期間由于雜散電感會(huì)產(chǎn)生很高的過壓尖峰和門極震蕩。
獨(dú)立的門極開通和關(guān)斷電阻
圖2:獨(dú)立的門極開通和關(guān)斷電阻
 
增加G-E間電容以限制米勒電流
 
G-E間增加電容CG將影響IGBT開關(guān)的特性。CG分擔(dān)了米勒電容產(chǎn)生的門極充電電流,鑒于這種情況,IGBT的總的輸入電容為CG||CG’。門極充電要達(dá)到門極驅(qū)動(dòng)的閾值電壓需要更多的電荷(如圖3)。
G-E間增加電容
圖3:G-E間增加電容
 
因?yàn)镚-E間增加電容,驅(qū)動(dòng)電源功耗會(huì)增加,相同的門極驅(qū)動(dòng)電阻情況下IGBT的開關(guān)損耗也會(huì)增加。
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采用負(fù)電源以提高門限電壓
 
采用門極負(fù)電壓來安全關(guān)斷,特別是IGBT模塊在100A以上的應(yīng)用中,是很典型的運(yùn)用。在IGBT模塊100A以下的應(yīng)用中,處于成本原因考慮,負(fù)門極電壓驅(qū)動(dòng)很少被采用。典型的負(fù)電源電壓電路如圖4。
負(fù)電源電壓
圖4:負(fù)電源電壓
 
增加負(fù)電源供電增加設(shè)計(jì)復(fù)雜度,同時(shí)也增大設(shè)計(jì)尺寸。
 
有源米勒鉗位解決方案
 
為了避免RG優(yōu)化問題、CG的損耗和效率、負(fù)電源供電增加成本等問題,另一種通過門極G與射極E短路的方法被采用來抑制因?yàn)榧纳桌针娙輰?dǎo)致的意想不到的開通。這種方法可以在門極G與射極E之間增加三級管來實(shí)現(xiàn),在VGE電壓達(dá)到某個(gè)值時(shí),門極G與射極E的短路開關(guān)(三級管)將觸發(fā)工作。這樣流經(jīng)米勒電容的電流將通過三極管旁路而不至于流向驅(qū)動(dòng)器引腳VOUT。這種技術(shù)就叫有源米勒鉗位技術(shù)(如圖5)。
有源米勒鉗位采用外加三極管
圖5:有源米勒鉗位采用外加三極管
 
增加三級管將增加驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜度。
 
結(jié)論
 
以上闡述的四種技術(shù)的對比如下表
以上闡述的四種技術(shù)的對比如下表
在最近幾年時(shí)間里,高度集成的門極驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)包含有源米勒鉗位解決方案并帶有飽和壓降保護(hù)、欠電壓保護(hù),有如AVAGO技術(shù)的ACPL-331J($3.4080)和ACPL-332J($4.0891),對產(chǎn)品設(shè)計(jì)者和工業(yè)/消費(fèi)生產(chǎn)商來說,這將降低設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和產(chǎn)品尺寸。
 
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