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分析MOSFET柵極驅(qū)動如何調(diào)整電路

發(fā)布時間:2019-07-09 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】“為了優(yōu)化外置MOSFET Q1的開關(guān)工作,由R16、R17、R18、D17組成一個調(diào)整電路,用來調(diào)節(jié)來自BD7682FJ的OUT引腳的柵極驅(qū)動信號(參見電路圖)。這個電路會對MOSFET的損耗和噪聲產(chǎn)生影響,因此需要一邊確認(rèn)MOSFET的開關(guān)波形和損耗,一邊進(jìn)行優(yōu)化。”
 
本文將對電源IC BD7682FJ的外置MOSFET的開關(guān)調(diào)整部件和調(diào)整方法進(jìn)行介紹。
 
MOSFET柵極驅(qū)動調(diào)整電路:R16、R17、R18、D17
 
“為了優(yōu)化外置MOSFET Q1的開關(guān)工作,由R16、R17、R18、D17組成一個調(diào)整電路,用來調(diào)節(jié)來自BD7682FJ的OUT引腳的柵極驅(qū)動信號(參見電路圖)。這個電路會對MOSFET的損耗和噪聲產(chǎn)生影響,因此需要一邊確認(rèn)MOSFET的開關(guān)波形和損耗,一邊進(jìn)行優(yōu)化。”
 
開關(guān)導(dǎo)通時的速度由串聯(lián)到柵極驅(qū)動信號線上的R16和R17來調(diào)整。
 
開關(guān)關(guān)斷時的速度由用來抽取電荷的二極管D17和R16共同來調(diào)整。
 
通過減小各電阻值,可提高開關(guān)速度(上升/下降時間)。
 
在此次的電路示例中,R16=10Ω/0.25W,R17=150Ω,D17=肖特基勢壘二極管RB160L-60(60V/1A)。
 
準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器在導(dǎo)通時基本上不會產(chǎn)生開關(guān)損耗,關(guān)斷時的損耗占主導(dǎo)地位。
 
分析MOSFET柵極驅(qū)動如何調(diào)整電路
 
要想降低開關(guān)關(guān)斷時的開關(guān)損耗,需要減小R16,提高開關(guān)關(guān)斷速度。但這會產(chǎn)生急劇的電流變化,開關(guān)噪聲會變大。
 
開關(guān)損耗和噪聲之間存在著此起彼消(Trade-off)的制約關(guān)系,所以需要在裝入實(shí)際產(chǎn)品的狀態(tài)下測量MOSFET的溫度上升(=損耗)和噪聲情況,并確認(rèn)溫度上升和噪聲水平在允許范圍內(nèi)。請根據(jù)需要將上述常數(shù)作為起始線進(jìn)行調(diào)整。
 
另外,由于R16中會流過脈沖電流,因此需要確認(rèn)所用電阻的抗脈沖特性。
 
R18是MOSFET柵極的下拉電阻,請以10kΩ~100kΩ為大致標(biāo)準(zhǔn)。
 
關(guān)鍵要點(diǎn):
 
調(diào)整柵極驅(qū)動信號,并優(yōu)化開關(guān)晶體管的損耗和噪聲。
加快開關(guān)的導(dǎo)通/關(guān)斷時間可減少損耗,但開關(guān)噪聲會變大。
 
 
 
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