回到藏身處后，筆記本電腦最終崩潰了，盡管戴著面具的十字軍戰(zhàn)士全神貫注在頂棚注視著他，等待著一個機(jī)會把它奪回來。筆記本電腦中的8TBSSD（固態(tài)器件或固態(tài)“驅(qū)動”–其中沒有移動部件）有許多秘密。Octopus博士知道信息的重要性，并不惜一切去破壞它，無意中給他最大的敵人一個機(jī)會尾隨他到了受保護(hù)的藏身處。為了確保SSD中的內(nèi)容是真的和被永久的破壞，Planner碩士打碎了機(jī)箱，然后又額外用機(jī)電臂在其端口釋放強(qiáng)大的閃電，當(dāng)它明顯的噼啪作響并片刻變成藍(lán)色時咧嘴而笑。

 

他沒有料到的是安森美半導(dǎo)體的固態(tài)硬盤和硬盤驅(qū)動器（HDD）從個人電腦到數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用都包含電子保險絲(eFuse)。這些eFuse在遭遇過流條件時通過“熔斷”（開路）保護(hù)電器，而且這種方式類似于普通保險絲。不同的是，這些器件可以電子復(fù)位到導(dǎo)電狀態(tài)。eFuse提供一些額外的功能，其規(guī)格不斷提高：我們最新的eFuse包括集成的特性如電荷泵、精密的過流保護(hù)、熱關(guān)斷、三態(tài)使能引腳、欠壓鎖定和帶有輸出電壓鉗位的過壓保護(hù)。

 

不是所有的eFuse都相同。在當(dāng)今的電力系統(tǒng)中，能效是關(guān)鍵，較低性能的eFuses其實可以對系統(tǒng)的整體性能產(chǎn)生有害的影響。關(guān)鍵的參數(shù)是eFuse的靜態(tài)電阻RDS(ON) ，由內(nèi)部MOSFET確定。低的RDS(ON)值確保正常運行時的功率傳輸是高效的和極低功耗的。更高效的運行還支持在較高環(huán)境溫度下工作，而器件升溫相對較低，這意味著需要較少的冷卻，從而可節(jié)省空間。雖然eFuses的工作溫度可達(dá)150?C，但工作溫度越低，使用壽命越長。這一點尤其重要，因為數(shù)據(jù)中心的硬件被期望能工作10年或更長。

 

安森美半導(dǎo)體最新的eFuse（NIS5431 和NIS5452）的RDS(ON) 的典型值僅33m?，比前代的NIS5135低一半。如圖1所示，較新的器件包括具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET，由電荷泵升壓。

 

圖1. 具有柵極電壓的集成的高邊N溝道功率MOSFET。

 

在Octopus博士將破舊的筆記本電腦和SSD從懸崖扔到飛泉洶涌的水下后，一個受傷的蜘蛛俠從潮濕的山洞里溜出來，蹲在邊上盯著它，然后在一個不可能的角度溜下巖壁。差不多六個小時后，他取回了電子產(chǎn)品，并送到數(shù)據(jù)醫(yī)學(xué)實驗室進(jìn)行分析。果然，eFuse保護(hù)了SSD免受有害電擊的損壞，這只是個時間問題，然后閃存芯片被從設(shè)備中取出，并被安裝到一個新的機(jī)箱中，提供獲取豐富的數(shù)據(jù)，包括用來譯碼惡人名字、他們的位置和他們對全球所犯下的罪的12,837,064位重要的數(shù)據(jù)。

 

如果要求eFuse的額定電流超過5A，可以簡單地將使能引腳、輸入和輸出并聯(lián)在一起。由于RDS(ON)的正溫度系數(shù)，均流均為自動分配。圖2和圖3的評估板演示了這。

 

圖2. 評估板展示4個NIS5452的并行配置。

 

圖3. 4個NIS5452器件并行，總電流20A，最高殼溫56攝氏度。

 

內(nèi)部高能效的SenseFET架構(gòu)支持限流以保護(hù)免受故障條件的影響。這樣的配置顯著的節(jié)省檢測電阻的功耗和便于通過外部電阻RLIMIT編程?？烧{(diào)的轉(zhuǎn)換速率特性控制浪涌電流，同時為高容性負(fù)載提供電源。

 

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