為了開關(guān)電源,一般在汽車電路中會使用機電繼電器。為了節(jié)省空間,會用 N 溝道和 P 溝道 MOSFET 等固態(tài)開關(guān)取代繼電器,從而產(chǎn)生所有組件都在同一塊電路板上、可以統(tǒng)一采用再流焊工藝組裝的 PCB 設(shè)計。P 溝道 MOSFET 通過拉低其柵極電平而接通,通過將柵極連接至輸入電壓而斷開。與 N 溝道 MOSFET 相比,P 溝道 MOSFET 在導(dǎo)通電阻相同時成本更高,而且其選擇范圍很窄,限于較大電流值 (高于 10A) 情況。N 溝道 MOSFET 是應(yīng)對大電流的最佳選擇,但是需要充電泵,以提高柵極電壓,使其高于輸入電壓。例如,12V 輸入需要 22V 柵極電壓,即 MOSFET 柵極要高出輸入 10V。圖 2 顯示了一個電源開關(guān)電路的實現(xiàn)。
圖 2:用 N 溝道 MOSFET 實現(xiàn)電源軌的接通 / 斷開
常見的電源總線也需要針對短路和過載故障提供保護(hù),這類故障可能在任何板卡或模塊中出現(xiàn)。為了實現(xiàn)電路
斷路器功能,可以比較圖 1 中放大器的輸出和一個過流門限,以斷開圖 2 中的柵極驅(qū)動器。這種方案取代了保險絲,因為保險絲反應(yīng)速度慢、容限太寬且熔斷后需要更換。為了節(jié)省電路板空間,人們希望在開關(guān)、保護(hù)和監(jiān)視汽車電源總線中的功率流動時,采用集成式解決方案。
集成式電源控制與遙測解決方案
LTC4282 是一款可熱插拔的控制器和電路斷路器,提供能量遙測功能和 EEPROM (圖 3),憑借創(chuàng)新性雙電流通路特色,滿足了大電流應(yīng)用的需求。該控制器通過控制外部 N 溝道 MOSFET,可平滑地給大容量電容器加電,從而避免出現(xiàn)輸入電源干擾以及電流達(dá)到破壞性水平,因此可確保電源在 2.9V 至 33V 范圍內(nèi)安全接通和斷開。LTC4282 位于通往電路板電源的入口,其準(zhǔn)確度為 0.7% 的 12 位或 16 位 ADC 通過一個 I2C/SMBus 數(shù)字接口報告電路板電壓、電流、功率和能耗。內(nèi)部 EEPROM 為寄存器設(shè)置和故障記錄數(shù)據(jù)提供非易失性存儲,從而可在開發(fā)過程中及現(xiàn)場運行時,加速調(diào)試和故障分析。
圖 3:具功率 / 能量遙測功能和 EEPROM 的 LTC4282 電路斷路器
LTC4282 具準(zhǔn)確度為 2% 的電流限制電路斷路器,最大限度減少了過流設(shè)計,這在大功率時更加重要。在出現(xiàn)過流情況時,LTC4282 折返電流限制,以在可調(diào)超時時間內(nèi)保持恒定 MOSFET 功耗。定時器到了定時時間后,電路斷路器斷開故障模塊和公用電源總線的連接。空閑模塊也可以斷開與電源總線的連接以節(jié)省功率。能夠以數(shù)字方式配置的電路斷路器門限允許隨負(fù)載變化進(jìn)行動態(tài)調(diào)節(jié),方便了小電阻值檢測電阻器的選擇。所監(jiān)視電氣參數(shù)的最小值和最大值都記錄下來,當(dāng)超過 8 位可調(diào)門限時,就發(fā)出警示信號。為了防止給電路板造成災(zāi)難性損壞,這些 MOSFET 受到連續(xù)監(jiān)視,以發(fā)現(xiàn)異常情況,例如低柵極電壓和漏-源短路或大的壓差。
SOA 共享路徑
雖然 LTC4282 控制單個電源,可是它為負(fù)載電流提供了兩條平行的電流限制路徑。采用傳統(tǒng)單路控制器的大電流電路板使用多個并聯(lián)的 MOSFET 以降低導(dǎo)通電阻,但是所有這些 MOSFET 都需要具有大的安全工作區(qū) (SOA) 以安然承受過流故障,這是因為不能假設(shè)并聯(lián)的 MOSFET 在電流限制期間分擔(dān)電流。另外,MOSFET 的選擇范圍在較高的電流水平上變窄,價格走高,而且 SOA 的水平跟不上 RDS(ON) 的下降。通過把電流分離到兩條精準(zhǔn)匹配的電流限制路徑之中,LTC4282 可確保兩組 MOSFET 即使在過載情況下也將均分電流。對于 100A 應(yīng)用,每條路徑的設(shè)計電流限值為 50A,因而把 SOA 要求減低了一半,拓寬了 MOSFET 的選擇范圍,并降低了其成本。這被稱為一種 “匹配” 或 “并聯(lián)” 配置,因為兩條路徑是采用相似的 MOSFET 和檢測電阻器設(shè)計的。
此外,LTC4282 的雙電流路徑還用于使 MOSFET SOA 要求與導(dǎo)通電阻脫鉤。大的 SOA 對于啟動浪涌、電流限制和輸入電壓階躍等具有巨大應(yīng)力的情況是很重要的。當(dāng) MOSFET 柵極完全接通時,低的導(dǎo)通電阻可降低正常操作期間的電壓降和功率損耗。不過,這些是存在沖突的要求,因為 MOSFET SOA 通常隨著導(dǎo)通電阻的改善而變差。LTC4282 允許采用一條具有一個能處理應(yīng)力情況之 MOSFET 的路徑,和另一條具有低導(dǎo)通電阻 MOSFET 的路徑。這被稱為一種分級起動配置。一般來說,在啟動、電流限制和輸入電壓階躍期間應(yīng)力處理路徑接通,而 RDS(ON) 路徑則保持關(guān)斷。RDS(ON) 路徑在正常操作過程中接通以旁路應(yīng)力路徑,為負(fù)載電流提供一條低導(dǎo)通電阻路徑,從而減少電壓降和功率損耗。視啟動時 MOSFET 應(yīng)力大小的不同,有兩種分級起動配置,即低應(yīng)力 (圖 4) 和高應(yīng)力。高應(yīng)力分級起動配置推薦用于 50A 以下的應(yīng)用電流水平,而并聯(lián)和低應(yīng)力分級起動配置則推薦用于 50A 以上的應(yīng)用。與單路徑設(shè)計相比,最低的 MOSFET 成本由低應(yīng)力分級起動配置提供,代價是在瞬變情況下不間斷運行的能力受限,而且不能利用負(fù)載電流完成啟動。并聯(lián)和高應(yīng)力分級起動配置可啟動一個負(fù)載并提供計時周期較長的故障定時器,可在持續(xù)時間較長的過載條件和輸入電壓階躍情況下不間斷地運行。
圖 4a:低應(yīng)力分級起動配置可為 >50A 的應(yīng)用提供最低的成本
圖 4b:利用低應(yīng)力分級起動配置實現(xiàn)啟動:GATE1 首先接通以對輸出進(jìn)行涓流充電 (具有一個 2A 的低浪涌電流水平)。GATE2 在 SOURCE (輸出) 變至高于電源良好門限時接通。
結(jié)論
在過去 20 年,在動力轉(zhuǎn)向、ABS 剎車、便利性、行車安全、娛樂等功能的驅(qū)動下,汽車中采用的電子系統(tǒng)一直在快速增加。隨著汽車向全面互聯(lián)和完全自主行駛的方向發(fā)展,電子系統(tǒng)的增加還會加速,這增大了對珍貴的電池功率的需求。仔細(xì)的功耗監(jiān)視加上關(guān)閉空閑系統(tǒng)有望提高電池使用效率。通過提供電路板級電氣數(shù)據(jù),LTC4282 電路斷路器減輕了測量每個子系統(tǒng)的功率和能耗的負(fù)擔(dān),因此減輕了整個車輛功率和能耗的測量負(fù)擔(dān)。憑借其新穎和能夠以多種方式配置的雙電流通路,LTC4282 極大地方便了大電流千瓦級電路板的設(shè)計,允許在同一設(shè)計中既提供很大的 SOA,又提供很小的導(dǎo)通電阻。
(來源:ADI公司,作者: Pinkesh Sachdev,混合信號產(chǎn)品部 產(chǎn)品市場工程師)