【導(dǎo)讀】基于寬帶隙半導(dǎo)體的電源因其較小的尺寸和良好的開關(guān)性能而在各種充電解決方案中變得越來越受歡迎。但是,制造商還需要提高電源轉(zhuǎn)換效率。SR控制器是提高電源效率的一種潛在解決方案。它們具有許多優(yōu)點,能夠使實驗室的電源設(shè)計人員的工作變得更輕松。
關(guān)鍵數(shù)據(jù)“SR控制器提高電源效率”
基于寬帶隙半導(dǎo)體的電源因其較小的尺寸和良好的開關(guān)性能而在各種充電解決方案中變得越來越受歡迎。但是,制造商還需要提高電源轉(zhuǎn)換效率。SR控制器是提高電源效率的一種潛在解決方案。它們具有許多優(yōu)點,能夠使實驗室的電源設(shè)計人員的工作變得更輕松。
更高的功率轉(zhuǎn)換效率
同步整流在提高功率轉(zhuǎn)換效率方面的優(yōu)勢如圖1所示。這里比較了兩個ROHM評估套件BM2P094FEVK-001和BM1R00147F的效率測試結(jié)果。結(jié)果顯示,相比次級側(cè)的二極管整流方案,基于SR MOSFET控制器的BM1R00147F同步整流解決方案優(yōu)勢要大得多。根據(jù)評估套件的規(guī)格(90V至264VAC),測試輸入電壓范圍采用了全球通用范圍。BM2P094-001-EVK在不連續(xù)電流模式(DCM)下工作,輸出規(guī)格為5V和1A。在Vin = 100VAC的滿載條件下,二極管整流的功率轉(zhuǎn)換效率為74.76%,而SR控制器的功率轉(zhuǎn)換效率為81.07%。功率轉(zhuǎn)換效率提高了6.31%。而在Vin = 230V AC條件下,效率也提高了5.98%。
圖1:二極管整流和SR控制器之間的功率轉(zhuǎn)換效率數(shù)據(jù)比較(圖片來源:ROHM)
更高的充電功率
隨著充電電流的增大,小型電源(如手機、平板電腦和筆記本電腦充電器等)需要更高的額定功率。充電器以往的充電功率是5W(5V,1A)和10W(5V,2A),但是由于如今手機、平板電腦及其他外設(shè)的屏幕尺寸增大,市場要求實現(xiàn)30W快充。
如果增加充電功率,充電電流就會增加,這會造成若干狀況。充電電流較大時電源在連續(xù)電流模式(CCM)下工作,而充電電流較小時電源主要在不連續(xù)電流模式(DCM)下工作。對于整流二極管來說,這意味著負(fù)載會因硬開關(guān)而增加。借助ROHM SR控制IC的控制特性,可以將這種額外的負(fù)載降至更低。在CCM模式下,整個電路的效率通常更高。另外,由于二極管整流器電流越大,其損耗就越高,因此相比之下同步整流方式更具優(yōu)勢。
為了盡可能有效地滿足市場需求,ROHM開發(fā)了單通道和雙通道同步MOSFET控制器(圖2)。BD1R001xxF內(nèi)置有兩枚芯片。BD87007FJ(一個通道)和BD85006F(兩個通道)內(nèi)置有一枚芯片,可以實現(xiàn)兩種功能:SR控制器和并聯(lián)穩(wěn)壓器。這些器件的封裝類型和規(guī)格概覽參見圖3。下文將介紹這些控制器的部分功能。
圖2:ROHM的單通道和雙通道同步MOSFET控制器通過高效率滿足市場需求 (圖片來源:ROHM)
圖3:同步MOSFET控制器的參數(shù)概覽 (圖片來源:ROHM)
設(shè)置強制OFF時間
與CCM模式相比,MOSFET解決方案中DCM模式下的漏源電流會提前截止,而MOSFET還需要延遲一段時間才能關(guān)斷。當(dāng)次級側(cè)MOSFET關(guān)斷時,變壓器繞組、MOSFET的寄生電容和輸出電容會產(chǎn)生諧振。為了防止這種諧振(可能會導(dǎo)致漏極有所響應(yīng),從而意外激活柵極),設(shè)計人員應(yīng)設(shè)置一個屏蔽時間。ROHM SR系列的強制OFF時間可實現(xiàn)一個屏蔽時間—從柵極未啟動開始到次級側(cè)MOSFET的漏極響應(yīng)。憑借強制OFF時間,BM1R001xxF系列可用于各種電源。開發(fā)人員可以通過漏極引腳上的外部電阻(圖4)手動設(shè)置強制OFF時間。該時間的設(shè)計必須短于初級側(cè)控制器開關(guān)頻率(從次級側(cè)MOSFET TON中減去該開關(guān)時間)
圖4:不同產(chǎn)品的強制OFF時間(圖片來源:ROHM)
設(shè)置最大TON時間
在連續(xù)電流模式(CCM)下,下一個開關(guān)周期會在前一個開關(guān)周期仍處于活動狀態(tài)時開始,因此MOSFET會經(jīng)歷一個行為突變。因此,強烈建議在使用二極管整流方案時采用超快速恢復(fù)二極管。SR控制器的MOSFET設(shè)有具有恢復(fù)延遲時間功能的柵極引腳。這將允許電流同時流過初級側(cè)開關(guān)和次級側(cè)MOSFET,除非未指定合理的延遲時間。BM1R001xxF在Vout x 1.4處開始計算漏極電壓的上升沿,而控制器會在一個設(shè)計時間(通過外部Max_Ton電阻設(shè)定)后關(guān)閉。如圖5所示,開發(fā)人員必須使Max_Ton始終短于初級側(cè)控制器的開關(guān)頻率。Max_Ton電阻的設(shè)置范圍應(yīng)為56k至300k。當(dāng)Max_Ton接近10 μsec(RTon = 100kΩ)時,精度會提高。
圖5:通過外部電阻設(shè)置Max_Ton和精度 (圖片來源:ROHM)
電流消耗減少90%的內(nèi)置并聯(lián)穩(wěn)壓器
為了調(diào)節(jié)輸出級的電壓,需要一個并聯(lián)穩(wěn)壓器作為電壓參考。為了用電阻維持所需的電壓,需要使并聯(lián)電流流過并聯(lián)穩(wěn)壓器。BM1R001xxF系列包含一個內(nèi)置并聯(lián)穩(wěn)壓器,與典型的并聯(lián)穩(wěn)壓器相比,它僅消耗十分之一的電流。這不僅簡化了設(shè)計,而且還降低了待機模式下并聯(lián)控制器的電流消耗。此外,芯片內(nèi)部的并聯(lián)穩(wěn)壓器與SR控制器是分開的。如果用在H側(cè),那么可以將并聯(lián)穩(wěn)壓器的接地用作H側(cè)的接地。如果不用內(nèi)部并聯(lián)穩(wěn)壓器,則引腳“SH_IN、SH_OUT和SH_GND”保持未使用狀態(tài)即可。針對在外部使用并聯(lián)穩(wěn)壓器的應(yīng)用場景,ROHM還開發(fā)了BD87007FJ。BD87007FJ的并聯(lián)電流明顯低于BM1R001xxF系列(圖6)。
圖6:啟動時處于電容模式的波形[左]以及BD85506F的慢啟動行為[右](圖片來源:ROHM)
圖7:與傳統(tǒng)并聯(lián)穩(wěn)壓器相比,ROHM的內(nèi)部并聯(lián)穩(wěn)壓器的并聯(lián)電流僅為十分之一(圖片來源:ROHM)
用于LLC拓?fù)涞碾p通道SR MOSFET控制器
當(dāng)啟動和輸出級不穩(wěn)定時,LLC電路容易進(jìn)入電容模式。如果電流峰值夠大,那么在最壞的情況下會損壞MOSFET。ROHM針對LLC拓?fù)湓O(shè)計的雙通道同步整流MOSFET控制器BD85506F配備了一個慢啟動功能。在電容模式下,IC在啟動階段后不再工作,但是SS引腳會被充電。當(dāng)SS引腳上的電壓高于0.5V時,慢啟動功能被啟用,IC開始工作。利用輸入開路保護(hù)MOSFET
如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續(xù)的情況,那么MOSFET將無法打開,且電流會流過體二極管,從而導(dǎo)致MOSFET過熱。而BD85506F則配備了一個引腳開路保護(hù)功能。如果開路狀態(tài)持續(xù)時間超過2ms,系統(tǒng)會通過一個光電耦合器減小BD85506F SH_out引腳上的電流。這會讓初級側(cè)控制器停止工作。
結(jié)論
ROHM的SR控制器旨在提供易于集成的同步整流解決方案。該SR控制器能夠支持本文介紹的許多功能,并且只需要很少的外部組件。因此,ROHM的SR控制器在CCM和DCM模式下都能實現(xiàn)高性能的同步整流解決方案。SR-IC的其他可選型號還內(nèi)置有并聯(lián)穩(wěn)壓器,不僅具有靈活的接地參考,待機功耗也非常低。
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