【導(dǎo)讀】在探討“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí),本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹,這也是這個(gè)主題的前提。
在探討“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí),本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹,這也是這個(gè)主題的前提。
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交替導(dǎo)通的,為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通,設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門極信號(hào)(VG)時(shí)序。
該電路中HS和LS MOSFET的Drain-Source電壓(VDS)和漏極電流(ID)的波形示意圖如下。這是電感L的電流處于連續(xù)動(dòng)作狀態(tài),即所謂的硬開關(guān)狀態(tài)的波形。
橫軸表示時(shí)間,時(shí)間范圍Tk(k=1~8)的定義如下:
T1: LS為ON時(shí)、MOSFET電流變化的時(shí)間段
T2: LS為ON時(shí)、MOSFET電壓變化的時(shí)間段
T3: LS為ON時(shí)的時(shí)間段
T4: LS為OFF時(shí)、MOSFET電壓變化的時(shí)間段
T5: LS為OFF時(shí)、MOSFET電流變化的時(shí)間段
T4~T6: HS變?yōu)镺N之前的死區(qū)時(shí)間
T7: HS為ON的時(shí)間段(同步整流時(shí)間段)
T8: HS為OFF時(shí)、LS變?yōu)镺N之前的死區(qū)時(shí)間
從下一篇文章開始,將以上述內(nèi)容為前提展開介紹。希望通過本文大致了解這種SiC MOSFET橋式電路的工作、以及電壓和電流的波形。
(來源:Rohm)
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