中心議題：

• 小功率反激電源EMI抑制方法

解決方案：

• 優(yōu)化輸入與輸出濾波網(wǎng)絡(luò)設(shè)計
• 優(yōu)化地線設(shè)計
• 盡量縮小高頻環(huán)路面積
• 屏蔽和磁珠的應(yīng)用

小功率反激電源作為市場上最為成熟的電源之一，在電力電子行業(yè)占據(jù)相當大的比重。目前介紹開關(guān)電源電磁兼容的文章很多，不過考慮到市場化，小功率反激電源只用一級EMI濾波，無散熱片，還有很重要的一點，要考慮可生產(chǎn)性。這與單純的電磁兼容研究有很大區(qū)別，本文將從工程和生產(chǎn)的角度出發(fā)來闡述小功率反激電源EMI抑制方法。

1 抑制措施

電磁干擾(Electro Magnetic Interference)，有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾兩種。傳導(dǎo)干擾是指通過導(dǎo)電介質(zhì)把一個電網(wǎng)絡(luò)上的信號耦合到另一個電網(wǎng)絡(luò)。輻射干擾是指干擾源通過空間把其信號耦合到另一個電網(wǎng)絡(luò)。差模干擾和共模干擾是主要的傳導(dǎo)干擾形態(tài)，而功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。差模噪聲主要由大的di/dt與雜散電容引起;共模噪聲則主要由較高的dv/dt與雜散電感相互作用而產(chǎn)生的高頻振蕩引起。

形成電磁干擾的條件有三：A：向外發(fā)送電磁干擾的源—噪聲源 B：傳遞電磁干擾的途徑—噪聲耦合和輻射 C：承受電磁干擾(對噪聲敏感)的客體—受擾設(shè)備

1.1 EMI濾波器的選擇選用

圖1是開關(guān)電源常用的一級EMI 濾波器的電路。圖中的L1為共模扼流圈，Cx、CY1、CY2為安規(guī)電容，對于小型開關(guān)電源來講，由于體積的限制，很多時候會將CY1、CY2會省略掉的，甚至連L1也會省去。圖中 共模扼流圈L1的兩個線圈匝數(shù)相等，方向相同，這兩個電感對于差模電流和主電流所產(chǎn)生的磁通是方向相反、互相抵消的，因而不起作用;而對于共模干擾信號，兩線圈產(chǎn)生的磁通方向相同，有相互加強的作用，每一線圈電感值為單獨存在時的兩倍，從而得到一個高阻抗，起到良好的抑制作用。共模電感兩邊感量不相等形成的差模電感L2一起與Cx電容組成一個低通濾波器，用來抑制電源線上存在的差模干擾信號。CY1與CY2的存在是給共模噪聲提供旁路，同時與共模電感一起，組成LC低通濾波器。共模噪聲的衰減在低頻時主要由電感起作用，而在高頻時大部分由電容CY1及CY2起作用。同時，在安裝與布線時應(yīng)當注意:濾波器應(yīng)盡量靠近設(shè)備入口處安裝, 并且濾波器的輸入和輸出線必須分開，防止輸入端與輸出端線路相互耦合，降低濾波特性。濾波器中電容器導(dǎo)線應(yīng)盡量短，以防止感抗與容抗在某頻率上形成諧振。

圖1 一級EMI 濾波器電路。

濾波器的抑制作用是用插入損耗來度量的。插入損耗A用分貝(dB)表示，分貝值愈大， 說明抑制噪聲干擾的能力愈強,如式(1)所示：

工程設(shè)計時通過測量計算出需要設(shè)定的插入損耗值，得出轉(zhuǎn)折頻率點，然后根據(jù)轉(zhuǎn)折頻率設(shè)計電感電容參數(shù)，如式(2)：

    （2）

不過注意，不是所有的濾波器都能使電磁干擾減小，有的還會更嚴重。因為濾波器會產(chǎn)生諧振,從而產(chǎn)生插入增益。插入增益不僅不會使干擾減小,而且還使干擾增強。這通常發(fā)生在濾波器的源阻抗和負載阻抗相差很大時，插入增益的頻率在濾波器的截止頻率附近。解決插入增益的方法：一個是將諧振頻率移動到?jīng)]有干擾的頻率上，另一個使增加濾波器的電阻性損耗(降低Q值)。比如在差模電感上并聯(lián)電阻,或在差模電容上串聯(lián)電阻。
[page]
1.2 輸入與輸出濾波網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的優(yōu)化
輸入與輸出濾波網(wǎng)絡(luò)主要實現(xiàn)兩個功能，第一是能量存儲與轉(zhuǎn)換，第二是減小高頻諧波與共模干擾。 實際電路等效為電容、等效電感、等效電阻的串聯(lián)。在高頻情況下，大電容的等效寄生參數(shù)起主要作用，無法給高頻傳導(dǎo)噪聲提供有效衰減。這時候可以選擇 型濾波，將一個大電容和一個小電容并聯(lián)起來使用，大電容抑制低頻干擾、小電容抑制高頻干擾。不過，將大容量電容和小容量電容并聯(lián)起來的方法，會在某個頻率上出現(xiàn)旁路效果很差的現(xiàn)象。這是因為在大電容的諧振頻率和小電容的諧振頻率之間，大電容呈現(xiàn)電感特性(阻抗隨頻率升高增加)，小電容呈現(xiàn)電容特性,實際是一個LC并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，這個LC并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)在會在某個頻率上發(fā)生并聯(lián)諧振，導(dǎo)致其阻抗最大，這時電容并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)實際已經(jīng)失去旁路作用。如果剛好在這個頻率上有較強的干擾，就會出現(xiàn)干擾問題。

1.3 緩沖電路的應(yīng)用
開關(guān)電源的干擾按噪聲源種類分為尖峰干擾和諧波干擾兩種。輸入電流中的高次諧波在電路中采用共模扼流圈來抑制，而對于尖峰干擾，除了在源頭上減小漏感，選擇快恢復(fù)二極管來減小尖峰外，最常見的就是開關(guān)管加RCD箝位電路與輸出二極管加RC吸收電路。RCD箝位電路用于抑止由于變壓器初級漏感在開關(guān)管關(guān)斷過程中產(chǎn)生的電壓尖峰。RC吸收電路用于抑制二極管關(guān)斷時變壓器次級漏感與二極管反向恢復(fù)引起的電壓尖峰。不過這些緩沖電路是通過消耗功率來達到抑制目的，因此需要根據(jù)實際需求選擇使用。

1.4 盡量縮小高頻環(huán)路面積
一般小功率反激電源有四部分需要注意環(huán)路面積：
A：初級開關(guān)環(huán)路(MOS管，變壓器，輸入電容)
B：次級開關(guān)環(huán)路(變壓器，輸出二極管，輸出電容)
C：RCD環(huán)路(R，C，D，MOS管，變壓器)
D：輔助電源環(huán)路(變壓器，二極管，電容)

因為差模電流流過導(dǎo)線環(huán)路時，將引起差模輻射如式(3)表示：

同時，由于接地電路中存在電壓降，某些部位具有高電位的共模電壓，當外接電纜與這些部位連接時，就會在共模電壓激勵下產(chǎn)生共模電流，從而產(chǎn)生共模輻射干擾如式(4)表示：

所以，在高頻環(huán)路上，在滿足可靠性的情況下，高頻電流回路越小越好，以減小引起差模輻射的環(huán)路面積。并且環(huán)路的導(dǎo)線應(yīng)當盡量地短，以減小引起共模輻射的環(huán)路導(dǎo)線長度。

1.5 優(yōu)化地線設(shè)計
由于地線存在阻抗，地線電流流過地線時,就會在地線上產(chǎn)生電壓。細而長的導(dǎo)線呈現(xiàn)高電感,如式(5)，其阻抗隨頻率的增加而增加：

在設(shè)計小功率電源電路時,往往運用單點接地與浮地，將地線作為所有電路的公共地線,因此地線上的電流成份很多,電壓也很雜亂，這時候就需要注意相對減小高頻回路地線的長度，以減小共模噪聲。

1.6 屏蔽的應(yīng)用
在小功率反激電源中，變壓器是一個很大的噪聲源。它作為噪聲產(chǎn)生源：
A：功率變壓器原次邊存在的漏感，漏電感將產(chǎn)生電磁輻射干擾。
B：功率變壓器線圈繞組流過高頻脈沖電流，在周圍形成高頻電磁場，產(chǎn)生輻射干擾。
C：變壓器漏感的存在使得在開關(guān)管開關(guān)瞬間，形成電壓尖峰，產(chǎn)生電磁干擾。

作為傳播途徑：隔離變壓器初次級之間存在寄生電容，高頻干擾信號通過寄生電容耦合到次邊。 對于變壓器的漏感，可以通過三明治繞法等改變工藝結(jié)構(gòu)改善，也可以通過改變變壓器性能設(shè)計來減小，對于變壓器繞組的分布電容可以通過改進繞制工藝和結(jié)構(gòu)、增加繞組之間的絕緣、采用屏蔽等方法來減小繞組間的分布電容。從工程角度來說，特別是對于某些已經(jīng)面世而為了提高市場競爭力選擇提高EMI要求作為突破口的產(chǎn)品來說，改變變壓器性能設(shè)計肯定影響重大，而改變工藝結(jié)構(gòu)也影響到生產(chǎn)甚至性能。屏蔽是生產(chǎn)延續(xù)性最好與總體影響性最小的一種方法。

屏蔽對于干擾的抑制作用用屏蔽效能來衡量，屏蔽效能A主要由吸收損耗與反射損耗來表示，總損耗越大，屏蔽體對電磁干擾的抑制能力越強，如式(6)表示。

[page]
從吸收損耗的公式可以得出以下結(jié)論：
屏蔽材料越厚，吸收損耗越大;屏蔽材料的磁導(dǎo)率越高，吸收損耗越大;屏蔽材料的電導(dǎo)率越高，吸收損耗越大;被屏蔽電磁波的頻率越高，吸收損耗越大。

干擾源為電場輻射源時反射損耗，如式(7)：(近場波，高阻抗場)

干擾源為磁場輻射源時反射損耗，如式(8)：(近場波，低阻抗場)

干擾源為電場源或者磁場源時反射損耗，如式(9)：(遠場波)

從反射損耗的公式可以得出以下結(jié)論：
屏蔽材料的磁導(dǎo)率越低，吸收損耗越大;屏蔽材料的電導(dǎo)率越高，吸收損耗越大。

從以上我們可以得出結(jié)論：
A：低頻：吸收損耗很小，屏蔽效能主要決于反射損耗。而反射損耗與電磁波的性質(zhì)關(guān)系很大，電場波的屏蔽效能遠高于磁場波。
B：高頻：隨著頻率升高，電場波的反射損耗降低，磁場波的反射損耗增加，吸收損耗增加，當頻率高到一定程度時，屏蔽效能主要由吸收損耗決定。
C：距離的影響：距離電場源越近，則反射損耗越大。對于磁場源，則正好相反。要獲得盡量高的屏蔽效能，屏蔽體應(yīng)盡量靠近電場輻射源，盡量遠離磁場輻射源。

1.7 磁珠的應(yīng)用
磁珠由鐵氧體組成，它把交流信號轉(zhuǎn)化為熱能，當導(dǎo)線中流過電流時，它對低頻電流幾乎沒有什么阻抗，但對高頻電流會有較大的衰減作用。磁珠抑制能力與它的長度成比例。不過磁珠的運用會提高產(chǎn)品溫升，同時降低產(chǎn)品的可生產(chǎn)性，對于高功率密度的小功率電源來說，盡量避免使用。

1.8 減緩驅(qū)動
增大MOS管驅(qū)動電阻，使得MOS管的開通時間與關(guān)斷時間增加，使dv/dt值變小。不過這種方式會增加開關(guān)管的開關(guān)損耗，只有在沒有其他有效解決辦法時推薦使用。比如MORNSUN公司的LH15XX某型號，在確定不能更改變壓器結(jié)構(gòu)與PCB布局情況下，只有增大驅(qū)動電阻，犧牲少許的效率來換取輻射干擾達到EN55022 CLASS B指標。

2 案例

圖2

圖2是采用無錫硅動力(Si-power)SP56XX系列芯片(含抖頻，降頻和跳頻技術(shù))做的小功率模塊電源產(chǎn)品(37*23*15mm)，功率為5W，開關(guān)頻率65KHz,通過精心的設(shè)計，在沒有圖1中輸入EMI濾波電路和無Y電容的情況下，使產(chǎn)品的傳導(dǎo)和輻射指標分別滿足class A級和B級的要求，并能滿足最新的能源之星V的標準，圖3、圖4是該產(chǎn)品的EMI測試圖(產(chǎn)品通過了UL/CE認證)。由于電路簡單，元件少，該系列電源在批量生產(chǎn)時不良率僅為50PPM。

  
圖3 傳導(dǎo)干擾                                                             圖4 輻射干擾

3 結(jié)論

高功率密度是電源發(fā)展的一個方向，小功率反激電源也一樣。不過由于小功率電源要求體積小，成本低，它的EMI設(shè)計受到體積、熱設(shè)計和易生產(chǎn)性等方面的影響，可以發(fā)揮的空間已經(jīng)很小。需要設(shè)計人員從開始階段就要注意PCB布局，注重電源的結(jié)構(gòu)設(shè)計與輸入輸出濾波網(wǎng)絡(luò)設(shè)計，優(yōu)化變壓器設(shè)計，設(shè)計中期通過更改輸入EMI濾波器參數(shù)進行現(xiàn)場調(diào)試，調(diào)試沒有效果的情況下通過增加磁珠，改變驅(qū)動等犧牲其他性能的方式達到傳導(dǎo)和輻射指標。