LED資深行家背景介紹
本人做LED也有些年頭了,比較慶幸,剛畢業(yè)出來(lái)實(shí)習(xí),第一家就是做LED的,然后從此就沒(méi)離開(kāi)過(guò)這個(gè)行業(yè),從LED成品到LED電源。現(xiàn)在證明我那時(shí)并沒(méi)有選錯(cuò),雖說(shuō)LED現(xiàn)在競(jìng)爭(zhēng)激烈,沒(méi)多少利潤(rùn),但是做LED的工程很吃香,現(xiàn)在想和大家分享下這幾年的經(jīng)驗(yàn),從電源研發(fā)到EMI整改認(rèn)證到做成品燈。說(shuō)是分享,大家可以發(fā)表不同的意見(jiàn),畢竟比起做了十幾、二十年的工程來(lái)說(shuō),只是班門(mén)弄斧。先說(shuō)下EMI整改吧,畢竟對(duì)剛接觸整改的年輕工程師來(lái)說(shuō),最頭痛的就是輻射整改。
此圖顯示已經(jīng)明顯超標(biāo)了,接下來(lái)給大家慢慢介紹整改過(guò)程和整改方法。
上PCB,對(duì)于EMI來(lái)說(shuō),走線就是靈魂。由于板子要內(nèi)置,有尺寸要求,并且還要有可控硅調(diào)光功能,由于節(jié)省了很多EMI元件,導(dǎo)致明顯超標(biāo)。
右邊的電源,由兩片板組合,8W調(diào)光。
第二頁(yè):EMI整改方法分享
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網(wǎng)友總結(jié)的整改方法
1、應(yīng)對(duì)垂直30M-50M超標(biāo)的絕招之一:MOS管S極串入磁珠,可以有效減少30M位置。
MOS管DS加入吸收,能有效減少輻射。加入47PF/1KV電容(實(shí)際47PF-100PF都行,在能過(guò)輻射的條件下,盡量小,因?yàn)檫@個(gè)吸收電容有損耗,會(huì)使MOS管發(fā)熱嚴(yán)重,并降低效率,不太建議用100PF,想效果明顯的,最好用RC吸收)
經(jīng)過(guò)兩個(gè)步驟的處理之后,輻射圖如下:
有人問(wèn)到為什么磁珠加在S極,不是D極?磁珠串在D級(jí)有效減小50-80M輻射,對(duì)30M輻射效果不大,卡在灌膠輻射增加的同志們,我去測(cè)試的時(shí)候常常和遇到的工程聊這個(gè)話題,輻射余量越大當(dāng)然越好,工程們也安心,但對(duì)于我這款不用灌膠的電源來(lái)說(shuō),3DB足以,因?yàn)橐鎸?duì)的不僅是EMI,還有成本,空間壓力,并不能加入太多EMI元件,會(huì)考慮到灌膠,余量不止6DB整改。
2.解決EMI和效率之間的平衡問(wèn)題關(guān)鍵絕招是:鋁殼子接地,對(duì)于大功率,在板子多個(gè)地方和地之間加入Y電容。
最終整改的輻射圖
輻射的關(guān)鍵在于,適當(dāng)?shù)念l率(50-60K),良好的走線。