0 引言

 

箱體屏蔽是抑制電磁干擾（EMI）的重要手段，主要針對輻射的電磁干擾進行抑制。對于裝在箱體內的電子學系統(tǒng)來說，該系統(tǒng)運行過程中需要通風散熱，要顯示電壓電流值、顯示運行狀態(tài)，那么通風孔、安裝表計及外部連接器需要在鋼板上開孔，箱體上留下縫隙，就會破壞完整的密封屏蔽，由此引起的屏蔽性能的下降。通過設備箱體的屏蔽設計，提高設備的屏蔽性能，要求設備箱體抑制EMI能力達到GJB151A-97 RE102標準限值。

 

 

屏蔽是以某種導電材料或導磁材料制成的屏蔽體將敏感器件或區(qū)域封閉起來，形成電磁隔離，達到阻斷或減少電磁能傳播的一種技術，是抑制電磁干擾的措施之一。屏蔽抑制的是以場的形式沿空間傳播的干擾，它是一種雙向抑制的技術，既可以限制內部輻射的電磁能量泄漏，又可以防止外部輻射干擾進入。

 

電磁屏蔽按其屏蔽原理可分為：

 

1）電場屏蔽，包含靜電屏蔽和交變電場屏蔽；

 

2）磁場屏蔽，磁場屏蔽包含低頻磁場屏蔽和高頻磁場屏蔽；

 

3）電磁場屏蔽，既是前兩種的總和。

 

1.1 電磁干擾的屏蔽效能

 

屏蔽效能是用來描述屏蔽體的好壞的指標。它表現(xiàn)了屏蔽體對電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強度衰減到原來的1/100至1/10000，因此通常用分貝來表述。

 

設備箱體的屏蔽效能計算示意圖如圖1所示。

 

 

1）設備箱體的屏蔽材料吸收部分電磁波，形成吸收損耗；

 

2）電磁波在設備箱體內發(fā)生反射，減小了電磁波的強度。反射后衰減的電磁波稱為反射損耗。

 

根據(jù)SE＝R＋A＋B

 

其中，SE為屏蔽效能，A為吸收損耗，R為反射損耗，B為多次反射損耗。

 

上式中

 

 

出于分析的角度，利用式（1）來計算位吸收損耗：

 

 

式中f為頻率（Hz），為屏蔽體材料相對于銅的相對磁導率、為屏蔽體材料相對于銅的相對電導率，為常數(shù)為常數(shù)，l為壁厚（cm）。

 

1.2 箱體屏蔽材料的特性及其結構選擇

 

由磁屏蔽理論可知，磁屏蔽是利用由高導磁材料制成的磁屏蔽體來構成的，提供低磁阻的磁通路使得大部分磁通在磁屏蔽體上來分流，達到屏蔽的目的。磁導率成為選擇磁屏蔽材料的主要依據(jù)。

 

通常磁性材料分為：

 

1）弱磁性材料，包括順磁性物質和抗磁性物質，其特點是相對磁導率產＝1，B與H是線性關系，在任意頻率的環(huán)境中，始終保持常數(shù)；

 

2）強磁性材料：鐵磁性物質，其特點是B與H為非線性關系，頻率增高，磁導率降低。

 

屏蔽效能除了與屏蔽材料直接相關外，與屏蔽體結構也相關。

 

電屏蔽結構，影響電屏蔽的一個重要的因素就是分布電容C，減小C就能提高屏蔽效能。因此一般情況下，電屏蔽體的形狀最好設計成盒形，盒形結構通常包括單層蓋結構盒雙層蓋結構，根據(jù)要求屏蔽的程度不同來選擇。

 

磁屏蔽結構，磁屏蔽是利用屏蔽體對磁通進行分流，因而大多采用盒狀、筒狀或柱狀的結構。由于磁阻與磁路的橫截面積?和磁導率成反比，因而磁屏蔽體的體積和重量都比較大。若要求較高的屏效時，一般采用雙層屏蔽，此時在體積重量增加不多的情況下，能顯著提高屏蔽效能。

 

電磁屏蔽結構，電磁屏蔽是利用屏蔽體對干擾電磁波的吸收、反射來達到減弱干擾能量作用的。因此，電磁屏蔽可采用板狀、盒狀、筒狀、柱狀的屏蔽體。

 

1.3 不完整屏蔽對屏蔽效果的影響

 

1.3.1 縫隙影響

 

如圖2所示，設在金屬屏蔽體中有一無限長的縫隙，其間隙距離為g，屏蔽板的厚度為t，入射電磁波的磁場強度為H0，泄漏到屏蔽體中的磁場強度為Hp，當趨膚深度d＞0.3g?時，可以得到。由上式分析可以知道，當縫隙較窄較深時(亦即t較大，g較小)，磁場泄漏就小，反之就大。磁場通過這個縫隙的衰減為

 

 

 

（2）只是對實際情況的簡化和抽象，縫隙所帶來的泄漏比較復雜，它與縫隙的寬度、板材的厚度，縫隙的數(shù)目以及波長等都有密切關系。干擾的頻率越高，縫隙的泄漏越嚴重，特別是當縫隙的直線尺寸接近波長時，會產生天線效應，嚴重地破壞屏蔽體的屏蔽效果。

 

1.3.2 通孔影響

 

由于通風及其安裝固定各種附件的需要，可能會在在屏蔽結構上開有圓形或矩形的孔洞，電磁波會通過這些孔洞產生泄漏。

 

設屏蔽板上有若干個孔洞，包括圓孔和方孔，孔的面積為S，屏蔽板面積為A，當A遠大于S的時候，亦即圓孔的直徑或方孔的邊長比波長小很多時，通過孔洞泄漏的磁場強度Hp為

 

 

若屏蔽板上有n個孔，則總的泄漏磁場強度為

 

 

若孔為矩形，其短邊為a，長邊為b，曲積為S''，設與矩形孔泄漏等效的圓孔面積為S，則：

 

 

結合上述幾個公式可得泄漏磁場強度。

 

在實際情況下，金屬屏蔽板后側電磁波總的透射系數(shù)應為金屬屏蔽板本身的透射系數(shù)TS與孔洞電磁波的透射系數(shù)之和，即

 

 

其中

 

 

因此總的屏蔽效能為

 

 

 

合理的結構設計，可以使屏蔽體在開了若干通風孔以后，不但能保證良好的通風散熱，而且能保證屏蔽效能不下降，其基本出發(fā)點在于，將每個通風孔設計成對欲屏蔽的電磁波構成衰減波導管的形狀，如圖3所示。

 

 

2.1 箱體通風窗的實壁結構設計

 

通用通風窗結構是直接在屏蔽體壁上開孔，如圖4所示。每個通風孔直徑為d，相鄰通風孔間矩為d，相鄰通風孔間矩為c，通風孔形成的通風窗口(孔陳列)的邊長為l，屏蔽壁厚為t，則該窗口對磁場的總屏蔽效能為

 

 

 

2.2 箱體通風窗的蜂窩結構設計

 

設備箱體的實壁開孔結構設計，對于電磁屏蔽存在兩個問題：

 

1）實壁開孔結構設計要滿足形成衰減器的條件，要求t大于d，即要求箱體的壁厚大于開孔的孔徑。要求孔徑小于l/4；

 

2）如果在設備箱體上直接開通風孔，那么灰塵會通過通風孔進入箱體內，污染電子學系統(tǒng)，甚至可能導致短路現(xiàn)象的發(fā)生。蜂窩結構設計的通風窗可以避免此類現(xiàn)象的發(fā)生。

 

綜合上述兩種原因，本設備箱體選擇蜂窩結構的通風窗設計，達到良好的屏蔽效果。

 

2.3 箱體結構優(yōu)化設計

 

針為避免設備箱體內的電子學系統(tǒng)的元器件工作時溫度高，必須在箱體采用蜂窩結構設計的通風窗，為元器件進行通風散熱。根據(jù)電子學系統(tǒng)的干擾電磁波波長，在箱壁處開圓孔直徑為5mm，那么對波長小于20mm的電磁波起到完全屏蔽。為了進一步加強屏蔽效果，在箱體內壁加一層孔徑為0.5mm的金屬網，同時又能達到散熱的目的。把邊界設置為輻射邊界時，加固箱體距輻射邊界的距離為求解頻率波長的1/4。如圖5所示。仿真求解頻段為0.1 GHz～1GHz；求解步長為0.02GHz；求解迭代步數(shù)為50次；求解精度為0.02。采用離散掃描。首先提取通風板正前方8mm處的泄漏電場的場強值E1；去掉屏蔽殼體后再提取相應點的電場場強值E2；對比兩次場強結果，得到箱體的屏蔽效能

 

 

 

圖6為仿真得到的屏蔽效能曲線。表1為屏蔽效能具體實驗數(shù)據(jù)。

 

 

 

 

3.1 測試框圖

 

測量來自設備及其有關電線、電纜的電場輻射發(fā)射，EMI測試框圖如圖7所示。

 

 

3.2 測試過程描述

 

試樣件放在屏蔽室內的測試圓臺上（圓臺上覆有接地銅皮），在距試樣1m處，分別架設有源棒狀天線（10kHz～30MHz）、雙錐天線（30MHz～200MHz）、對數(shù)周期天線（200MHz～1GHz）和雙脊喇叭天線（1GHz～18GHz），在30MHz～18GHz測試頻段，進行天線的水平極化和垂直極化方式測試。用ESI40接收機監(jiān)測試樣及有關電纜的電場輻射發(fā)射。

 

3.3 測試曲線

 

本實驗是在中國科學院光電研究院EMC實驗室進行，圖8是天線垂直極化狀態(tài)下的電場輻射發(fā)射曲線（10kHz～1GHz），圖9是天線水平極化狀態(tài)下的電場輻射發(fā)射曲線（10kHz～1GHz），圖10是天線水平極化狀態(tài)下的電場輻射發(fā)射曲?線（1GHz～18GHz）。

 

 

 

 

3.4 測試結果

 

受試件10kHz～18GHz電場輻射發(fā)射測試，未超過GJB151A-97 RE102限值，該項測試通過。

 

 

本文詳細分析設備的電磁干擾源、結構的縫隙和通孔的影響，選擇合適的屏蔽材料，建立設備箱體結構模型，仿真實驗得到了設備較好的屏蔽效能曲線和實驗數(shù)據(jù)；并按GJB151A-97要求，對設備進行EMI輻射測量，實測數(shù)據(jù)未超過GJB151A-97 RE102限值，驗證設備箱體的EMI屏蔽設計達到了設計要求。

 

參考文獻：

 

[1]  周旭. 電子設備防干擾技術原理與技術[M]. 北京: 國防工業(yè)出版社, 2005: 33.

 

[2]  葉志瓊. 電子設備的電磁兼容技術[J]. 通信電源技術, 2005, 22(l): 37-40.

 

[3]  和軍平, 姜建國, 陳斌. 電力電子裝置傳導電磁干擾特性測量的新方法[J]. 電力電子技術, 200l, 5: 32-35.

 

[4]  盛新慶. 計算電磁學要論[M]. 北京:科學出版社, 2005.

 

[5]  趙陽, 李世錦, 等. 傳導性EMI噪聲的模態(tài)分離與噪聲抑制問題探討[J]. 南京師范大學學報(工程技術版), 2004, 4(4): 1-4.

 

[6]  金建銘. 電磁場有限元方法[M]. 西安: 西安電子科技大學出版社, 1998.