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靜電防護與電磁兼容性
靜電作為一種近場自然危害源,給人類社會已經(jīng)造成了重大損失和危害。1969年底在不到一個月的時間里,由于靜電放電(EsD)引發(fā)荷蘭、挪威、英國三艘20萬噸超級油輪洗艙時相繼發(fā)生爆炸;靜電放電曾使國際通訊衛(wèi)星II—F1Iv—F8及美國的阿尼克、歐洲航天局的航海通訊衛(wèi)星等數(shù)十額衛(wèi)星發(fā)生故障,不能正常飛行...
2011-03-11
靜電 電磁兼容性 普銳馬
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成本下降仍為臺灣太陽能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主因
工研院指出,缺乏原物料和設(shè)備供應、依賴技術(shù)移轉(zhuǎn),以及集中在制造領(lǐng)域為不利于臺灣太陽能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素,如不加以改善,將帶來高制造成本、低毛利,與低競爭力...
2011-03-11
太陽能 原物料 成本 硅外延片
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Molex SolarSpec?產(chǎn)品組合推動可再生能源技術(shù)創(chuàng)新
全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應商Molex公司將在2011年3月15-17日展出SolarSpec?解決方案,SolarSpec?產(chǎn)品的設(shè)計支持光伏電池板、太陽能跟蹤裝置和聚光器以及太陽能逆變器高效、可靠和靈活的互連。
2011-03-11
Molex 連接器 光伏
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意補貼政策未定,中國光伏組件被壓港口
因意大利光伏電價補貼削減政策未敲定,部分采購商持觀望態(tài)度,導致從中國發(fā)往該地區(qū)的部分光伏組件近期滯留在意大利港口。有業(yè)內(nèi)人士預測,滯留的貨物最終可能會被迫降價。
2011-03-11
補貼政策 光伏組件 降價
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高端電流檢測電路及原理
本文講述高、低端電流檢測電路及原理,選擇檢流電阻的注意事項等問題
2011-03-11
電流檢測 MAXIM MAX4198
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SiR870DP/Si4190DY:Vishay推出100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型 ThunderFET?技術(shù),在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。此外,該器件的導通電阻與柵極電荷乘積也是同類產(chǎn)品中最佳的,該...
2011-03-10
SiR870DP Si4190DY Vishay TrenchFET? 功率MOSFET
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中國光伏產(chǎn)業(yè):從世界工廠轉(zhuǎn)向世界市場
此前公布的“十二五”規(guī)劃建議提出,中國將推動能源生產(chǎn)和利用方式變革,構(gòu)建安全、穩(wěn)定、經(jīng)濟、清潔的現(xiàn)代能源體系。業(yè)內(nèi)預計,未來5年,中國光伏產(chǎn)業(yè)將迎來更加寬松的政策環(huán)境,其光伏產(chǎn)業(yè)“世界工廠”的角色將逐步向“世界市場”轉(zhuǎn)變。
2011-03-10
光伏 中國光伏產(chǎn)業(yè) 中國光伏
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預期到2013年全球半導體照明產(chǎn)值將上看240億美元
據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所亞洲資訊咨詢(上海)研究副理黃盼盼指出,2010年全球半導體照明(LED)產(chǎn)值達100億美元,年增達42%,預期到2013年全球半導體照明產(chǎn)值將上看240億美元,從2010年到2013年產(chǎn)值平均年成長率估達35%。主要系受到照明應用及中大尺吋背光源應用同步推升,也因此(應用于照明和大大尺寸背...
2011-03-10
半導體 照明 LED
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板載電源模塊—開放式與封閉式的選擇
目前,分布式電源架構(gòu)被廣泛用于通信和計算設(shè)備中,該電源架構(gòu)經(jīng)常采用板載電源(BMP)模塊,在盡可能靠近負載點的地方進行電源變換。多年來,器件、電路和封裝方面的發(fā)展使得BMP模塊效率更高、尺寸更小、重量更輕、厚度更薄。這些都導致電源密度的提高,進而為封裝技術(shù)帶來挑戰(zhàn)。
2011-03-09
電源模塊 板載 開放式 封閉式
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