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能源電力

日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)：東工大硅量子點(diǎn)太陽能電池取得新進(jìn)展

東京工業(yè)大學(xué)教授小長(zhǎng)井誠研究小組，大幅提高了利用硅量子點(diǎn)的太陽能電池的開放電壓（Voc）及I-V特性形狀因子（FF）數(shù)值。2010年3月10日，該消息是在應(yīng)用物理學(xué)會(huì)舉行的2010年春季應(yīng)用物理學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)演講會(huì)的會(huì)前新聞發(fā)布會(huì)上宣布的。

2010-03-16

日本應(yīng)用物理硅量子點(diǎn) 太陽能電池

ABB為中國(guó)太陽能發(fā)電提供技術(shù)支持

近日，全球領(lǐng)先的電力和自動(dòng)化技術(shù)集團(tuán)ABB積極參與中國(guó)太陽能開發(fā)利用，為提升國(guó)家可再生能源占電力消費(fèi)比例、改善能源結(jié)構(gòu)做出積極貢獻(xiàn)。

2010-03-15

ABB 太陽能發(fā)電新能源可再生能源

怎樣辨別視頻線的好壞

本文主要介紹視頻線的目測(cè)外觀鑒別，傳輸性能測(cè)試

2010-03-15

視頻線電纜 SYV電纜

更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動(dòng)功率技術(shù)革命

GaN技術(shù)平臺(tái)開創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級(jí)的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺(tái)。

2010-03-15

輕便低溫 IR GaN 功率器件革命

TDK-EPC 開發(fā)并量產(chǎn)SMD型LAN用脈沖變壓器

特別在使用于模塊(module)的情況下，敝社以往的產(chǎn)品在裝載時(shí)，基板與脈沖變壓器是先通過手動(dòng)方式進(jìn)行配線處理。然后，為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產(chǎn)品，可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)工序。

2010-03-15

電感器 SMD LAN 脈沖變壓器

中國(guó)制定太陽能光伏政策要考慮國(guó)情

對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，在過去的 5年中出現(xiàn)了新的趨勢(shì)，即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主要是由消費(fèi)者來推動(dòng)的,消費(fèi)者是真正的推動(dòng)力。現(xiàn)在半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展很大程度上依賴于手持設(shè)備，比如智能手機(jī)、運(yùn)行Win7的筆記本電腦和其他新潮熱門的產(chǎn)品等。只有消費(fèi)者和企業(yè)喜歡購買有吸引力的IT設(shè)備和有特色的產(chǎn)品，才能促...

2010-03-15

應(yīng)用材料太陽能光伏政策

IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。

2010-03-15

IR MOSFET HEXFET 硅技術(shù) 導(dǎo)通電阻

元件價(jià)格走勢(shì)更新，商品IC供應(yīng)保持緊張

這是指在可預(yù)見的將來，庫存將保持精簡(jiǎn)。許多供應(yīng)商對(duì)于目前的庫存水平感到非常滿意，盡管iSuppli公司追蹤的十分之九的供應(yīng)鏈節(jié)點(diǎn)庫存天數(shù)(DOI)仍接近歷史低位。只有電子制造服務(wù)(EMS)提供商的庫存出現(xiàn)增長(zhǎng)。

2010-03-12

元件價(jià)格走勢(shì) IC供應(yīng) 緊張

iSuppli預(yù)計(jì)2010年全球半導(dǎo)體營(yíng)收達(dá)2797億美元

據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，2010年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)將達(dá)到2797億美元，雖然這比2009年的2300億美元大增21.5%，但與2008年的2589億美元相比僅增長(zhǎng)8%，而與2007年的2734億美元相比，增長(zhǎng)率只有區(qū)區(qū)的2.3%。

2010-03-12

iSuppli 半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入反彈

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