產(chǎn)品特性：

• 支持20V的輸入電壓
• 電力轉(zhuǎn)換效率高達(dá)91％
• 可降低約70％的封裝面積

應(yīng)用范圍：

• 筆記本電腦的MPU和內(nèi)存等的電壓穩(wěn)壓器

瑞薩科技針對(duì)筆記本電腦的MPU和內(nèi)存等的電壓穩(wěn)壓器，上市了符合“integrated Driver-MOSFET（DrMOS）”標(biāo)準(zhǔn)的功率MOS FET“R2J20653ANP”。新產(chǎn)品支持20V的輸入電壓，電力轉(zhuǎn)換效率高達(dá)91％（輸入電壓為20V、輸出電壓為1.1V時(shí)）。
DrMOS是美國(guó)英特爾提倡的封裝產(chǎn)品規(guī)格，將MPU等的電源所需的兩種功率MOSFET以及驅(qū)動(dòng)這兩種功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)IC（1個(gè)）集成于一個(gè)封裝內(nèi)。此次的產(chǎn)品符合該規(guī)格，可將20V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為1.1V的MPU內(nèi)核電源電壓。

瑞薩此前也一直在開(kāi)發(fā)和提供符合DrMOS標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品。不過(guò)，原來(lái)是面向服務(wù)器和臺(tái)式電腦的、輸入電壓為12V的產(chǎn)品。此次是該公司首次上市可輸入AC適配器20V電壓的高耐壓產(chǎn)品。該產(chǎn)品的輸入電壓為4.5～27V。輸出電壓為0.6V～5.0V。最大額定電流為35A。
與獨(dú)立封裝相比，將降低70％的底板面積
R2J20653ANP將高端（High Side）MOSFET、低端（Low Side）MOSFET以及驅(qū)動(dòng)這兩種MOSFET的驅(qū)動(dòng)IC集成在了一個(gè)封裝內(nèi)。均為瑞薩制造。低端MOSFET內(nèi)置有肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode），降低了開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗。另外，將驅(qū)動(dòng)IC面向兩個(gè)MOSFET的開(kāi)關(guān)控制進(jìn)行了優(yōu)化。由此，在輸入電壓為20V、輸出電壓為1.1V（頻率為300kHz）的條件下，實(shí)現(xiàn)了91％的電力轉(zhuǎn)換效率。

該產(chǎn)品采用了6mmx6mm的小型高散熱式40引腳QFN封裝。與由3個(gè)獨(dú)立封裝構(gòu)成的情況相比，可降低約70％的封裝面積（與該公司原產(chǎn)品相比）。而且最大工作頻率高達(dá)2MHz，有助于外置部件的小型化。

另外，此次的封裝在內(nèi)部連接中采用了無(wú)線結(jié)構(gòu)的銅板，大幅降低了封裝內(nèi)部的電阻。而且大電流路徑采用占據(jù)封裝背面大半部分的端子，因此便于處理電流與熱量的問(wèn)題。

此外，該產(chǎn)品作為符合DrMOS標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品，“業(yè)界首次”（瑞薩）在驅(qū)動(dòng)IC中內(nèi)置了過(guò)熱警告功能（Thermal Warning）和過(guò)熱停止功能（Thermal Shutdown）兩個(gè)階段的過(guò)熱保護(hù)功能，提高了安全性和可靠性。樣品價(jià)格（含稅）為200日元。2009年12月7日開(kāi)始量產(chǎn)。（記者：小島 郁太郎）