機(jī)遇與挑戰(zhàn)：

• 晶圓代工搶攻高階制程市占率，積極擴(kuò)充產(chǎn)能
• 晶圓代工廠積極擴(kuò)充40奈米產(chǎn)能
• 為搶先量產(chǎn)28奈米制程，先進(jìn)制程已成為前幾大晶圓代工業(yè)者主要的競(jìng)逐戰(zhàn)場(chǎng)

市場(chǎng)數(shù)據(jù)：

• 2010年矽晶系統(tǒng)事業(yè)營(yíng)收將大幅成長(zhǎng)140%，高于原估的120%
• ASML則預(yù)估2010年?duì)I收可望突破歷史高點(diǎn)，并較歷史高點(diǎn)再成長(zhǎng) 10~15%

晶圓代工搶攻高階制程市占率，積極擴(kuò)充產(chǎn)能，臺(tái)積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)與三星電子(Samsung Electronics)皆大手筆添購(gòu)設(shè)備，帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)再現(xiàn)產(chǎn)業(yè)循環(huán)高峰，包括應(yīng)用材料(Applied Materials)、艾斯摩爾(ASML)等接單暢旺，不僅走出2009年金融海嘯虧損陰霾，2010年?duì)I收亦可望創(chuàng)佳績(jī)。

根據(jù)市場(chǎng)機(jī)構(gòu)估計(jì)，到 2011年第4季時(shí)，臺(tái)積電、 Global Foundries與三星的45奈米以下制程產(chǎn)能總和的年增率可大幅成長(zhǎng)約3倍。光是臺(tái)積電與Global Foundries，2010年的資本支出總計(jì)就達(dá)79億美元。

晶圓代工廠積極擴(kuò)充40奈米產(chǎn)能，另一方面，也為搶先量產(chǎn)28奈米制程，先進(jìn)制程已成為前幾大晶圓代工業(yè)者主要的競(jìng)逐戰(zhàn)場(chǎng)。設(shè)備業(yè)者分析，除晶圓代工外，DRAM廠再歷經(jīng)過(guò)去1年的慘淡經(jīng)營(yíng)后，也積極轉(zhuǎn)換至高階制程，希望能提高產(chǎn)品單價(jià)，以技術(shù)取得市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，因此造成關(guān)鍵設(shè)備機(jī)臺(tái)缺貨。

應(yīng)材上修營(yíng)運(yùn)展望，受惠于芯片市況好轉(zhuǎn)以及平板計(jì)算機(jī)等新興電子產(chǎn)品的出現(xiàn)，2010年矽晶系統(tǒng)事業(yè)營(yíng)收將大幅成長(zhǎng)140%，高于原估的120%。ASML則預(yù)估2010年?duì)I收可望突破歷史高點(diǎn)，并較歷史高點(diǎn)再成長(zhǎng) 10~15%。

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者分析，由于2009年底開始，市場(chǎng)已嗅到復(fù)蘇氣息，因此開始搶晶圓產(chǎn)能，不過(guò)在過(guò)去一兩年間，許多IDM廠關(guān)閉晶圓廠，讓許多訂單流向晶圓代工，然而晶圓代工無(wú)法支應(yīng)，在短期內(nèi)無(wú)法擴(kuò)充產(chǎn)能之下，則從提升良率下手，因此帶動(dòng)相關(guān)量測(cè)等設(shè)備亦銷售暢旺。

同時(shí)，為因應(yīng)未來(lái)對(duì)40奈米以下制程需求，以及IDM擴(kuò)大委外釋單的趨勢(shì)，晶圓廠亦積極增建新廠，并且瞄準(zhǔn)高階制程應(yīng)用進(jìn)行擴(kuò)增。

在此之下，其實(shí)也讓設(shè)備需求越走越窄，畢竟有能力供應(yīng)高精密度的先進(jìn)儀器廠商并不多，尤其在未來(lái)走向22奈米以下制程，需要如深紫外光(EUV)或無(wú)光罩電子束等技術(shù)之下，能供應(yīng)的廠商屈指可數(shù)，也將使未來(lái)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)生態(tài)出現(xiàn)轉(zhuǎn)變。