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IR 推出P 溝道功率 MOSFET適用于直流應(yīng)用開(kāi)關(guān)

發(fā)布時(shí)間:2010-09-17

產(chǎn)品特性:

  • 改善了電流處理能力
  • 提供廣泛的導(dǎo)通電阻選擇
  • 可以簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)
  • 達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用范圍:

  • 電池充電和放電開(kāi)關(guān)
  • 直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)




全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列-30 V器件,采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件,適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān),以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?,可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無(wú)需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路,使其成為系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“相比上一代產(chǎn)品,這個(gè)新型SO-8 P 溝道 MOSFET系列顯著改善了電流處理能力,更為客戶提供廣泛的導(dǎo)通電阻選擇,以適應(yīng)他們對(duì)溫度和成本的要求。同時(shí),P 溝道技術(shù)也可以簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。”

P 溝道 MOSFET器件達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 標(biāo)準(zhǔn),所采用的材料不含鉛,且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。

 

新器件現(xiàn)已接受訂單,數(shù)據(jù)和應(yīng)用說(shuō)明已刊登于 IR 的網(wǎng)站 http://www.irf.com

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