你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

首個高溫自旋場效應(yīng)晶體管誕生

發(fā)布時間:2011-01-04 來源:中國科學技術(shù)部

新聞事件:
  • 美物理學家研制出首個高溫自旋場效應(yīng)晶體
事件影響:
  • 將給半導體納米電子學和信息技術(shù)領(lǐng)域帶來新氣象

據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)報道,美國得克薩斯A&M大學物理學家杰羅·斯納夫領(lǐng)導的一個國際科研小組在出版的《科學》雜志上宣布,他們研制出了首個能在高溫下工作的自旋場效應(yīng)晶體管(FET),該設(shè)備由電力控制,其功能基于電子的自旋,其中包含一個與門邏輯設(shè)備。新突破將給半導體納米電子學和信息技術(shù)領(lǐng)域帶來新氣象。

英國日立劍橋?qū)嶒炇摇虼髮W、諾丁漢大學、捷克科學院和查爾斯大學的研究人員首次將自旋—螺旋狀態(tài)和異?;魻栃?yīng)結(jié)合在一起,制造出了這種自旋FET,其中包括一個與門邏輯設(shè)備,自旋FET的概念于1989年首次提出,這是科學家首次在其中實現(xiàn)與門邏輯設(shè)備。
要采購晶體么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉