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SiC779CD:Vishay Siliconix 推出高效集成DrMOS解決方案

發(fā)布時間:2011-05-11

SiC779CD產品特性:
  • 工作頻率超過1MHz
  • 效率大于93%
SiC779CD應用范圍:
  • 服務器和桌面電腦
  • 圖形卡和工作站
  • 游戲機和其他采用CPU的高功率系統(tǒng)

日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。

器件的工作頻率超過1MHz,效率大于93%。所有這些都集成在低外形、熱增強型PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝里。新的SiC779CD完全符合針對服務器和桌面電腦、圖形卡、工作站、游戲機和其他采用CPU的高功率系統(tǒng)中電壓調節(jié)器的DrMOS 4.0標準。

SiC779CD的先進柵極驅動IC可接收來自VR控制器的一個PWM輸入,并把輸入轉換成高邊和低邊MOSFET的柵極驅動信號。器件的5V PWM輸入兼容所有控制器,經過特殊設計,可支持具有三態(tài)PWM輸出函數(shù)的控制器。

調節(jié)器可使用3V~16V的輸入電壓進行工作,最高可輸出40A的連續(xù)電流。集成的功率MOSFET為0.8V~2.0V的輸出電壓進行了優(yōu)化,標稱輸入電壓為12V。SiC779CD在5V輸出下可為ASIC應用提供非常高的功率。

器件的驅動IC具有能自動偵測輕負載情況的電路,能自動開啟系統(tǒng)中為在輕負載條件下實現(xiàn)高效率而設計的跳頻模式工作(SMOD)。主動式失效時間控制有助于進一步提高在所有負載點上的效率。保護功能包括UVLO、擊穿保護,在結溫過高時,熱告警功能可對系統(tǒng)發(fā)出報警信號。

在SiC779CD里集成的驅動IC和功率MOSFET能夠減少功率損耗,減小與高頻分立功率級相關的寄生阻抗。設計者可以為高頻開關進行優(yōu)化,改善瞬態(tài)響應,節(jié)約輸出濾波器元件的成本,在多相Vcore應用中實現(xiàn)盡可能高的功率密度。

器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2002/95/EC。

SiC779CD現(xiàn)可提供樣品,將在2011年6月實現(xiàn)量產,大宗訂貨的供貨周期為十周。
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