導言:據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM動態(tài)簡報,雖然DDR4將在今后幾年內(nèi)得到更加廣泛的采用,但芯片巨頭英特爾的支持力度將是決定DDR4能否在DRAM領域獲得成功的關鍵變數(shù)。
考慮到2011年出貨量為零,今年出貨量預計只占總體DRAM領域的1.4%,DDR4在2014年以前不會達到很大的規(guī)模。但DDR4市場兩年后將迅速增長,2014年市場份額將增至23.1%,超過目前占主導地位的DDR3。
2015年將繼續(xù)強勁增長,屆時DDR4的市場份額將接近擴大一倍,達到44.2%。到2016年,DDR4將占據(jù)包括移動DRAM在內(nèi)的總體DRAM市場的一半以上,估計份額將達51.8%,如圖所示。
DDR4的這種急劇增長,假設前提是英特爾全力支持這種新型內(nèi)存產(chǎn)品——沒有理由做出相反的假設。英特爾已經(jīng)宣布,其Haswell微架構(gòu)將支持幾個中央處理單元(CPU),包括Haswell-EP和Haswell-EX。IHS iSuppli公司認為,這兩種CPU產(chǎn)品2013年末或2014年初才會上市,但英特爾很可能在計算應用中采用DDR4,尤其是在其率先提出并積極推動的Ultrabook平臺上面——這將幫助DDR4更快地占領市場。
這種策略將擴大DDR4的潛在市場。英特爾只是為上述應用生產(chǎn)含有DRAM的CPU,但不是專門含有DDR4或其它DRAM產(chǎn)品。支持向新型內(nèi)存技術的過渡符合英特爾的利益,尤其是消費者渴望得到更快的存儲速度和更低的功耗,而這正是DDR4的兩項主要優(yōu)點。
DDR4初期將采用2133MHz的頻率,但帶寬將隨后提高到2667MHz、3200MHz和4267MHz。這與DDR3相比是一種漸進性的改善。DDR3的最高帶寬可達2133MHz。
1.2V的較低工作電壓,也使得DDR4的功耗比1.5V的DDR3減少大約35%。DDR4的工作電壓可能降到更低,也許會低到1.0V,從而可以更加省電。
即便如此,DDR4能否取得全面成功還要看英特爾的態(tài)度。如果英特爾因某種原因決定其CPU減少對DDR4的支持,則DDR4很可能步履維艱或者達不到目前所期望的市場規(guī)模。確實,這種情形不可想像,但在DRAM市場仍然由DDR3統(tǒng)治的情況下,不能不考慮這種可能性。
在DDR4全面推出之前,仍有許多工作要做
目前DDR4正在躍躍欲試,準備在兩年內(nèi)得到更多的采納。但在此之前,仍有許多工作要做。
首先,該技術的最終規(guī)格必須得到標準組織JEDEC的批準,然后DRAM廠商才能在硅片上進行設計。盡管三星電子、SK Hynix Semiconductor和美光等內(nèi)存供應商已經(jīng)宣布了DDR4產(chǎn)品,但仍須完成上述程序。
其次,CPU廠商——主要是英特爾,需要確保其擁有合適的芯片架構(gòu)和內(nèi)存控制器,才能使用DDR4。目前尚不清楚,英特爾打算如何安排其目前的DDR3 CPU產(chǎn)品向DDR4過渡,比如Westmere、Sandy Bridge和Ivy Bridge。但是,英特爾的CPU開發(fā)周期目前處于縮小尺寸階段,顯示其縮小了現(xiàn)有微架構(gòu)的光刻尺寸。
最后,其它內(nèi)存廠商必須在光刻方面實現(xiàn)足夠大的進步,才能滿足DDR4的設計參數(shù)。幸運的是,每個DRAM開發(fā)者都已在采用30納米工藝,這是生產(chǎn)1.2V DDR4所要求的節(jié)點水平。這意味著內(nèi)存產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在已達到DDR4的光刻要求,已經(jīng)具備生產(chǎn)市場所渴望的這種新技術的工藝水平。
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