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導通損耗降低20%的新一代1200V IGBT

發(fā)布時間:2012-09-13 責任編輯:abbywang

【導讀】Microsemi擴展其NPT IGBT產品系列,發(fā)布三款1200V IGBT新產品。相比競爭產品,柵極電荷(Qg)顯著減少,具有更快的開關性能,總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。些IGBT器件設計用于大功率的高性能開關模式產品,比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關電源。


致力于能源、安全、可靠性與高性能領域,全球領先的半導體供應商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT)系列的三款IGBT新產品面世:APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。該產品系列的所有器件均基于美高森美的先進Power MOS 8技術,與競爭解決方案相比,總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件設計用于大功率的高性能開關模式產品,比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關電源。

美高森美的1200V解決方案可與其FRED或碳化硅肖特基(Schottky)二極管組合封裝,為工程師提供高集成度解決方案,以便簡化產品開發(fā)工作。其它特性包括:

相比競爭產品,柵極電荷(Qg)顯著減少,具有更快的開關性能;硬開關運行頻率大于80 KHz,實現(xiàn)更高效的功率轉換;易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù)),提升大功率應用的可靠性;以及額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time,SCWT),在需要短路能力的應用中實現(xiàn)可靠運作。

此外,美高森美將于短期內提供采用SOT-227封裝的APT85GR120JD60器件,包含了一個60A反并聯(lián)(anti-parallel)超快恢復二極管,采用美高森美的專有“DQ”系列低開關損耗、額定雪崩能量二極管技術制造。

封裝和供貨

美高森美公司的APT85GR120B2晶體管采用TO-247 MAX封裝,APT85GR120L采用TO-264封裝,APT85GR120J則采用SOT-227封裝。美高森美新型NPT IGBT器件已完全滿足性能要求并在產,客戶可通過當?shù)亟?jīng)銷商或美高森美銷售代表獲取樣品。

關于美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 為通信、國防與安全、航天,醫(yī)療與工業(yè),以及新能源市場提供業(yè)界綜合性的半導體與系統(tǒng)解決方案系列,包括混合信號集成電路、系統(tǒng)單芯片(SoC)與專用集成電路(ASICS)、可編程模擬解決方案、功率管理產品、時鐘與語音處理器件、射頻解決方案、分立組件,以及以太網(wǎng)供電(PoE)IC與中跨(Midspan)產品。美高森美總部設于美國加利福尼亞州Aliso Viejo,全球員工總數(shù)約3,000人。
 

 

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