愛德萬測試(Advantest)宣布推出專為晶圓所開發(fā)的全新多視角量測掃描式電子顯微鏡(MVM-SEM)系統(tǒng) E3310 ，這套系統(tǒng)可在各種晶圓上量測精細(xì)接腳間距圖樣，以Advantest的專利電子束掃描技術(shù)，實現(xiàn)無人能及的精確性。

E3310 承襲了Advantest光罩用多視角量測掃描式電子顯微鏡E3630的先進(jìn)技術(shù)，可為下一代設(shè)備提供超越群倫的晶圓掃描和量測功能，而其高穩(wěn)定性、高精確性的特色，更成為開發(fā)1Xnm節(jié)點制程與22nm以上節(jié)點制程芯片量產(chǎn)的理想解決方案，有助于縮短制程周期時間，提升芯片質(zhì)量。

過去半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，始終遵循著摩爾定律，但在今日邁向更小制程發(fā)展時仍不免遇上技術(shù)瓶頸。 FinFET (鰭狀場效晶體管)等 3D 晶體管技術(shù)的發(fā)展 ，可望銜接22nm節(jié)點與后續(xù)1Xnm節(jié)點量產(chǎn)之間的鴻溝。Advantest全新 E3310 正可提供高穩(wěn)定性、高精確性的 3D 量測功能，滿足發(fā)展下一代技術(shù)之需。

E3310 的多重偵測器配置設(shè)定，可在1Xnm 節(jié)點穩(wěn)定進(jìn)行高精確性量測。此外，它還提供專利偵測算法，可對目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全面實行的3D FinFET架構(gòu)進(jìn)行量測。此外， E3310 具備了高精確性定位平臺、電荷控制功能、降低污染技術(shù)，即使在掃描式電子顯微鏡高度放大的情況下，仍能穩(wěn)定進(jìn)行全自動量測。

支持的材料除了硅晶圓之外，還包括 AlTiC 、石英、碳化硅晶圓等，每種類型所支持的尺寸從150mm到300mm不等。