在不久前英飛凌電源管理新品媒體見(jiàn)面會(huì)上，英飛凌科技奧地利有限公司全球應(yīng)用市場(chǎng)部市場(chǎng)總監(jiān)Thomas Schmidt展示了英飛凌CoolMOS的最新產(chǎn)品線路圖：在CoolMOS CP和CoolMOS C6/E6之后，英飛凌推出了介于兩者之間的最新產(chǎn)品——600V CoolMOS  P6。
 
                                          
                        圖1：兼顧提供極致性能的技術(shù)和強(qiáng)調(diào)易于使用技術(shù)的CoolMOS™ P6

“這是市場(chǎng)選擇的結(jié)果。” Thomas Schmidt表示：“一開(kāi)始，我們推出了在高效率應(yīng)用上保持標(biāo)桿地位的極致性能產(chǎn)品CoolMOS CP。后來(lái)，發(fā)現(xiàn)工程師需要更容易控制開(kāi)關(guān)速度，更高抗電路板寄生電感和電容能力更容易設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，于是我們推出了CoolMOS  C6或E6?，F(xiàn)在，我們發(fā)現(xiàn)工程師需要在CoolMOS的性能、易用性和成本上達(dá)到一個(gè)平衡，他們需要CoolMOS達(dá)到一定的性能，同時(shí)又需要CoolMOS在EMC的設(shè)計(jì)上變得更見(jiàn)簡(jiǎn)單。”于是，提升系統(tǒng)效率同時(shí)兼顧易于使用的最新600V CoolMOS  P6產(chǎn)品系列誕生了——該產(chǎn)品系列結(jié)合了專注于提供極致性能的技術(shù)（CoolMOS  CP）和強(qiáng)調(diào)易于使用的技術(shù)（如CoolMOS  C6或E6）。

                
                       圖2：英飛凌科技奧地利有限公司全球應(yīng)用市場(chǎng)部市場(chǎng)總監(jiān)Thomas Schmidt

CoolMOS P6能在服務(wù)器、通信設(shè)備的整流器、臺(tái)式機(jī)電源和電子游戲機(jī)等應(yīng)用的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)PFC（功率因數(shù)校正）和PWM（脈寬調(diào)制）拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)出色性能：

• 得益于其更低的柵極電荷Qg，CoolMOS  P6提高了效率（特別是在輕負(fù)載條件下）。
• 具備較高的閾值電壓Vgsth（從C6或E6的3V提高到了4V），實(shí)現(xiàn)提前關(guān)斷，提高軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的效率。
• 由于其性能可靠的體二極管，P6不僅可用于硬開(kāi)關(guān)PFC，也可用于軟開(kāi)關(guān)PWM（如LLC）。
• 經(jīng)優(yōu)化的集成柵極電阻（Rg）阻值最好地兼顧效率和易于使用性以及對(duì)開(kāi)關(guān)行為的有效控制。
• 電壓斜率（dv/dt）從50V/ns提高至100V/ns，確保更可靠的性能和更高開(kāi)關(guān)效率。

下頁(yè)內(nèi)容：提升所有負(fù)載條件下效率的SiC Diode G5[page]

英飛凌科技香港有限公司市場(chǎng)總監(jiān)Billy Ng表示：“使用CoolMOS  P6解決方案，既可以實(shí)現(xiàn)極高的轉(zhuǎn)換效率，又能縮短系統(tǒng)開(kāi)發(fā)時(shí)間。而在價(jià)格不是第一位的服務(wù)器、通信設(shè)備應(yīng)用中，如果將CoolMOS P6和第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢(shì)壘二極管結(jié)合使用，其性價(jià)比在當(dāng)前市場(chǎng)上的所有超級(jí)結(jié)技術(shù)的產(chǎn)品中都處于領(lǐng)先地位。”

第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，是英飛凌的最新SiC（碳化硅）產(chǎn)品。新一代產(chǎn)品相對(duì)于英飛凌以往各代thinQ!TM 產(chǎn)品， PFC升壓級(jí)在所有負(fù)載條件下的效率都得到了進(jìn)一步的提升。“效率的提升源于英飛凌擴(kuò)散焊接工藝的改善：英飛凌將榮獲專利的擴(kuò)散焊接工藝成功地與更緊湊的全新設(shè)計(jì)和最新的薄晶圓技術(shù)有機(jī)結(jié)合在一起，改進(jìn)了熱特性，并使一個(gè)優(yōu)值系數(shù)（Qc x Vf）與英飛凌前代SiC二極管相比降低了大約30%。” Billy Ng介紹。

                
                       圖3 SiC Diode G5和第三代/第二代產(chǎn)品在不同頻率和輸出功率下的效率比較

第三代產(chǎn)品的低容性電荷（Qc）值與第二代產(chǎn)品的正向電壓（Vf）水平相結(jié)合，使第五代產(chǎn)品的PFC電路達(dá)到最高效率水平。SiC Diode G5具備更高的擊穿電壓：650V（第二代和第三代為600V）。對(duì)于太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用以及具有挑戰(zhàn)性的SMPS環(huán)境而言，這種特性可實(shí)現(xiàn)更高的安全裕度。此外，第五代產(chǎn)品還具備高浪涌電流耐受性和更豐富的型號(hào)——包括具備更高額定電流和采用全新封裝（如TO-247 和ThinPAK）的產(chǎn)品。

第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢(shì)壘二極管的目標(biāo)應(yīng)用是高端服務(wù)器和電信SMPS（開(kāi)關(guān)模式電源）、PC銀盒和照明應(yīng)用、太陽(yáng)能逆變器和UPS（不間斷電源）系統(tǒng)等。通過(guò)利用新一代器件，這些應(yīng)用不但可以提高能效，而且還可以降低EMI（電磁干擾），提高系統(tǒng)可靠性，以及縮減成本/尺寸——因制冷要求降低。

CoolMOS  P6從2012年第四季度開(kāi)始提供600V CoolMOS  P6產(chǎn)品樣品。預(yù)計(jì)將于2013年第一季度投入第一批OEM量產(chǎn)。而第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢(shì)壘二極管樣品現(xiàn)已開(kāi)始供貨。[member]