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富士通半導體推出擁有1Mb內存的全新FRAM器件

發(fā)布時間:2014-02-25 來源:富士通 責任編輯:xueqi

【導讀】富士通半導體成功開發(fā)出擁有1Mb內存 (128K字符X 8位)的全新FRAM產品---MB85RC1MT,是所有富士通半導體I2C串行接口產品中最高內存容量的產品,且即日起即可為客戶提供樣品。這個產品擁有I2C接口,適用于工廠自動化控制、測驗儀器及工業(yè)設備。
富士通半導體(上海)有限公司今日宣布,成功開發(fā)出擁有1Mb內存 (128K字符X 8位)的全新FRAM產品---MB85RC1MT,是所有富士通半導體I2C串行接口產品中最高內存容量的產品,且即日起即可為客戶提供樣品。全新MB85RC1MT可保證有一萬億次寫入/擦除 (write/erase) 周期,適用于需要經常重復寫入數(shù)據(jù)之應用,例如工廠自動化、測試儀器及工業(yè)設備所需之實時數(shù)據(jù)登錄應用?,F(xiàn)在富士通半導體同時擁有廣泛的I2C與SPI串行接口產品系列,為客戶提供最符合他們要求的非揮發(fā)性存儲器產品。

圖1:富士通半導體推出擁有1Mb內存的全新FRAM器件
 
FRAM是一種兼具非揮發(fā)性與隨機存取功能的存儲器,能在沒有電源的情況下可儲存及高速寫入數(shù)據(jù)。值得注意的是,在眾多非揮發(fā)性內存技術中,F(xiàn)RAM能保證一萬億次以上的寫入/擦除周期。富士通半導體自1999年開始量產FRAM產品以來,已將上述產品特性廣泛應用在工廠自動化設備、測試儀器、金融終端機及醫(yī)療裝置等領域。
MB85RC1MT可在攝氏零下40度至85度的溫度范圍以1.8V至3.3V工作電壓運作,可支持3.4MHz 的“高速”操作模式,并可在與傳統(tǒng)EEPROM相同的1MHz環(huán)境進行讀寫數(shù)據(jù)作業(yè)。MB85RC1MT保證有一萬億次寫入/擦除周期,大幅超越傳統(tǒng)EEPROM的寫入/擦除周期次數(shù),并可支持I2C接口及其他接口產品的實時數(shù)據(jù)登錄等頻繁的重復寫入數(shù)據(jù)作業(yè)。
此外,對于一些需要使用I2C接口EEPROM應用場合,現(xiàn)在都可以由富士通半導體的新款FRAM產品取而代之,以實現(xiàn)高頻率數(shù)據(jù)輸入和高精度數(shù)據(jù)擷取(如圖2),更能夠降低數(shù)據(jù)寫入的時功耗(如圖3)。
圖2:數(shù)據(jù)寫入/擦除周期比較
圖3:EEPROM和富士通半導體FRAM產品之數(shù)據(jù)寫入作業(yè)功耗比較
MB85RC1MT的出現(xiàn)增加了富士通半導體的FRAM產品陣容:I2C 接口(支持4 Kb至1 Mb內存容量)和SPI接口(16 Kb至2 Mb內存容量)(如圖4)。這些FRAM產品采用業(yè)界標準的8針腳SOP封裝,因而可取代EEPROM或序列閃存,并適用于工廠自動化、測試儀器及工業(yè)設備等應用,更無須大幅修改電路版的設計。
圖4:FRAM產品陣容(序列內存)
富士通半導體將持續(xù)開發(fā)FRAM產品以滿足客戶對低功耗產品之需求,例如需求日益增加的能量采集應用,其中低工作電壓是關鍵要素。
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