【導(dǎo)讀】當(dāng)我手里拿著這塊硬盤時(shí)，忽然意識到20多年前自己拿到40MB硬盤時(shí)欣喜若狂的樣子是多么好笑。而現(xiàn)在，在原來的1TB硬盤損壞之后，我只要花170美元就可以買到一個(gè)3TB的新硬盤。它是怎么做成的？我們?yōu)槭裁磿硭?dāng)然地使用它？我必須探究一下這個(gè)問題。
當(dāng)你的外接式網(wǎng)絡(luò)存儲（NAS）硬盤正在做備份時(shí)，不要試圖在它的周圍進(jìn)行清理，因?yàn)槟憧赡軙龅剿?。我就遇到過這樣的情況，當(dāng)時(shí)我所有的數(shù)據(jù)都存儲在一個(gè)正常運(yùn)行的1TB硬盤上，不小心碰到它后，我的硬盤就幾乎變成了一個(gè)實(shí)實(shí)在在的擋門器。
這款1TBNAS硬盤由西部數(shù)據(jù)公司（Western Digital/WD）生產(chǎn)，屬于My Book World Edition系列。我用它做多臺電腦的備份，還通過共享路由器，用Sonos音頻網(wǎng)絡(luò)播放流音樂。雖然它已經(jīng)損壞，但我仍然可以利用其它的外接硬盤恢復(fù)數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到新買的3TB硬盤中。
當(dāng)我手里拿著這塊硬盤時(shí)，忽然意識到20多年前自己拿到40MB硬盤時(shí)欣喜若狂的樣子是多么好笑。而現(xiàn)在，在原來的1TB硬盤損壞之后，我只要花170美元就可以買到一個(gè)3TB的新硬盤。它是怎么做成的？我們?yōu)槭裁磿硭?dāng)然地使用它？我必須探究一下這個(gè)問題。
經(jīng)過多年的發(fā)展，人們對于電磁鐵、量子原理、材料、信道均衡、電動(dòng)機(jī)控制和電動(dòng)機(jī)定位算法的基礎(chǔ)研究都可通過這些硬盤得以體現(xiàn)。一個(gè)小小的拆卸件可供人們談?wù)摰倪h(yuǎn)不止這些，而我們總是習(xí)以為常地使用硬盤。像往常一樣，我會繼續(xù)研究這些零部件，就像品味一本好書一樣。這種產(chǎn)品凝聚了那么多的想法、研究和創(chuàng)新，將它拋棄實(shí)在于心不忍，但在妻子給我臉色看之前我所了解的只有這些。
1，主控板外殼帶有I/O端口、電源鍵、重置鍵及控制電子元件。
2，控制板外包有金屬罩，通過直角邊緣連接器與硬盤連接。整個(gè)硬盤通過四個(gè)橡膠“減震”支架與主機(jī)箱相連，希望它的減震效果會更好。
3，取下封蓋后，可以看到塑料光導(dǎo)管，即在硬盤前方看起來很酷的、配套的、可以上下燈閃動(dòng)的導(dǎo)管（有沒有霹靂游俠的影迷？跟影片中車燈的效果差不多）。光導(dǎo)管傳輸?shù)墓庠磥碜灾骺匕迳弦粋€(gè)LED池，池中共安裝了6只LED。感覺很奇妙，因?yàn)檫@是我第一次看到原裝的光導(dǎo)管。
4，與WDNAS主控板和接口板連接的安費(fèi)諾（Amphenol）842864SATA003HF90度連接器。
5，鈺創(chuàng)科技（EtronTech）EM6AA160TSA-5G，DDRSDRAM的傳輸速率為256Mbit/s。
6，Marvell88i8846系統(tǒng)控制處理器。
7，由意法半導(dǎo)體公司（ST Microelectronics）生產(chǎn)的SMOOTHL72513.1電機(jī)控制和硬盤集成電路。
[page]
8，與硬盤電機(jī)相連的四腳接口，帶狀心跳線，需牢固、小心地安裝。
9，備用電池。
10，尾部的電源鍵，其后是USB接口、以太網(wǎng)接口、重置鍵和電源輸入接口。
11，共有三個(gè)塑料罩，每個(gè)塑料罩下面裝有兩只LED，燈光被導(dǎo)到硬盤正面。
12，2008年推出的LSITruePHYET1011C2-C千兆以太網(wǎng)收發(fā)器。該產(chǎn)品基于0.13μm技術(shù)開發(fā)，完全遵從IEEE802.3、802.3u及802.3ab等標(biāo)準(zhǔn)。它的主要賣點(diǎn)是使用的過采樣結(jié)構(gòu)可以提高均衡度。
13，由牛津半導(dǎo)體公司（OxfordSemiconductor）生產(chǎn)的OXE810DSE（自PLXTech收購Oxford后改稱為PLX810）是一個(gè)雙SATA千兆以太網(wǎng)控制器。它是主接口IC，通過迷你PCI支持802.11標(biāo)準(zhǔn)。如今它已被NAS7821替代。2010年，BrianDipert也拆卸了一個(gè)更老式的WDNAS硬盤，并在相關(guān)文章中也對PLX芯片進(jìn)行了描述。該P(yáng)LX芯片的DDR2內(nèi)存（HynixHY5PS1G1631C）也為1GB。
14，三個(gè)盤片（盤片及磁頭相關(guān)技術(shù)在過去20年中取得了很大的發(fā)展。欲了解現(xiàn)代存儲技術(shù)，包括巨磁電阻乃至自旋電子和量子比特的更多信息。
15，音圈和釹磁鐵殼（音圈位于上端和下端兩塊磁鐵之間，帶有連接至SMOOTHL7251的四線接口，以控制讀/寫磁頭位置并獲取數(shù)據(jù)）。
16，靜止的磁頭電樞（電樞由左側(cè)位于鍍鎳釹磁鐵之間的音圈電機(jī)驅(qū)動(dòng)，鍍鎳釹磁鐵是當(dāng)今吸引力最強(qiáng)的永磁）。
