【導讀】雙向可控硅憑借僅使一個觸發(fā)器就能夠觸發(fā)的優(yōu)勢，成為目前理想且實用的交流開關(guān)器件。隨著雙向可控硅在電子電路中的應用逐漸增多，雙向可控硅的原理和應用也逐漸受到關(guān)注。本文就詳細介紹了雙向可控硅導通的設(shè)計準則。
導通
1.高IGT：需要高峰值IG。
2.由IG觸發(fā)到負載電流開始流動，兩者之間遲后時間較長：要求IG維持較長時間。
3.低得多的dIT/dt承受能力：若控制負載具有高dI/dt值（例如白熾燈的冷燈絲），門極可能發(fā)生強烈退化。
4.高IL值（1-工況亦如此）：對于很小的負載，若在電源半周起始點導通，可能需要較長時間的IG，才能讓負載電流達到較高的IL。在標準的AC相位控制電路中，如燈具調(diào)光器和家用電器轉(zhuǎn)速控制，門極和MT2的極性始終不變。這表明，工況總是在1+和3-象限，這里雙向可控硅的切換參數(shù)相同。這導致對稱的雙向可控硅切換，門極此時最靈敏。
說明：以1+、1-、3-和3+標志四個觸發(fā)象限，完全是為了簡便，例如用1+取代“MT2+，G+”等等。這是從雙向可控硅的V/I特性圖導出的代號。正的MT2相應正電流進入MT2，相反也是（見圖3）。實際上，工況只能存在1和3象限中。上標+和-分別表示門極輸入或輸出電流。
將上述內(nèi)容進行精華總結(jié)，就是本文中想要向大家傳達的，雙向可控硅中導通的關(guān)鍵準則：設(shè)計雙向可控硅觸發(fā)電路時，只要有可能，就要避開3+象限（WT2-，G+）。
本文針對雙向可控硅應用中關(guān)于導通方面的內(nèi)容進行精華總結(jié)，給出言簡意賅總結(jié)內(nèi)容的同時，還將規(guī)則的由來與原理進行了講解，方便讀者理解。在進行雙向可控硅設(shè)計之前不妨花上幾分鐘來閱讀本文，詳細一定會有意想不到的收獲。
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