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新思科技數(shù)字與定制設(shè)計(jì)平臺(tái)通過(guò)TSMC 5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證
發(fā)布時(shí)間:2018-10-23 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】2018年10月23日,中國(guó) 北京——新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼: SNPS)宣布,新思科技數(shù)字和定制設(shè)計(jì)平臺(tái)通過(guò)了TSMC最先進(jìn)的5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證。該認(rèn)證是多年廣泛合作的結(jié)果,旨在提供更優(yōu)化的設(shè)計(jì)解決方案,加快下一代設(shè)計(jì)的發(fā)展進(jìn)程。
重點(diǎn):
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● IC Compiler II和Design Compiler Graphical提供了統(tǒng)一流程,實(shí)現(xiàn)最低功耗、最佳性能和最優(yōu)面積。
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● StarRC、PrimeTime和PrimeTime PX支持全流程設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)并提供時(shí)序和功耗分析的signoff支持。
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● 具有先進(jìn)仿真解決方案的新思科技定制設(shè)計(jì)平臺(tái)支持最新5nm設(shè)計(jì)規(guī)則和FinFET器件模型。
Design Compiler® Graphical綜合工具經(jīng)過(guò)了嚴(yán)格的5nm啟用驗(yàn)證,并證明了與IC Compiler™ II布局布線工具在時(shí)序、面積、功耗和布線擁塞方面的相關(guān)一致性。Design Compiler Graphical 5nm創(chuàng)新技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)最佳性能、最低功耗和最優(yōu)面積,這些新技術(shù)包括過(guò)孔支柱優(yōu)化、多位庫(kù)和引腳接入優(yōu)化。
IC Compiler II的增強(qiáng)功能是滿足設(shè)計(jì)密度要求的關(guān)鍵。在優(yōu)化過(guò)程中可內(nèi)在地處理復(fù)雜的、多變量以及二維的單元布局,同時(shí)最大限度提高下游可布線性以及整體的設(shè)計(jì)收斂。
新思科技PrimeTime®時(shí)序分析和signoff解決方案中的POCV分析已得到增強(qiáng),能夠準(zhǔn)確地捕獲由于工藝縮放和通常用于實(shí)現(xiàn)能源效率而采用的低電壓操作導(dǎo)致的非線性變化。此外,PrimeTime物理感知ECO已擴(kuò)展到能夠支持更復(fù)雜的版圖規(guī)則,以改善擁塞、布局和引腳接入感知。
TSMC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)部資深總監(jiān)Suk Lee表示,“5nm EUV技術(shù)是TSMC的核心里程碑,在提供業(yè)界最佳的工藝技術(shù)方面繼續(xù)擴(kuò)大了我們?cè)诟鼜V泛行業(yè)中的領(lǐng)先地位。我們一直保持與新思科技的密切合作,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程并縮短上市時(shí)間,以幫助我們的共同用戶在這一新的工藝節(jié)點(diǎn)上使用新思科技設(shè)計(jì)平臺(tái)。此次合作最大程度地使該工藝在高性能計(jì)算和超低功耗移動(dòng)應(yīng)用上得以發(fā)揮優(yōu)勢(shì)。我們期待為下一代工藝節(jié)點(diǎn)繼續(xù)合作。”
新思科技芯片設(shè)計(jì)事業(yè)部營(yíng)銷與商務(wù)開發(fā)副總裁Michael Jackson表示,“我們始終保持與TSMC廣泛合作,幫助我們的共同用戶在新思科技設(shè)計(jì)平臺(tái)上充分利用TSMC 5nm工藝技術(shù)的優(yōu)勢(shì),從而加快世界領(lǐng)先的高密度芯片從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)的過(guò)程,實(shí)現(xiàn)最低功耗、最佳性能和最優(yōu)面積。”
新思科技設(shè)計(jì)平臺(tái)相關(guān)技術(shù)文件、庫(kù)和寄生參數(shù)數(shù)據(jù)可以從TSMC獲得,并用于5nm工藝技術(shù)。通過(guò)TSMC 5nm FinFET工藝認(rèn)證的新思科技設(shè)計(jì)平臺(tái)的關(guān)鍵工具和功能包括:
● IC Compiler II布局和布線:全自動(dòng)、全著色布線和提取支持,新一代布局及布局合法化技術(shù)能夠進(jìn)一步減少單元占用空間,以及面向高設(shè)計(jì)利用率的先進(jìn)布局合法化技術(shù)和引腳接入建模。
● PrimeTime時(shí)序signoff:針對(duì)低電壓和增強(qiáng)型ECO技術(shù)的先進(jìn)片上變異建模,支持新的物理設(shè)計(jì)規(guī)則。
● PrimeTime PX功耗分析:先進(jìn)的功耗建模,可準(zhǔn)確分析超高密度標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)的漏電影響。
● StarRC提取signoff:先進(jìn)的建模以處理5nm器件的復(fù)雜性,以及一套通用技術(shù)文件用于保證從邏輯綜合到布局布線到signoff的寄生參數(shù)提取一致性。
● IC Validator物理signoff:原生開發(fā)的合格DRC、LVS和金屬填充運(yùn)行集,與TSMC設(shè)計(jì)規(guī)則同時(shí)發(fā)布。
● HSPICE®、CustomSim™和FineSim®仿真解決方案:支持Monte Carlo的FinFET器件建模,以及精確的電路仿真結(jié)果,用于模擬、邏輯、高頻和SRAM設(shè)計(jì)。
● CustomSim可靠性分析:針對(duì)5nm EM規(guī)則的精確動(dòng)態(tài)晶體管級(jí)IR/EM分析。
● Custom Compiler™定制設(shè)計(jì):支持全新5nm設(shè)計(jì)規(guī)則、著色流程、多晶硅通道區(qū)域以及新的MEOL連接要求。
● NanoTime定制設(shè)計(jì)時(shí)序分析:針對(duì)5nm器件的運(yùn)行時(shí)間和內(nèi)存優(yōu)化,F(xiàn)inFET堆的POCV分析,以及面向定制邏輯、宏單元和嵌入式SRAM的增強(qiáng)型信號(hào)完整性分析。
● ESP-CV定制設(shè)計(jì)功能驗(yàn)證:面向SRAM、宏單元和庫(kù)單元設(shè)計(jì)的晶體管級(jí)符號(hào)等價(jià)性檢查。
關(guān)于新思®
新思科技(Synopsys, Inc.,納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼: SNPS)致力于創(chuàng)新改變世界,在芯片到軟件的眾多領(lǐng)域,新思科技始終引領(lǐng)技術(shù)趨勢(shì),與全球科技公司緊密合作,共同開發(fā)人們所依賴的電子產(chǎn)品和軟件應(yīng)用。新思科技是全球排名第一的芯片自動(dòng)化設(shè)計(jì)解決方案提供商,全球排名第一的芯片接口IP供應(yīng)商,同時(shí)也是信息安全和軟件質(zhì)量的全球領(lǐng)導(dǎo)者。作為半導(dǎo)體、人工智能、汽車電子及軟件安全等產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)驅(qū)動(dòng)者,新思科技的技術(shù)一直深刻影響著當(dāng)前全球五大新興科技創(chuàng)新應(yīng)用:智能汽車、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、云計(jì)算和信息安全。
新思科技成立于1986年,總部位于美國(guó)硅谷,目前擁有13000多名員工,分布在全球100多個(gè)分支機(jī)構(gòu)。2018財(cái)年預(yù)計(jì)營(yíng)業(yè)額31億美元,擁有3000多項(xiàng)已批準(zhǔn)專利,為美國(guó)標(biāo)普500指數(shù)成分股龍頭企業(yè)。
自1995年在中國(guó)成立新思科技以來(lái),新思科技已在北京、上海、深圳、廈門、武漢、西安、南京、香港、澳門九大城市設(shè)立機(jī)構(gòu),員工人數(shù)超過(guò)1100人,建立了完善的技術(shù)研發(fā)和支持服務(wù)體系,秉持“加速創(chuàng)新、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)、成就客戶”的理念,與產(chǎn)業(yè)共同發(fā)展,成為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的優(yōu)秀伙伴和堅(jiān)實(shí)支撐。新思科技攜手合作伙伴共創(chuàng)未來(lái),讓明天更有新思!
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