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安防監(jiān)控

熱插拔功能的電源模塊應用與熱插拔運行中的安全控制

帶電插撥功能也稱為熱插拔功能，在電源設(shè)計中是非常重要的。在采用故障容限電源架構(gòu)的應用中，都要求帶有熱插拔功能以滿足零停機時間的要求。在現(xiàn)代模擬通信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)中，通常都必需滿足這個要求。本文將與您一同探討熱插拔功能的電源模塊應用與安全控制...

2011-03-31

熱插拔安全控制電源

消費者下月就會看到日本電子產(chǎn)品和汽車短缺

距離日本東部海域發(fā)生9級強烈地震半個多月后，設(shè)備損壞和電力不足對日本企業(yè)迅速恢復生產(chǎn)造成莫大障礙。粗略統(tǒng)計，這些企業(yè)包括：豐田、本田、富士重工、日產(chǎn)、馬自達、鈴木等汽車巨頭；索尼、東芝、夏普、尼康、佳能、NEC，以及全球第五大芯片制造商日本瑞薩電子等電子巨頭、全球硅芯片巨頭信越化...

2011-03-30

日本地震消費者電子產(chǎn)品汽車 ipad

2011年前2個月電子信息制造業(yè)開局平穩(wěn)

2011年，我國電子信息制造業(yè)均開局良好，呈現(xiàn)平穩(wěn)增長的態(tài)勢，前兩個月增加值增長14.3％，比工業(yè)平均水平高0.2個百分點；實現(xiàn)銷售產(chǎn)值9706億元，同比增長21.6％...

2011-03-30

電子信息制造計算機家用視聽

CMIC：2015年全球LTCC總產(chǎn)值將突破30億美元

目前LTCC技術(shù)已經(jīng)進入更新的應用階段，包括無線局域網(wǎng)絡(luò)、地面數(shù)字廣播、全球定位系統(tǒng)接收器組件、數(shù)字信號處理器和記憶體等及其他電源供應組件甚至是數(shù)位電路組件基板。隨著通訊、電腦和汽車電子產(chǎn)品的廣泛應用，低溫共燒陶瓷（LTCC）技術(shù)將成為世界電感制造業(yè)的重大發(fā)展趨勢。

2011-03-30

CMIC LTCC 低溫共燒陶瓷

Vishay兩產(chǎn)品榮獲EN-Genius的年度產(chǎn)品獎

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，其VCNL4000接近與環(huán)境光光學傳感器及SiR880DP ThunderFET? 80 V功率MOSFET榮獲EN-Genius Network (www.en-genius.net)頒發(fā)的年度產(chǎn)品獎，該網(wǎng)站在為電子設(shè)計工程師提供信息來源方面走在業(yè)界前列。

2011-03-30

功率MOSFET 光學傳感器 EN-Genius

六大趨勢引領(lǐng)消費電子產(chǎn)業(yè)突破性發(fā)展

隨著世界各地人們對移動設(shè)備的使用量與日俱增，人們對設(shè)備之間有相同的存取入口并可支持不同設(shè)備互連的需求也相對地大為提高。無論是在家里、辦公室或是路途中，人們希望可以有更快捷方便并且相同的路徑來存取語音、數(shù)據(jù)和視頻。此外，由于科技發(fā)展使智能手機和平板電腦擁有與傳統(tǒng)桌上型產(chǎn)品媲美的...

2011-03-30

趨勢消費電子移動通訊信息科技電源網(wǎng)絡(luò)互通嵌入技術(shù)

數(shù)控直流穩(wěn)壓電源設(shè)計

隨著新型電力電子器件和適于更高開關(guān)頻率的電路拓撲的不斷出現(xiàn)，傳統(tǒng)應用技術(shù)，由于功率器件性能的限制使開關(guān)電源性能的影響減至最小，新型的電源電路拓撲和新型的控制技術(shù)，可使功率開關(guān)工作在零電壓或零電流狀態(tài)。本文將和你一起探討數(shù)控直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計...

2011-03-30

數(shù)控直流穩(wěn)壓電源數(shù)控直流穩(wěn)壓電源設(shè)計電源

日企及時復工望抑制原材料漲價趨勢

重創(chuàng)后的日本電子企業(yè)陸續(xù)開始恢復生產(chǎn)。近日富士通、NEC、松下、東芝、索尼等公司部分業(yè)務(wù)開始重新啟動。

2011-03-29

日本地震復工原材料富士通 NEC 松下東芝索尼

PLTT:Vishay推出更大工作溫度范圍的精密薄膜電阻應用于工業(yè)設(shè)備

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內(nèi)工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT。與傳統(tǒng)薄膜電阻相比，PLTT電阻的工作溫度范圍幾乎擴大了100℃，并具有低至±5ppm/℃的標準TCR和低至±0.02%的容差。

2011-03-29

精密薄膜電阻溫度范圍

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