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意法半導(dǎo)體發(fā)布封裝尺寸僅2mm×2mm的3軸加速度傳感器
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）發(fā)布了實現(xiàn)小型化及低耗電的3軸MEMS加速度傳感器。封裝尺寸為2mm×2mm，達(dá)到了業(yè)界最高水平。耗電量最小可減至數(shù)μA以下。主要用于手機等要求小尺寸、低耗電的消費類電子設(shè)備。
2010-01-29
意法半導(dǎo)體 封裝尺寸 3軸加速度 傳感器
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兩岸平板顯示業(yè)攜手打造完整產(chǎn)業(yè)鏈
長期以來，大陸平板顯示業(yè)雖然涌現(xiàn)出ＴＣＬ、海信、長虹、康佳、海爾等知名平板電視企業(yè)，但卻缺乏上游核心技術(shù)，面板和模組等主要零部件受制于日韓等國大廠，深受“有下游沒上游”之困。臺灣面板業(yè)雖為島內(nèi)龍頭產(chǎn)業(yè)，但主要依靠出口，“有上游無下游”困境明顯。
2010-01-28
兩岸 平板顯示 攜手 完整 產(chǎn)業(yè)鏈
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2010年美國小型半導(dǎo)體公司恐掀被并潮
據(jù)路透(Reuters)報導(dǎo)，由于整體經(jīng)濟疲弱，半導(dǎo)體廠商要靠自家的力量達(dá)到營收成長，相對難度較高，因此購并在利基型市場上有獨到技術(shù)的小型廠商，將是2010年的趨勢，而這些小型的半導(dǎo)體廠商恐怕也會掀起被購并潮。
2010-01-28
美國 小型半導(dǎo)體 被并潮
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變頻器未來發(fā)展凸現(xiàn)六種特性
變頻器是運動控制系統(tǒng)中的功率變換器。當(dāng)今的運動控制系統(tǒng)是包含多種學(xué)科的技術(shù)領(lǐng)域，總的發(fā)展趨勢是：驅(qū)動的交流化，功率變換器的高頻化，控制的數(shù)字化、智能化和網(wǎng)絡(luò)化。因此，變頻器作為系統(tǒng)的重要功率變換部件，提供可控的高性能變壓變頻的交流電源而得到迅猛發(fā)展。
2010-01-28
變頻器 未來發(fā)展 凸現(xiàn) 特性
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山西首批大型并網(wǎng)太陽能發(fā)電項目開工
山西首批大型并網(wǎng)太陽能發(fā)電項目——山西國際電力集團右玉小五臺一期10MW、平魯阻虎一期5MW太陽能發(fā)電項目正式開工。
2010-01-28
山西 大型并網(wǎng) 太陽能 發(fā)電項目
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。
2010-01-27
Vishay 101/102 PHR-ST 電容器 RoHS指令 UPS設(shè)備
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
Vishay MOSFET FET?技術(shù)
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罐式電容式電壓互感器研制成功
國網(wǎng)電科院研制的罐式結(jié)構(gòu)特高壓電容式電壓互感器。其短時工頻耐受電壓達(dá)到1100kV/5min、雷電沖擊耐受電壓達(dá)到2400kV、操作沖擊耐受電壓達(dá)到1800kV，二次繞組準(zhǔn)確級達(dá)到0.2/0.5/0.5(3P)/3P。
2010-01-27
罐式電容式 電壓互感器 研制成功
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江門建LED產(chǎn)業(yè)基地 2015年產(chǎn)值或達(dá)500億
昨天在江門市召開的2010年全國半導(dǎo)體照明電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布及宣貫大會上，江門市常務(wù)副市長吳紫驪宣布，江門市將大力發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)，到2015年實現(xiàn)500億元產(chǎn)業(yè)規(guī)模，建設(shè)中國重要的LED產(chǎn)業(yè)基地。
2010-01-27
江門 LED產(chǎn)業(yè) 基地 產(chǎn)值
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