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HbbTV與GoogleTV平臺(tái)的技術(shù)特征
Google公司將GoogleTV平臺(tái)完全開(kāi)放源代碼，其本質(zhì)目的是使GoogleTV終端能夠訪(fǎng)問(wèn)他們的Android應(yīng)用商店，他們通過(guò)此應(yīng)用商店獲取利益，而并非真正是為了數(shù)字電視業(yè)界有一個(gè)普遍適用的技術(shù)平臺(tái)而無(wú)利益的考量。本文對(duì)比HbbTV與GoogleTV平臺(tái)的技術(shù)特征來(lái)為大家揭開(kāi)GoogleTV的來(lái)龍去脈
2010-12-10
HbbTV GoogleTV WebTV
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第九屆中國(guó)（深圳）國(guó)際手機(jī)科技展覽會(huì)
國(guó)際|手機(jī)|科技
2010-12-09
國(guó)際 手機(jī) 科技
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XLamp? CXA20：科銳推出業(yè)界首款照明級(jí) LED 陣列簡(jiǎn)化室內(nèi)照明
LED照明領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者科銳公司日前宣布推出業(yè)界首款照明級(jí)LED陣列——XLamp? CXA20 LED 陣列，該陣列是照明級(jí)陣列中的首款產(chǎn)品，旨在加速LED照明革新，它能夠以11W的功率實(shí)現(xiàn) 60W A型白熾燈的亮度。
2010-12-09
XLamp? CXA20 LED 陣列 室內(nèi)照明
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未來(lái)18個(gè)月智能手機(jī)和平板電腦出貨量超PC
北京時(shí)間12月7日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司IDC表示，未來(lái)18個(gè)月智能手機(jī)、平板電腦和其它應(yīng)用設(shè)備出貨量將超過(guò)PC。
2010-12-09
智能手機(jī) 平板電腦 PC 應(yīng)用設(shè)備
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中國(guó)在觸控屏方面有更大發(fā)展機(jī)遇
觸控技術(shù)未來(lái)如何發(fā)展?很多人認(rèn)為是逐漸向大屏幕發(fā)展，在第五屆全觸展上，我們也注意到很多廠(chǎng)家展示了超過(guò)70寸的全觸控屏幕，錢(qián)金維表示蘇州安浙還開(kāi)發(fā)了多達(dá)100寸的投影觸控技術(shù)---原理是利用紅外技術(shù)，在觸筆端有紅外發(fā)射裝置，投影機(jī)可以接收紅外信號(hào)，判斷觸點(diǎn)和行為，這個(gè)可以給未來(lái)的教學(xué)或者...
2010-12-09
觸控屏 GPS 投影觸控 半導(dǎo)體
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三洋量產(chǎn)全球轉(zhuǎn)換率最高的太陽(yáng)能電池
路透(Reuters)報(bào)導(dǎo)指出，日廠(chǎng)三洋電機(jī)(Sanyo Electric)日前表示，將開(kāi)始量產(chǎn)號(hào)稱(chēng)全球轉(zhuǎn)換率最高、達(dá)21.6%的HIT太陽(yáng)能電池，并計(jì)劃于2011年2月起在歐洲市場(chǎng)販?zhǔn)?。目前三洋在歐洲市場(chǎng)販?zhǔn)鄣奶?yáng)能轉(zhuǎn)換率最高為21.1%。
2010-12-09
太陽(yáng)能電池 電漿面板 HIT
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PSMN1R0-30YLC：恩智浦推出業(yè)界最低RDSon的MOSFET用于電子產(chǎn)品
恩智浦半導(dǎo)體NXP SemicONductors N.V.日前發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時(shí)僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專(zhuān)門(mén)針對(duì)4.5V開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專(zhuān)門(mén)針對(duì)高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了...
2010-12-08
PSMN1R0-30YLC 恩智浦半導(dǎo)體 Power-SO8 MOSFET 電子產(chǎn)品
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PSMN1R0-30YLC：恩智浦推出業(yè)界最低RDSon的MOSFET用于電子產(chǎn)品
恩智浦半導(dǎo)體NXP SemicONductors N.V.日前發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時(shí)僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專(zhuān)門(mén)針對(duì)4.5V開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專(zhuān)門(mén)針對(duì)高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了...
2010-12-08
PSMN1R0-30YLC 恩智浦半導(dǎo)體 Power-SO8 MOSFET 電子產(chǎn)品
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PSMN1R0-30YLC：恩智浦推出業(yè)界最低RDSon的MOSFET用于電子產(chǎn)品
恩智浦半導(dǎo)體NXP SemicONductors N.V.日前發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時(shí)僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專(zhuān)門(mén)針對(duì)4.5V開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專(zhuān)門(mén)針對(duì)高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了...
2010-12-08
PSMN1R0-30YLC 恩智浦半導(dǎo)體 Power-SO8 MOSFET 電子產(chǎn)品
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