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歐盟批準松下收購三洋需剝離電池業(yè)務(wù)
歐盟委員會29日決定，批準日本松下電器收購三洋電機，但前提條件是兩家企業(yè)合并后必須出售在歐洲的部分電池生產(chǎn)業(yè)務(wù)，以消除競爭擔憂。
2009-10-12
歐盟 松下 收購 三洋
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臺灣首例氮化鋁投資 LED成本降3成
臺灣國立成功大學和金鋁公司今天簽約共同投資生產(chǎn)氮化鋁，也是臺灣第一個氮化鋁產(chǎn)業(yè)；金鋁公司表示，臺灣氮化鋁都是從國外進口，國內(nèi)產(chǎn)製后，氮化鋁成本預估降低3成。
2009-10-12
臺灣 金鋁 氮化鋁 國立成功大學
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電源及控制電路是半導體照明的關(guān)鍵
目前發(fā)展半導體照明產(chǎn)業(yè)的問題是：LED燈具用電源和控制電路、LD(半導體激光器)照明和半導體照明配套政策必須引起我們的高度重視。
2009-10-12
LED LD 照明
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電子元器件在電路仿真中的建模
計算機仿真具有效率高、精度高、可靠性高和成本低等特點，已被廣泛應(yīng)用于電力電子電路(或系統(tǒng))的分析和設(shè)計。目前各種仿真工具中都自帶很多常用的元器件模型，但是自帶模型庫永遠跟不上電子元器件的更新速度。這里針對建模的重要性和必要性，研究當前流行的電子電路仿真工具的電子元器件模型，提出...
2009-10-12
計算機仿真 建模的 參數(shù)建模法 子電路建模法
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FSSD06 /FSSD07 :飛兆半導體推出通信功能的存儲器開關(guān)
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)為手機、數(shù)碼相機和便攜應(yīng)用設(shè)計人員提供兩款存儲器開關(guān)產(chǎn)品 FSSD06 和 FSSD07 ，擴展了普通處理器至安全數(shù)字(SD)、安全數(shù)字I/O (SDIO) 和多媒體卡 (MMC)等外設(shè)的通信功能。
2009-10-12
FSSD06 FSSD07 開關(guān) 便攜應(yīng)用 手機
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FSSD06 /FSSD07 :飛兆半導體推出通信功能的存儲器開關(guān)
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)為手機、數(shù)碼相機和便攜應(yīng)用設(shè)計人員提供兩款存儲器開關(guān)產(chǎn)品 FSSD06 和 FSSD07 ，擴展了普通處理器至安全數(shù)字(SD)、安全數(shù)字I/O (SDIO) 和多媒體卡 (MMC)等外設(shè)的通信功能。
2009-10-12
FSSD06 FSSD07 開關(guān) 便攜應(yīng)用 手機
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FDFME3N311ZT：飛兆半導體實現(xiàn)高效率的升壓開關(guān)
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT，有助提高手機、醫(yī)療、便攜和消費應(yīng)用設(shè)計的升壓轉(zhuǎn)換電路效率。該器件結(jié)合了30V集成式N溝道PowerTrench? MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設(shè)計的效率。
2009-10-12
FDFME3N311ZT MOSFET 飛兆半導體
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FDFME3N311ZT：飛兆半導體實現(xiàn)高效率的升壓開關(guān)
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT，有助提高手機、醫(yī)療、便攜和消費應(yīng)用設(shè)計的升壓轉(zhuǎn)換電路效率。該器件結(jié)合了30V集成式N溝道PowerTrench? MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設(shè)計的效率。
2009-10-12
FDFME3N311ZT MOSFET 飛兆半導體
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安華高科技推出高速互連應(yīng)用先進嵌入式光學引擎技術(shù)
Avago Technologies(安華高科技)10月2日宣布，公司已經(jīng)開發(fā)出一項突破性的嵌入式光學引擎技術(shù)，可以為各種廣泛的電子計算和消費類應(yīng)用帶來高速互連的能力。
2009-10-12
嵌入式光學引擎 Light Peak 安華高
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