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RAYSPAN 的超材料天線提升NETGEAR終極聯(lián)網(wǎng)設(shè)備性能
RAYSPAN Corporation近日宣布，提供技術(shù)性創(chuàng)新的品牌聯(lián)網(wǎng)解決方案全球供應(yīng)商 NETGEAR(R), Inc.已經(jīng)將該公司的超材料 (Metamaterial) 天線嵌入到其最新推出的高性能多功能無線路由器 -- RangeMax(TM) 雙頻無線-N 千兆路由器
2009-09-25
千兆路由器 雙頻無線
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IHLP-6767GZ-11：Vishay新款高性能IHLP電感器
日前，Vishay宣布，推出采用6767外殼尺寸、占位面積為17.15mm×17.15mm、厚度為7.0mm的新款I(lǐng)HLP薄厚度、高電流電感器 --- IHLP-6767GZ-11。該款電感器可提供高達(dá)75.5A的電流，0.33μH～100μH的標(biāo)準(zhǔn)感值是復(fù)合表面貼裝電感器中最高的。
2009-09-25
Vishay IHLP 電感器 移動(dòng)設(shè)備
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IHLP-6767GZ-11：Vishay新款高性能IHLP電感器
日前，Vishay宣布，推出采用6767外殼尺寸、占位面積為17.15mm×17.15mm、厚度為7.0mm的新款I(lǐng)HLP薄厚度、高電流電感器 --- IHLP-6767GZ-11。該款電感器可提供高達(dá)75.5A的電流，0.33μH～100μH的標(biāo)準(zhǔn)感值是復(fù)合表面貼裝電感器中最高的。
2009-09-25
Vishay IHLP 電感器 移動(dòng)設(shè)備
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IHLP-6767GZ-11：Vishay新款高性能IHLP電感器
日前，Vishay宣布，推出采用6767外殼尺寸、占位面積為17.15mm×17.15mm、厚度為7.0mm的新款I(lǐng)HLP薄厚度、高電流電感器 --- IHLP-6767GZ-11。該款電感器可提供高達(dá)75.5A的電流，0.33μH～100μH的標(biāo)準(zhǔn)感值是復(fù)合表面貼裝電感器中最高的。
2009-09-25
Vishay IHLP 電感器 移動(dòng)設(shè)備
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iphone進(jìn)中國將助長(zhǎng)中國智能手機(jī)市場(chǎng)
iSuppli指出，蘋果公司(Apple)在中國推出iPhone手機(jī)，預(yù)計(jì)將有助于拉抬2010與2011年全球智能手機(jī)的出貨成長(zhǎng)。
2009-09-24
iphone 智能手機(jī)
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USB 3.0線纜和連接器的阻抗和插損測(cè)試
下一代串行數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)采用的高速率已經(jīng)進(jìn)入到微波領(lǐng)域。比如，即將到來的SuperSpeed USB(USB 3.0)通過雙絞線對(duì)線纜傳輸速的率就達(dá)到了5Gb/s。通過連接器和線纜傳輸如此高的速率必須考慮通道的不連續(xù)性引起的失真。為了將失真程度保持在一個(gè)可控的水平，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了線纜和連接器對(duì)的阻抗和回波損耗。最...
2009-09-24
USB 3.0 線纜 連接器 阻抗 插損測(cè)試 雙絞線 S參數(shù) TDR
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Seielect公司推出薄型大功率的薄膜電阻器
薄膜電阻器系列能可靠地替代高功率厚膜電阻，具有高額定功率和不受硫污染影響。Seielect公司推出薄型大功率的薄膜電阻器RNCP該電阻的RNCP系列提供薄膜技術(shù)的所有優(yōu)勢(shì)，包括高功率、高穩(wěn)定性和低噪音。
2009-09-24
RNCP 薄型大功率的薄膜電阻器
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Seielect公司推出薄型大功率的薄膜電阻器
薄膜電阻器系列能可靠地替代高功率厚膜電阻，具有高額定功率和不受硫污染影響。Seielect公司推出薄型大功率的薄膜電阻器RNCP該電阻的RNCP系列提供薄膜技術(shù)的所有優(yōu)勢(shì)，包括高功率、高穩(wěn)定性和低噪音。
2009-09-24
RNCP 薄型大功率的薄膜電阻器
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英飛凌再度稱雄功率電子市場(chǎng)
英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場(chǎng)》報(bào)告稱，2008年，此類器件的全球市場(chǎng)增長(zhǎng)了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長(zhǎng)率高達(dá)7.8%。
2009-09-24
英飛凌 IGBT MOSFET
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