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英特爾開發(fā)出突破性硅基APD
英特爾(Intel)周日宣布，他們在通往光計(jì)算機(jī)的道路上又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。Intel在最新一期自然雜志上發(fā)表的文章宣稱，公司已經(jīng)使用硅材料創(chuàng)造了雪崩光電二極管（APD）的性能世界紀(jì)錄，頻率高達(dá)340GHz。
2008-12-11
光計(jì)算機(jī) 光腦 光通訊 雪崩光電二極管 APD 二極管
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2008年中國電子高峰論壇精彩演講稿火熱下載
2008年中國電子高峰論壇精彩演講稿
2008-12-10
電子高峰論壇 資料下載
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南昌將建設(shè)中國最大“LED制造中心”
記者從有關(guān)部門獲悉，南昌市在高新區(qū)規(guī)劃了800畝用地，正在打造以晶能光電等公司為龍頭的LED特色產(chǎn)業(yè)園，使南昌成為中國最大的“LED制造中心”。
2008-12-10
LED 硅襯底發(fā)光二極管 LED制造中心 南昌市
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南昌將建設(shè)中國最大“LED制造中心”
記者從有關(guān)部門獲悉，南昌市在高新區(qū)規(guī)劃了800畝用地，正在打造以晶能光電等公司為龍頭的LED特色產(chǎn)業(yè)園，使南昌成為中國最大的“LED制造中心”。
2008-12-10
LED 硅襯底發(fā)光二極管 LED制造中心 南昌市
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南昌將建設(shè)中國最大“LED制造中心”
記者從有關(guān)部門獲悉，南昌市在高新區(qū)規(guī)劃了800畝用地，正在打造以晶能光電等公司為龍頭的LED特色產(chǎn)業(yè)園，使南昌成為中國最大的“LED制造中心”。
2008-12-10
LED 硅襯底發(fā)光二極管 LED制造中心 南昌市
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NEC東金將開始量產(chǎn)透磁率為100的無鹵防噪音薄膜
NEC東金開發(fā)出提高了噪音抑制效果的無鹵防噪音薄膜“Busteraid EFX”，將于2008年12月開始量產(chǎn)。該薄膜為將其貼于噪音源頭及傳播路徑處即可抑制噪音的薄膜狀部件，共備有厚度在50μm～1mm之間的6種產(chǎn)品。具有產(chǎn)生的反射波等副作用小、信號波形幾乎不變等優(yōu)點(diǎn)。面向手機(jī)、筆記本電腦以及數(shù)碼相機(jī)等電子...
2008-12-10
Busteraid EFX 無鹵防噪音薄膜 抑制噪音
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NEC東金將開始量產(chǎn)透磁率為100的無鹵防噪音薄膜
NEC東金開發(fā)出提高了噪音抑制效果的無鹵防噪音薄膜“Busteraid EFX”，將于2008年12月開始量產(chǎn)。該薄膜為將其貼于噪音源頭及傳播路徑處即可抑制噪音的薄膜狀部件，共備有厚度在50μm～1mm之間的6種產(chǎn)品。具有產(chǎn)生的反射波等副作用小、信號波形幾乎不變等優(yōu)點(diǎn)。面向手機(jī)、筆記本電腦以及數(shù)碼相機(jī)等電子...
2008-12-10
Busteraid EFX 無鹵防噪音薄膜 抑制噪音
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NEC東金將開始量產(chǎn)透磁率為100的無鹵防噪音薄膜
NEC東金開發(fā)出提高了噪音抑制效果的無鹵防噪音薄膜“Busteraid EFX”，將于2008年12月開始量產(chǎn)。該薄膜為將其貼于噪音源頭及傳播路徑處即可抑制噪音的薄膜狀部件，共備有厚度在50μm～1mm之間的6種產(chǎn)品。具有產(chǎn)生的反射波等副作用小、信號波形幾乎不變等優(yōu)點(diǎn)。面向手機(jī)、筆記本電腦以及數(shù)碼相機(jī)等電子...
2008-12-10
Busteraid EFX 無鹵防噪音薄膜 抑制噪音
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聯(lián)發(fā)科擬并MEMSIC 與臺積電關(guān)系更緊密
聯(lián)發(fā)科布局微機(jī)電(MEMS)市場再下一城，近期業(yè)界傳出聯(lián)發(fā)科為解決專利問題，將出手吃下大陸具指標(biāo)性的MEMS設(shè)計(jì)大廠MEMSIC，值得注意的是，由于目前MEMSIC系在臺積電投片，加上先前臺積電透過其創(chuàng)投公司轉(zhuǎn)投資MEMSIC，因此，未來若此樁合併案正式牽成，臺積電與聯(lián)發(fā)科之間關(guān)系將更加緊密，并使得臺積...
2008-12-10
微機(jī)電 MEMS 并購
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