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主流供應(yīng)商專家共話智能手機(jī)差異化創(chuàng)新設(shè)計(jì)
2013年將進(jìn)入LTE智能手機(jī)開發(fā)高峰期，預(yù)計(jì)英特爾、高通、英飛凌和ST- Ericsson將成為主要的LTE平臺(tái)解決方案供應(yīng)商，相變存儲(chǔ)器和SSD將成為L(zhǎng)TE智能手機(jī)的主流存儲(chǔ)解決方案。該如何選擇和利用這些平臺(tái)開發(fā)出有獨(dú)特賣點(diǎn)的差異化產(chǎn)品？ ST-Ericsson和Micron等主流供應(yīng)商專家，將于12月15日下午在第四屆...
2012-12-04
智能手機(jī) 智能手機(jī)市場(chǎng) 智能手機(jī)設(shè)計(jì) SPSZ
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探測(cè)距離能超1米的接近傳感器，明年3月量產(chǎn)
Vishay推出集成了紅外發(fā)射器、光電二極管、信號(hào)處理IC和16位ADC的接近傳感器，器件采用4.85mm x 2.35mm x 0.83mm封裝，待機(jī)電流只有1.5μA，如使用集成的發(fā)射器驅(qū)動(dòng)來驅(qū)動(dòng)，探測(cè)距離可超過1米，同時(shí)可極大降低功耗。
2012-12-04
接近傳感器 Vishay 傳感器
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僅有1.1mm高的Nextreme熱電模塊，明年Q1開始出貨
局部面積熱管理專家Nextreme最近開發(fā)出了一個(gè)新的MA8000系列薄膜熱電模塊，散熱能力更強(qiáng)，機(jī)械設(shè)計(jì)更堅(jiān)固，高度只有1.1mm高，更容易集成進(jìn)現(xiàn)有的電子系統(tǒng)。該系列有5個(gè)模塊，可在63到375平方毫米面積內(nèi)抽出10到80瓦的熱量。
2012-12-04
薄膜 熱電模塊 Nextreme
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高度2.4mm間距0.85mm的SMD DDR4 DIMM插槽
為配合2014年初英特爾將推出的Grantley服務(wù)器平臺(tái)和Haswell服務(wù)器處理器，F(xiàn)CI快速開發(fā)出了284引腳表面貼裝DDR4 DIMM插槽，間距僅為0.85毫米，高度僅為2.4mm，它完全符合JEDEC MO-309A標(biāo)準(zhǔn)。
2012-12-04
DDR4 FCI 連接器
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九個(gè)方法：降低移動(dòng)電話非穩(wěn)態(tài)噪聲
語音質(zhì)量對(duì)于移動(dòng)電話用戶來說很重要，影響語音質(zhì)量的一個(gè)主要因素是環(huán)境噪聲，因此任何抑制噪聲的方法對(duì)于手機(jī)制造商來說都是一個(gè)實(shí)現(xiàn)差異化的機(jī)會(huì)。
2012-12-03
低移動(dòng)電話 非穩(wěn)態(tài)噪聲
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C&K開發(fā)出智能手機(jī)用IP68等級(jí)30萬次壽命微型開關(guān)
如果你正在設(shè)計(jì)超薄智能手機(jī)，但又不希望犧牲開關(guān)的性能和信號(hào)質(zhì)量，那么推薦你考慮C&K Components最新開發(fā)出的頂部驅(qū)動(dòng)的KLT系列pico開關(guān)，與現(xiàn)有的KMT系列nano開關(guān)相比，尺寸大幅縮小，封裝等級(jí)高達(dá)IP68，開關(guān)壽命高達(dá)30萬次，實(shí)為不可多得的理想之選。
2012-12-03
智能手機(jī) 微型開關(guān) C&K
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降低EMI影響，手機(jī)D類放大器怎么設(shè)計(jì)？
由于在效率上相對(duì)于AB類放大器的巨大優(yōu)勢(shì)，D類放大器的應(yīng)用越來越廣泛。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner的報(bào)告，D類放大器在2006年至2011年之間的復(fù)合年成長(zhǎng)率將達(dá)15.6%，從3.34億美元成長(zhǎng)至6.88億美元，主要的成長(zhǎng)動(dòng)力來自于功耗敏感及空間受限的消費(fèi)類電子產(chǎn)品。但D類放大器開關(guān)輸出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)帶來了高...
2012-12-03
降低 EMI 手機(jī)D類放大器
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降低EMI影響，手機(jī)D類放大器怎么設(shè)計(jì)？
由于在效率上相對(duì)于AB類放大器的巨大優(yōu)勢(shì)，D類放大器的應(yīng)用越來越廣泛。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner的報(bào)告，D類放大器在2006年至2011年之間的復(fù)合年成長(zhǎng)率將達(dá)15.6%，從3.34億美元成長(zhǎng)至6.88億美元，主要的成長(zhǎng)動(dòng)力來自于功耗敏感及空間受限的消費(fèi)類電子產(chǎn)品。但D類放大器開關(guān)輸出的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)帶來了高...
2012-12-03
降低 EMI 手機(jī)D類放大器
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Thunderbolt的ESD防護(hù)如何實(shí)現(xiàn)？
由于Thunderbolt是超高速的傳輸接口，在系統(tǒng)上屬外露給使用者可以插拔的接口，必然是靜電放電(ESD)破壞的高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)，因此ESD防護(hù)方案在此是絕對(duì)必要的。但在額外加入的ESD防護(hù)組件設(shè)計(jì)時(shí)，又必須特別注意不可以影響到其超高速訊號(hào)的傳輸質(zhì)量，這讓ESD的防護(hù)又增加了挑戰(zhàn)。
2012-12-03
Thunderbolt ESD 防護(hù)
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