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NFC支付雷聲大雨點(diǎn)小,國內(nèi)商用試驗(yàn)擱淺
近年來，NFC技術(shù)在國內(nèi)呈日漸火爆的趨勢(shì)。但是，NFC的未來是在游戲應(yīng)用上，還是在支付上，業(yè)界卻存有分歧。
2011-11-02
NFC 手機(jī) NFC技術(shù) 智能手機(jī)
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NFC支付雷聲大雨點(diǎn)小,國內(nèi)商用試驗(yàn)擱淺
近年來，NFC技術(shù)在國內(nèi)呈日漸火爆的趨勢(shì)。但是，NFC的未來是在游戲應(yīng)用上，還是在支付上，業(yè)界卻存有分歧。
2011-11-02
NFC 手機(jī) NFC技術(shù) 智能手機(jī)
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9月份全球半導(dǎo)體銷售額環(huán)比增長2.7%
全球半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)日前表示，盡管全球經(jīng)濟(jì)增長存在不確定性，今年9月份全球半導(dǎo)體銷售額仍相比8月份增長了2.7%，達(dá)到了257.6億美元，但相比上年同期下跌1.7%。
2011-11-02
半導(dǎo)體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
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9月份全球半導(dǎo)體銷售額環(huán)比增長2.7%
全球半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)日前表示，盡管全球經(jīng)濟(jì)增長存在不確定性，今年9月份全球半導(dǎo)體銷售額仍相比8月份增長了2.7%，達(dá)到了257.6億美元，但相比上年同期下跌1.7%。
2011-11-02
半導(dǎo)體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
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9月份全球半導(dǎo)體銷售額環(huán)比增長2.7%
全球半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)日前表示，盡管全球經(jīng)濟(jì)增長存在不確定性，今年9月份全球半導(dǎo)體銷售額仍相比8月份增長了2.7%，達(dá)到了257.6億美元，但相比上年同期下跌1.7%。
2011-11-02
半導(dǎo)體 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
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3LG 系列：IDT 推出全球首款超低功耗±50 ppm CrystalFree? CMOS 振蕩器
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司，推出業(yè)界首款擁有突破性 ±50 ppm 頻率精度和超低功耗的 CMOS 振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器，在任何要求 ±50 ppm 時(shí)間基準(zhǔn)的廣泛應(yīng)用中，節(jié)省功耗高達(dá) 75%，包括計(jì)算、通信和消費(fèi)市場(chǎng)
2011-11-01
3LG IDT 振蕩器 CrystalFree CMOS
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電容觸控面板未來趨于簡(jiǎn)單化
投射式電容是目前觸摸屏的主流技術(shù)，并且呈結(jié)構(gòu)多樣化。根據(jù)DisplaySearch最新觸控面板市場(chǎng)分析報(bào)告指出，電容觸控面板的結(jié)構(gòu)將會(huì)在未來幾年中趨于簡(jiǎn)單化，傳感載體將會(huì)減少，這將有利于輕便的移動(dòng)設(shè)備的發(fā)展。
2011-11-01
投射式電容 觸摸屏 觸控 電容觸控 觸控面板
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電容觸控面板未來趨于簡(jiǎn)單化
投射式電容是目前觸摸屏的主流技術(shù)，并且呈結(jié)構(gòu)多樣化。根據(jù)DisplaySearch最新觸控面板市場(chǎng)分析報(bào)告指出，電容觸控面板的結(jié)構(gòu)將會(huì)在未來幾年中趨于簡(jiǎn)單化，傳感載體將會(huì)減少，這將有利于輕便的移動(dòng)設(shè)備的發(fā)展。
2011-11-01
投射式電容 觸摸屏 觸控 電容觸控 觸控面板
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DSR6V600P5|DSR6U600P5：Diodes為功率因子校正應(yīng)用提供嶄新高電壓整流器
Diodes公司針對(duì)功率因子校正 (Power Factor Correction，簡(jiǎn)稱PFC) 升壓二極管應(yīng)用，推出一對(duì)嶄新的600V DiodeStar 整流器，以擴(kuò)展其DiodeStar產(chǎn)品系列。DSR6V600P5及DSR6U600P5以Diodes專有的powerDI?5 封裝。該封裝具備高熱效能及厚度薄的特性，從而能使用之設(shè)計(jì)的產(chǎn)品更薄、熱效能更顯著。
2011-11-01
DSR6V600P5 DSR6U600P5 Diodes 整流器
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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