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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP :Vishay新型功率MOSFET

發(fā)布時間:2008-10-23

產(chǎn)品特性:Vishay新型Siliconix 25V功率MOSFET

  • 低導通電阻
  • 低導通電阻與柵極電荷乘積
  • PowerPAK SO-8 封裝
  • 無鉛 (Pb),無鹵素,并且符合 RoHS

應用范圍:

  • 同步降壓轉(zhuǎn)換器
  • 二級同步整流
  • OR-ing 應用等

日前,Vishay推出一款新型 25V n 通道器件,從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列,對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言,該器件具有最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。

該SiR476DP在 4.5V 柵極驅(qū)動時最大導通電阻為 2.1m?,在 10V 柵極驅(qū)動時最大導通電阻為 1.7m?。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應用中針對 MOSFET 的關鍵優(yōu)值 (FOM),在 4.5V 時為 89.25nC。

與為實現(xiàn)低導通損失及低開關損失而優(yōu)化的最接近的同類競爭器件相比,這些規(guī)格意味著在 4.5V 及 10V 時導通電阻分別低 32% 與 15%,F(xiàn)OM 低 42%。更低的導通電阻及柵極電荷可轉(zhuǎn)變成更低的傳導損失及開關損失。

Siliconix SiR476DP將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級同步整流及 OR-ing 應用中作為低端 MOSFET。其低導通及低開關損失將使穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務器及使用負載點 (POL) 功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)實現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設計。

Vishay 還推出了新型 25V SiR892DP 和SiR850DPn 通道 MOSFET。這些器件在 4.5V 時提供了 4.2m? 與 9m? 的導通電阻,在 10V 時為 3.2m? 及 7m?,典型柵極電荷為 20nC 及 8.4nC。所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝類型。這些器件無鉛 (Pb),無鹵素,并且符合 RoHS,因此符合有關消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。

目前,SiR476DP, SiR892DP, 及SiR850DP的樣品及量產(chǎn)批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 10~12 周。

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